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公开(公告)号：CN118422149B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410870816.3
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种初始优化镀膜装置及镀膜方法，初始优化镀膜装置包括作业腔、载台、靶材、遮板和第一遮挡组件，遮板能够隔开靶材和载台；在靶材通电的前30s利用遮板隔开靶材与载台，能够避免晶圆在点火阶段被误镀膜；待反应区域内的反应环境稳定，使得遮板离开作业腔，载台暴露在靶材下方，晶圆即可高效、准确地接受镀膜；初始优化镀膜装置还包括收容腔和遮板驱动组件，遮板驱动组件通过设置两组磁吸件，能够将收容腔外的驱动力传递至收容腔内，如此，既能够实现遮板的往返运动、又能够保护驱动结构；遮板驱动组件还通过设置四组相互配合导轨和滚轮提高了遮板运动的稳定性和准确性。
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公开(公告)号：CN118866645A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411319945.X
申请日：2024-09-23
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种层级式静电吸附刻蚀装置，包括工作室、载台、第一静电吸盘和第二静电吸盘，第一静电吸盘和第二静电吸盘设于工作室内、并处于载台上方，静电吸盘能够吸引杂质颗粒附着，从而保证腔内环境清洁、延长腔体维护保养周期、提高设备运行效率；第二静电吸盘上设有第一穿孔，杂质颗粒能够通过第一穿孔朝向第一静电吸盘运动；第一静电吸盘的吸引力大于第二静电吸盘的吸引力；在第一静电吸盘下方增设吸引力较小的第二静电吸盘，既不会影响载台对正离子的吸引、又能够很好地诱导飞溅角度小、飞溅高度低的杂质颗粒向上运动；使得杂质颗粒主要附着到第一静电吸盘上，能够让杂质颗粒远离刻蚀气体气源，从而避免气流扰动已经被吸附杂质颗粒。
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公开(公告)号：CN118441258A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410870818.2
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/50 , C23C14/35 , H01L21/677 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种联动式快接晶圆镀膜装置，包括外筒、内筒、载台、第一盖板、第一驱动件、顶针、顶板和旋转驱动件，旋转驱动件用于驱使载台自转，载台上设有活动孔，顶针受限于活动孔中；第一驱动件能够同时驱使第一盖板和顶板上升，以便于第一进出口开放、顶针接取晶圆；第一驱动件又能够同时驱使第一盖板和顶板下降，以便于第一进出口封闭、晶圆落到载台上；顶板与顶针通过接触而非连接的方式实现联动，载台的旋转与顶板的升降不会相互干扰，采用一个升降驱动件即可实现顶板对顶针的顶升以及第一盖板对第一进出口的封闭，从而实现快速的载台接料和反应区域封闭、进而提高镀膜效率。
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公开(公告)号：CN118422149A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410870816.3
申请日：2024-07-01
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种初始优化镀膜装置及镀膜方法，初始优化镀膜装置包括作业腔、载台、靶材、遮板和第一遮挡组件，遮板能够隔开靶材和载台；在靶材通电的前30s利用遮板隔开靶材与载台，能够避免晶圆在点火阶段被误镀膜；待反应区域内的反应环境稳定，使得遮板离开作业腔，载台暴露在靶材下方，晶圆即可高效、准确地接受镀膜；初始优化镀膜装置还包括收容腔和遮板驱动组件，遮板驱动组件通过设置两组磁吸件，能够将收容腔外的驱动力传递至收容腔内，如此，既能够实现遮板的往返运动、又能够保护驱动结构；遮板驱动组件还通过设置四组相互配合导轨和滚轮提高了遮板运动的稳定性和准确性。
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公开(公告)号：CN117995657B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410405126.0
申请日：2024-04-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆预处理方法及晶圆预处理装置，晶圆预处理方法包括升温步骤、降温步骤和自清洁步骤，升温步骤能够加热晶圆、实现对晶圆的去杂或者调温，降温步骤能够冷却晶圆、实现对晶圆的调温，自清洁步骤能够清洁反应腔、清除残余污染物；晶圆预处理装置利用一个反应腔实现了上述晶圆预处理方法，通过单机设备满足多样的晶圆预处理需要，并通过自清洁机构实现自理、避免腔内沉积污染物影响对晶圆的预处理。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117497461B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202311846883.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种晶圆镀膜前处理装置，包括干燥腔、加热腔和加热装置，加热装置能够加热加热腔和干燥腔；还包括气循环装置、第一吹气装置和第二吹气装置，加热装置还能够加热气循环装置输送的气体，加热过的气体能够通过第一吹气装置吹向晶圆的正面、并能够通过第二吹气装置吹向晶圆的背面；晶圆进入干燥腔后处于高温环境下，热气从两侧吹向晶圆，能够很好地吹扫晶圆、促进晶圆干燥，并能够吹除晶圆表面的杂质、确保晶圆的洁净，晶圆内部的杂气被烘出后，热气还能够吹散杂气、避免杂气重新附着到晶圆上；本申请提供的晶圆镀膜前处理装置集合了高温烘干和热气吹扫，晶圆通过前处理装置实现了高效的干燥和清洁，有利于晶圆后续镀膜。
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公开(公告)号：CN119108333A
公开(公告)日：2024-12-10
申请号：CN202411595601.1
申请日：2024-11-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01J37/32
Abstract: 本申请公开了一种旋转式自清洁刻蚀装置，包括工作室、介质罩、载台、载台、线圈、内罩、旋转驱动件、升降驱动件和顶升组件，内罩的底部设有遮边，遮边能够阻碍污染物进入工作室；内罩的表面附着有软质金属膜，能够可靠、高效地捕捉刻蚀过程中产生的污染物，从而保证刻蚀环境的清洁、保证晶圆表面处理的效果；通过旋转驱动件驱使载台旋转，能够提高覆膜均匀性和刻蚀均匀性；通过顶升组件使得内罩能够随载台旋转，既能够避免内罩与介质罩粘结、穿孔被堵塞，又能够甩落粘黏效果差的污染物，进一步保证腔内的环境清洁；内罩的外壁设有清洁件，通过清洁件旋转清扫介质罩，还能够实现腔壁自清洁，降低停机开箱的需求。
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公开(公告)号：CN118910563A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411412390.3
申请日：2024-10-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: C23C14/34 , C23C14/16 , C23C14/54 , C23C14/50 , H01L21/768
Abstract: 本申请公开了一种提高台阶覆盖率的晶圆镀膜装置及镀膜方法，镀膜装置包括工作腔、载台、第一靶材、第二靶材和第三靶材，第一靶材悬于载台正上方，第二靶材和第三靶材处于载台和第一靶材之间；第一靶材溅射出的金属原子能够很好地覆盖晶圆的平面部位和微孔的底部，第二靶材和第三靶材溅射出的金属原子沿斜线朝向载台运动，在靠近载台时、受到载台吸引力的影响，金属原子会沿抛物线向下运动，增加了金属原子入射角度的多样性，有利于金属原子覆盖微孔的侧壁；由于第二靶材和第三靶材为弧形结构、且呈包围晶圆的形式布置，因此，第二靶材和第三靶材溅射出的金属原子能够可靠地全面覆盖微孔的侧壁，从而保证保晶圆镀膜的台阶覆盖率。
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公开(公告)号：CN118571795A
公开(公告)日：2024-08-30
申请号：CN202410759712.5
申请日：2024-06-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆镀膜、刻蚀一体腔,包括反应腔、载台、线圈、靶材和遮板，载台设于反应腔内、用于承载晶圆，线圈设于反应腔内、并处于载台上方，靶材设于反应腔内、并处于线圈上方，遮板具有遮挡状态和开放状态；本申请提供的晶圆镀膜、刻蚀一体腔通过层次布置线圈和靶材，根据需要选择性地进行通电，即可实现晶圆的镀膜或者刻蚀，一腔两用，既有利于减小设备占地，又能够提高设备的实用性，还能够降低使用成本；通过设置具有遮挡状态和开放状态的遮板，进行晶圆刻蚀的过程中，利用遮板保护靶材、能够避免靶材因为暴露在反应区域内而沾附到污染物，从而保证两种工艺的可靠性。
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公开(公告)号：CN117995736B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202410405139.8
申请日：2024-04-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/677 , H01L21/67 , B08B5/02 , B08B7/00
Abstract: 本申请公开了一种晶圆供应设备，包括上料装置、预处理装置和传输装置，处理装置包括反应腔，反应腔上设有第一进出口和第二进出口，传输装置能够依次穿过第二进出口和第一进出口、取得上料装置中的晶圆，预处理装置设于传输装置取料、送料的必经路径上，相当于将晶圆的上料工位和预处理工位结合在一起，既省去了预处理装置独立布局所需的空间、又简化了传输装置取料送料路径，有利于优化空间、提高工作效率；预处理装还包括载台、温控机构、盖板、升降驱动机构和抱具，反应腔的内壁上设有一圈台阶，通过盖板的活动设计，将反应腔分隔为能够在预处理作业阶段互不干扰的传输腔和工作腔，以便于设备适应多样化的传输、处理需要。
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