一种防尘电气柜
    1.
    实用新型

    公开(公告)号:CN220122375U

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202321582596.1

    申请日:2023-06-19

    IPC分类号: H02B1/28 H02B1/30

    摘要: 本实用新型提供一种防尘电气柜,防尘电气柜包括:柜门开关检测器、控制器、风幕;柜门开关检测器设置在防尘电气柜的柜门上,用于在检测到柜门打开之后,产生第一控制信号;控制器,与柜门开关检测器和风幕连接,用于在接收柜门开关检测器发送的第一控制信号之后,向风幕发送第二控制信号,风幕设置在防尘电气柜内的顶部,风幕在第二控制信号的控制下启动,产生垂直向下的风幕墙。由此,可以有效阻止外部粉尘进入柜体内部,极大增强了电气柜的防尘性能。

    一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统

    公开(公告)号:CN115487973B

    公开(公告)日:2023-10-03

    申请号:CN202211338710.6

    申请日:2022-10-28

    摘要: 本发明提供一种多晶硅还原炉壁面喷涂控制方法和系统,该方法包括:应用于喷涂控制系统,喷涂控制系统包括:机械臂装置、升降装置、控制装置和喷枪结构;控制装置用于:向机械臂装置发送第一控制信号,控制喷枪结构与还原炉内壁的第一区域之间保持第一状态;向升降装置发送第二控制信号,控制升降装置在第一方向上滑动,联动机械臂装置在第一方向运动,并控制喷枪结构与还原炉内壁的第二区域之间保持第一状态;在第一状态时,向喷枪结构发送第三控制信号,控制喷枪结构进行涂层喷涂;其中,第一方向为与喷涂系统的底面垂直的方向。本发明的方案解决了现有技术中存在的还原炉内壁喷涂旋转机构结构复杂、控制难度大问题。

    生产工业硅的方法及工业硅生产系统

    公开(公告)号:CN116692870A

    公开(公告)日:2023-09-05

    申请号:CN202310711848.4

    申请日:2023-06-14

    IPC分类号: C01B33/023

    摘要: 本发明公开了一种生产工业硅的方法及工业硅生产系统,该方法包括以下步骤:1)向二氧化硅中通入氢气,加热反应,生成氧化亚硅和水;2)通过等离子体发生器对氢气进行电离形成氢等离子体,氧化亚硅与氢等离子体反应生成硅。本方法使用氢气代替现有技术中石油焦、煤炭等碳基还原剂,反应尾气中除氢气、水蒸气外基本无其他成分,且氢气、水蒸气可循环利用,显著降低了工业硅生产过程温室气体排放量,是一种绿色环保的工业硅生产工艺。通过硅石与氢气反应生成气态一氧化硅,气‑固反应的反应速率远高于现有工艺固‑固反应。在生产单质硅阶段使用等离子工艺将氢气生成氢等离子,进一步提高氢气的还原性,无需在高温高压环境下即可还原得到硅单质。

    一种微波干燥控制方法、远程控制设备及系统

    公开(公告)号:CN116538768A

    公开(公告)日:2023-08-04

    申请号:CN202310715142.5

    申请日:2023-06-15

    IPC分类号: F26B3/347 F26B23/08 F26B25/00

    摘要: 本申请公开了一种微波干燥控制方法、远程控制设备及系统,涉及工艺自动化技术领域,包括:获取工业微波炉内的物料的图像信息以及工业微波炉内的环境参数值;根据图像信息,确定物料当前所处的干燥控制段,其中,物料的微波干燥过程被划分为至少两个干燥控制段;获取物料当前所处的干燥控制段对应的工艺参数参考值,工艺参数参考值包括设备参数参考值和环境参数参考值;根据环境参数值和环境参数参考值,调整设备参数参考值中的至少一个子参数的参考值;向设备控制器发送第一控制指令,第一控制指令包括调整后的至少一个子参数的参考值。如此,实现了对干燥过程的精准控制,且降低了工业微波炉内的环境异常对设备和人员造成的安全隐患。

    一种混气系统及制备白炭黑的方法

    公开(公告)号:CN115138225A

    公开(公告)日:2022-10-04

    申请号:CN202210769740.6

    申请日:2022-06-30

    IPC分类号: B01F23/10 C01B33/18

    摘要: 本发明提供一种混气系统及制备白炭黑的方法,所述混气系统包括:输气管道、混合腔体和稳流管道;其中,所述输气管道包括主管道和多条运输管道,多条所述运输管道与所述主管道的一端相连通;所述混合腔体包括一个空腔和设置在所述空腔内部的拉瓦尔管;所述主管道的另一端与所述混合腔体的侧壁连接,且与所述空腔连通;所述稳流管道的上端与所述拉瓦尔管相连通。相较于静态混合器,混合腔体结构简单,利用高速旋流和拉瓦尔管的方式,提高了气体混合均匀性,且管道压降更低,提高了能量利用效率。此外,所述混气系统的结构避免或减弱了管壁黏附高沸物、硅粉等杂质现象,提高生产安全性,延长了安全生产周期。

    一种尾气排放结构和还原炉

    公开(公告)号:CN113375058B

    公开(公告)日:2023-12-01

    申请号:CN202110661123.X

    申请日:2021-06-15

    摘要: 本申请公开了一种尾气排放结构和还原炉,尾气排放结构包括:多个尾气支管;每个尾气支管的第一端与汇合管连通,多个尾气支管的第一端沿汇合管的周向间隔设置;汇集管的第一端与汇合管连通;汇集管的第二端与尾气母管的一端连通。尾气排放结构可应用在还原炉中,尾气支管的第二端可以与还原炉的底部的排气孔连通,还原炉中的尾气通过排气孔进入尾气支管中,尾气支管中的气体进入汇合管中后在汇合管中可以进行平衡,使得汇合管中的气体的压力流量更均匀稳定,汇合管中均匀稳定的气体稳定地流入汇集管,经过汇集管后从尾气母管排出,使得尾气的排出更均匀稳定,使得还原炉内的压力、流场、温度场稳定,提高多晶硅的生产质量。

    一种催化裂解含氧硅基高沸物的方法及装置

    公开(公告)号:CN117003245A

    公开(公告)日:2023-11-07

    申请号:CN202210493824.1

    申请日:2022-04-28

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明提供一种催化裂解含氧硅基高沸物的方法及装置,所述方法为:向反应器中加入高沸物原料、还原剂、还原催化剂进行还原反应,还原反应完成后,将反应后的高沸物原料、氯源、裂解催化剂送入反应器中进行裂解反应;其中,所述还原催化剂为高熵合金粉末;所述裂解催化剂的骨架为多孔材料,所述裂解催化剂的功能基包括酰胺基、氰基、酯基、吡咯、吡唑、吡啶和噻唑中的至少一种。本发明中提供了一种先催化还原后催化裂解的方法,该方法应用于高沸物(尤其是含氧硅基高沸物)的催化裂解时,能明显提高催化转化效率,使催化裂解条件更温和,有效促进了高沸物的绿色循环利用,降低了多晶硅生产的硅耗、氯耗、碱耗及生产成本。

    一种设备内部的温度保护方法、装置、设备及系统

    公开(公告)号:CN116820156A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310741662.3

    申请日:2023-06-20

    IPC分类号: G05D23/20

    摘要: 本发明提供了一种设备内部的温度保护方法、装置、设备及系统,该方法包括:接收至少两个温度传感器发送的温度数据;根据所述温度数据,确定目标调整策略,所述目标调整策略用于对密闭设备内部的温度进行降温;将所述目标调整策略发送给密闭设备内部的温度调整部件和/或工艺执行部件;其中,所述目标调整策略用于指示所述温度调整部件和/或所述工艺执行部件调整运行状态。本发明实施例的设备内部的温度保护方法,能够在密闭设备的内部空间的温度较高的情况下对密闭设备内部降温,解决了密闭设备因作业人员无法进入空间内,确定不了空间内温度的变化,无法及时排除温度升高带来的安全隐患的问题。

    多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备

    公开(公告)号:CN116514126A

    公开(公告)日:2023-08-01

    申请号:CN202310543003.9

    申请日:2023-05-12

    IPC分类号: C01B33/035

    摘要: 本公开提供一种多晶硅反应炉的温度控制方法、装置及相关设备,涉及多晶硅生产的技术领域,其中,方法包括:在第一时段获取第一硅棒组的第一电压数据和第二硅棒组的第二电压数据,第二硅棒组环绕第一硅棒组设置;当第一电压数据和第二电压数据之间的电压差值大于第一预设阈值时,降低第一硅棒组在第一时段的第一电流增量,升高第二硅棒组在第一时段的第二电流增量;根据降低后的第一电流增量增加第一硅棒组的电流,根据升高后的第二电流增量增加第二硅棒组的电流。本公开以电压差值测定不同硅棒组之间的温差,并基于电流增量的调整实现对不同硅棒组的温度控制,使多晶硅反应炉不同位置的硅棒温度趋近预期温度,提升多晶硅反应炉获得的温控效果。