精馏塔实时控制方法、装置、电子设备及可读存储介质

    公开(公告)号:CN116889739A

    公开(公告)日:2023-10-17

    申请号:CN202310756115.2

    申请日:2023-06-25

    摘要: 本申请实施例提供的一种精馏塔实时控制方法、装置、电子设备及可读存储介质,通过获取所述精馏塔当前时刻的特征变量;将所述精馏塔当前时刻的特征变量输入至目标软测量模型中,得到所述精馏塔当前时刻的第一目标变量预估值;计算所述第一目标变量预估值和目标变量预设值之间的目标变化值;根据所述目标变化值,调整所述精馏塔的调节阀的开度。这样,可以通过目标软测量模型,得到第一目标变量预估值,根据第一目标变量预估值与目标变量预设值来调整精馏塔输入,避免了需要对精馏塔的产品中某一物质的含量占比进行检测所需的时间,从而提高对精馏塔的调节阀进行调整的及时性。

    一种多晶硅渣浆沉降装置及回收系统

    公开(公告)号:CN115364530B

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202211109553.1

    申请日:2022-09-13

    IPC分类号: B01D21/02 B01D21/24

    摘要: 本发明公开一种多晶硅渣浆沉降装置,包括沉降罐和沉降机构。沉降罐开设有进料法兰口、出料法兰口和出清液法兰口。进料法兰口位于沉降罐的侧壁上,供渣浆进料。出料法兰口位于沉降罐的罐底上,供沉降分离的硅粉出料。出清液法兰口位于沉降罐的侧壁上,且其位置高于进料法兰口,供分离硅粉后的清液流出。沉降机构设置于沉降罐内部,并位于进料法兰口和出清液法兰口之间,沉降机构具有多条上下贯通的流道,流道倾斜设置,用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层,使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降,并落到沉降罐底部,以分离出硅粉。因此,本多晶硅渣浆沉降装置能够使渣浆中的硅粉快速沉降,以提高清液与硅粉的分离效率。

    一种多晶硅渣浆沉降装置及回收系统

    公开(公告)号:CN115364530A

    公开(公告)日:2022-11-22

    申请号:CN202211109553.1

    申请日:2022-09-13

    IPC分类号: B01D21/02 B01D21/24

    摘要: 本发明公开一种多晶硅渣浆沉降装置,包括沉降罐和沉降机构。沉降罐开设有进料法兰口、出料法兰口和出清液法兰口。进料法兰口位于沉降罐的侧壁上,供渣浆进料。出料法兰口位于沉降罐的罐底上,供沉降分离的硅粉出料。出清液法兰口位于沉降罐的侧壁上,且其位置高于进料法兰口,供分离硅粉后的清液流出。沉降机构设置于沉降罐内部,并位于进料法兰口和出清液法兰口之间,沉降机构具有多条上下贯通的流道,流道倾斜设置,用于供渣浆流通并将渣浆的液流分隔为多个薄层,使每个渣浆薄层中的硅粉沿着倾斜的流道壁聚集沉降,并落到沉降罐底部,以分离出硅粉。因此,本多晶硅渣浆沉降装置能够使渣浆中的硅粉快速沉降,以提高清液与硅粉的分离效率。

    三氯氢硅提纯装置
    4.
    实用新型

    公开(公告)号:CN219885684U

    公开(公告)日:2023-10-24

    申请号:CN202321556527.3

    申请日:2023-06-19

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本实用新型公开一种三氯氢硅提纯装置,包括:一级精馏塔,一级精馏塔的塔底具有第一底出口与第一底进口,一级精馏塔的顶部具有第一顶出口和回流口;第一再沸器的进料口与第一底出口连通,第一再沸器的出料口与第一底进口连通;二级精馏塔的塔底具有第二底出口与第二底进口,二级精馏塔的顶部具有第二顶出口;第二再沸器的进料口与第二底出口连通,第二再沸器的出料口与第二底进口连通;热泵装置的进口与第一顶出口连通,热泵装置的出口与第二再沸器的流体进口连通;吸附装置的进口与第二再沸器的流体出口连通,吸附装置的出口与二级精馏塔的进料口连通。通过提纯装置可以降低能耗,有效提高三氯氢硅的纯度。

    一种隔壁塔的工艺动态控制方法、装置、系统及存储介质

    公开(公告)号:CN116747545A

    公开(公告)日:2023-09-15

    申请号:CN202310740553.X

    申请日:2023-06-21

    摘要: 本申请提供了一种隔壁塔的工艺动态控制方法、装置、系统及存储介质,应用化工精馏工艺,其中,方法包括:获取隔壁塔的第一参数信息,包括:再沸器的第一热负荷、冷凝器的第二热负荷、进料段温差以及侧线采出段温差;根据第一参数信息,以及自适应神经模糊推理系统和MPC模型进行联合处理,得到控制信息,控制信息包括:由公共精馏段分配至进料段的液相流量、侧线采出段的第一采出流量以及塔顶的回流流量;根据控制信息,对隔壁塔进行控制。通过采用自适应神经模糊推理系统与MPC模型联合控制,且突破的将温差作为控制点,解决了精馏过程中组分难以实时测量及变量强耦合性等控制问题,提高了动态控制性能,有效的抵抗进料流量和进料组成扰动。

    制备三氯氢硅的方法及系统

    公开(公告)号:CN113387361B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202110500338.3

    申请日:2021-05-08

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开了一种制备三氯氢硅的方法及系统,该方法包括以下步骤:将四氯化硅、二氯二氢硅、氯化氢通入反应精馏塔内,在催化剂的催化作用下,四氯化硅、二氯二氢硅发生反歧化反应,生成三氯氢硅,氯化氢抑制由二氯二氢硅为原料生成硅烷,再精馏,分离出三氯氢硅,在反应精馏塔的塔顶得到反应精馏塔塔顶排出物。通过改变反应精馏系统的平衡组成,向反应精馏塔内补入氯化氢,抑制由二氯二氢硅为原料生成硅烷,同时氯化氢与二氯二氢硅在催化剂的作用下反应生成三氯氢硅,提高了系统运行的安全平稳性,提高了三氯氢硅的产率,同时提高了二氯二氢硅的回收效率。

    一种三氯氢硅合成方法及系统

    公开(公告)号:CN113387363B

    公开(公告)日:2023-01-31

    申请号:CN202110500760.9

    申请日:2021-05-08

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开一种三氯氢硅合成方法,将硅粉原料经流化进行冷氢化反应合成三氯氢硅,得到冷氢化合成反应混合气;先分离出冷氢化反应后的冷氢化合成反应混合气中的大颗粒硅粉,得到第一除尘气,并将所述大颗粒硅粉返回到流化过程中继续进行冷氢化反应;再分离出所述第一除尘气中的小颗粒硅粉,得到三氯氢硅;将所述小颗粒硅粉与氯化氢进行氯化反应生成三氯氢硅。本发明还公开一种三氯氢硅合成系统。本发明可实现硅粉高效率利用,降低硅单耗。

    分离多晶硅还原尾气吸收富液和冷凝液的系统及工艺

    公开(公告)号:CN115006861B

    公开(公告)日:2024-01-30

    申请号:CN202210654556.7

    申请日:2022-06-10

    IPC分类号: B01D3/14 B01D3/42

    摘要: 本发明公开了一种分离多晶硅还原尾气吸收富液和冷凝液的系统及工艺,该系统包括:隔壁塔,包括:隔壁塔本体、进料口、隔板、公共精馏段、公共提馏段、预精馏段、预提馏段、抽出段,抽出段设置有上部侧采线、下部侧采线,下部侧采线位于上部侧采线下方,上部侧采线用于采出高纯二氯二氢硅和三氯氢硅混合液,下部侧采线用于采出高纯三氯氢硅;冷凝器,与隔壁塔连接;塔顶采出线,与冷凝器连接;再沸器,与隔壁塔连接;塔釜采出线,与隔壁塔的塔釜连接。本发明中的工艺降低了设备投资;缩短了工艺流程;减少了建设用地;降低了能量的消耗,对于多晶硅生产过程能耗的降低具有很好的指导意义。

    一种三氯氢硅合成方法及系统

    公开(公告)号:CN113387363A

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN202110500760.9

    申请日:2021-05-08

    IPC分类号: C01B33/107

    摘要: 本发明公开一种三氯氢硅合成方法,将硅粉原料经流化进行冷氢化反应合成三氯氢硅,得到冷氢化合成反应混合气;先分离出冷氢化反应后的冷氢化合成反应混合气中的大颗粒硅粉,得到第一除尘气,并将所述大颗粒硅粉返回到流化过程中继续进行冷氢化反应;再分离出所述第一除尘气中的小颗粒硅粉,得到三氯氢硅;将所述小颗粒硅粉与氯化氢进行氯化反应生成三氯氢硅。本发明还公开一种三氯氢硅合成系统。本发明可实现硅粉高效率利用,降低硅单耗。