改进的四氯化锆的制备方法及四氯化锆

    公开(公告)号:CN108793246A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201810916610.4

    申请日:2018-08-13

    IPC分类号: C01G25/04

    CPC分类号: C01G25/04

    摘要: 本发明公开了一种改进的四氯化锆的制备方法及四氯化锆,该方法包括以下步骤:1)锆英砂中含有金属氧化物杂质,除去锆英砂中的金属氧化物杂质,得到提纯的锆英砂;2)将提纯的锆英砂与碳质还原剂、氯气加热,反应生成四氯化锆、四氯化硅、一氧化碳、二氧化碳。分离出四氯化锆。本发明中的制备方法,先将锆英砂中的金属氧化物杂质除掉,然后再与碳质还原剂、氯气反应,大大降低了得到的四氯化锆产品中金属杂质的氯化物的含量,避免了金属杂质的氯化物混入到生成的四氯化锆产品中,从而提高了四氯化锆产品纯度,省去了除去金属杂质的氯化物的步骤,降低了后端分离系统进行分离提纯的难度,提高了四氯化锆产品纯度和品质,且提高了后端产品的品质。

    生产SiOx的装置及方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111747416B

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN201910232053.9

    申请日:2019-03-26

    IPC分类号: C01B33/113

    摘要: 本发明公开了一种生产SiOx的装置及方法,装置包括:反应单元;气体出料单元;收集单元;调温机构;抽真空单元。本发明的方法,能实现SiOx的连续生产,易实现自动控制,提高生产效率,制得性能良好的SiOx材料,原料中的难挥发杂质通过反应单元底部残渣去除,通过合理控制反应单元、气体出料单元及收集单元的温度,使大部分易挥发杂质保持气体状态,从收集单元的第一出口排出。本发明装置独特的设计,实现了全流程连续生产,有利于扩大产能,减小设备投入。根据生产特性对细节进行的特殊设计,可以提高产品质量,实现设备长周期稳定运行。由于连续运行省去了启炉加热、停炉冷却等时间和能耗,从而可以提高生产效率,降低能耗。

    空心硅芯的制备方法和制备装置

    公开(公告)号:CN110272049B

    公开(公告)日:2021-03-02

    申请号:CN201810220009.1

    申请日:2018-03-16

    IPC分类号: C01B33/02 C01B33/035

    摘要: 本发明提供一种空心硅芯的制备方法,包括:将块状晶体硅料装入坩埚中,装料完毕后使坩埚处于密封腔内;将密封腔、密封管和硅芯缓存室内的空气排出后向密封腔内通入保护气体以维持三者的微正压环境;对坩埚进行加热处理,以使其内的块状晶体硅料熔化为液态;使熔化后的液态硅料在自身重力和保护气体的压力作用下,向下流经环形喷嘴,从而在密封管内形成空心硅管;使长度测量装置、加持装置和切割装置彼此配合,以对空心硅管进行长度测量,并在空心硅管自下端向上的长度每次达到预设长度值时都将其固定、切割,以及带动下行送入硅芯缓存室,如此循环往复直至制备过程结束。相应地,提供一种空心硅芯的制备装置。本发明能够高效制备大直径空心硅芯。

    生产SiOx的装置及方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111747416A

    公开(公告)日:2020-10-09

    申请号:CN201910232053.9

    申请日:2019-03-26

    IPC分类号: C01B33/113

    摘要: 本发明公开了一种生产SiOx的装置及方法,装置包括:反应单元;气体出料单元;收集单元;调温机构;抽真空单元。本发明的方法,能实现SiOx的连续生产,易实现自动控制,提高生产效率,制得性能良好的SiOx材料,原料中的难挥发杂质通过反应单元底部残渣去除,通过合理控制反应单元、气体出料单元及收集单元的温度,使大部分易挥发杂质保持气体状态,从收集单元的第一出口排出。本发明装置独特的设计,实现了全流程连续生产,有利于扩大产能,减小设备投入。根据生产特性对细节进行的特殊设计,可以提高产品质量,实现设备长周期稳定运行。由于连续运行省去了启炉加热、停炉冷却等时间和能耗,从而可以提高生产效率,降低能耗。

    四氯化锆与氧化亚硅联产的方法及装置

    公开(公告)号:CN108996546A

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201810974696.6

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: C01G25/04 C01B33/113

    摘要: 本发明公开了一种四氯化锆与氧化亚硅联产的方法及装置,该方法包括以下步骤:1)将锆英砂与硅混合,真空条件下,加热,锆英砂中的二氧化硅与硅反应生成气化的氧化亚硅,锆英砂中的二氧化硅反应后余下固体剩余物;2)将固体剩余物与氯气、碳质还原剂混合,加热,固体剩余物中的氧化锆与氯气、碳质还原剂反应,生成四氯化锆。本发明中的方法在真空下加热,使得锆英砂中的二氧化硅生成氧化亚硅,可简化后续的尾气分离系统,得到了高附加值的氧化亚硅产品,实现了锆英砂中的硅资源的高值化利用,同时大大简化了四氯化锆的生产流程,有效降低了生产成本及提高了产品品质。

    四氯化锆与氧化亚硅联产的方法及装置

    公开(公告)号:CN108996546B

    公开(公告)日:2019-06-18

    申请号:CN201810974696.6

    申请日:2018-08-24

    IPC分类号: C01G25/04 C01B33/113

    摘要: 本发明公开了一种四氯化锆与氧化亚硅联产的方法及装置,该方法包括以下步骤:1)将锆英砂与硅混合,真空条件下,加热,锆英砂中的二氧化硅与硅反应生成气化的氧化亚硅,锆英砂中的二氧化硅反应后余下固体剩余物;2)将固体剩余物与氯气、碳质还原剂混合,加热,固体剩余物中的氧化锆与氯气、碳质还原剂反应,生成四氯化锆。本发明中的方法在真空下加热,使得锆英砂中的二氧化硅生成氧化亚硅,可简化后续的尾气分离系统,得到了高附加值的氧化亚硅产品,实现了锆英砂中的硅资源的高值化利用,同时大大简化了四氯化锆的生产流程,有效降低了生产成本及提高了产品品质。

    氧氯化锆中的杂质脱除工艺及装置

    公开(公告)号:CN109179501A

    公开(公告)日:2019-01-11

    申请号:CN201811155997.2

    申请日:2018-09-30

    IPC分类号: C01G25/00

    摘要: 本发明公开了一种氧氯化锆中的杂质脱除工艺及装置,该工艺包括以下步骤:1)将以锆英砂为原料经沸腾氯化法制备的粗四氯化锆,加入到酸性条件下的水中水解,生成氧氯化锆,得到氧氯化锆水溶液;2)再将氧氯化锆水溶液依次通过第一吸附柱、第二吸附柱吸附金属杂质和碳,第二吸附柱的吸附能力比第一吸附柱强,经过吸附后,若氧氯化锆水溶液中的金属杂质的浓度不高于预设的浓度值,则执行步骤3);3)将氧氯化锆水溶液进行结晶、洗涤、脱水,得到固体的氧氯化锆。本发明工艺简单,连续性好,生产成本低,有效减少三废排放,并且第一吸附柱、第二吸附柱所用吸附剂能够重复使用可以显著降低生产成本,产品纯度高,杂质含量低,有效提高产品质量。

    四氯化锆的制备方法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108862380A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201811086411.1

    申请日:2018-09-18

    摘要: 本发明公开了一种四氯化锆的制备方法,包括以下步骤:1)将铝灰、锆英砂、碳还原剂混合,通入氯气,加热,铝灰中的铝发生氯化反应放热生成氯化铝、铝灰中的氧化铝发生氯化反应放热生成氯化铝,锆英砂发生碳化氯化反应吸收放出的热量生成四氯化锆、四氯化硅、一氧化碳和/或二氧化碳。本发明的铝灰相当于锆英砂碳化氯化反应过程中的补热剂,铝灰中的铝、氧化铝发生氯化反应放热,锆英砂发生碳化氯化反应吸收放出的热量,实现了热量的平衡,弥补物料所在的系统所需要的热量,降低对外部无论是加热系统还是冷却系统的依赖,实现了节能降耗,同时降低了四氯化锆的生产成本,同时副产氧化铝,实现了铝灰的回收利用,杜绝了环境污染,提高了经济效益。

    用于四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的催化剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN108855091A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201710324060.2

    申请日:2017-05-09

    摘要: 本发明公开了一种用于四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的催化剂及其制备方法,该方法包括以下步骤:1)通过共沉淀法制得氢氧化铜和氢氧化镍的共沉淀,其中,所述氢氧化铜和氢氧化镍的共沉淀中的铜原子与镍原子的质量比为(1~9):1;2)向氢氧化铜和氢氧化镍的共沉淀中加入水,打浆,制得浆料,将浆料喷雾干燥成型;3)通入氢气还原,得到四氯化硅冷氢化制备三氯氢硅的催化剂,该催化剂为Cu‑Ni双金属催化剂。本发明催化剂设计理念新颖,能发挥具有催化活性的铜原子和镍原子的协同作用;制备工艺简单,原料价廉易得,催化剂成本较低,容易放大工业化生产。