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公开(公告)号：CN116454014B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310702095.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种晶圆夹持装置，包括托盘、旋转限位块和至少两组固定限位组件，一组固定限位组件包括两个固定限位块，固定限位块上设有托槽，旋转限位块上设有托台；固定限位块可以作为夹持的基准，以便于晶圆受夹于预设位置；旋转限位块能够通过转动改变其与固定限位组件之间的距离，以便于三个限位块夹持不同规格的晶圆；通过托槽和托台配合支撑晶圆，三个限位块能够抬起晶圆、从而避免晶圆的背面受到损害；通过增设固定限位组件，夹持装置能够夹持更多规格的晶圆；使得不同组的托槽处于不同高度，并使得远离旋转限位块的托槽位置更高，配合对应高度的托台，既能够稳定地支承晶圆、又能够避免被支承的晶圆受到其他组固定限位组件的干涉。
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公开(公告)号：CN116169085A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211616704.2
申请日：2022-12-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种可升降的载片装置以及升降控制方法，所述可升降的载片装置包括载片台、驱动组件、顶针组件、升降组件。本申请提供了一种可升降的载片装置以及升降控制方法，该载片装置中载片台的高度可以根据实际工艺需求进行灵活调节以实现单腔体多工艺的兼容，能有效提高生产效率以及节省设备购买成本，另外，该装置还可以实现单腔体不同层不同材料的刻蚀，在各层切换时，调节各层材料的最佳工艺位置，提高刻蚀均匀性。
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公开(公告)号：CN118486630B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410942950.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种晶圆寻边装置，包括至少两组托片机构、旋转驱动机构和检测机构，通过设置多组托片机构，能够同时进行多片晶圆的寻边作业，提高寻边效率；托片机构包括托具和转具，旋转驱动机构包括旋转驱动件、主齿轮、副齿轮和位移驱动件，位移驱动件用于驱使副齿轮往返于第一工位和第二工位；副齿轮处于第一工位时，副齿轮与主齿轮和转具啮合、旋转驱动件能够驱使托片机构旋转，副齿轮处于第二工位时，托片机构不受旋转力；通过配套设置副齿轮与位移驱动件，每一组托片机构都能够独立地开始或结束旋转寻边，可控性强、寻边精度有保障；同时，实现了采用一组旋转驱动件即可满足多组托片机构独立作业的功能，结构可靠、控制简单。
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公开(公告)号：CN117276141B
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311503946.5
申请日：2023-11-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆刻蚀温度控制系统，包括作业腔室、引流腔室、射频腔室、射频线圈、介质隔板、进气模块、第一加热件、第二加热件、第三加热件和第四加热件；由于进气模块设于介质隔板上，第一加热件和第二加热件还能够对进气模块及其内反应气体进行高效加热，从而促进等离子体的产生、以保证甚至增强等离子体的浓度，还能够加强等离子体的能量；第三加热件能够对作业腔室进行加热；第四加热件能够直接对载台用于接触晶圆的台面进行加热；本申请提供的晶圆刻蚀温度控制系统设置有多组加热件，能够全面地加热腔体、加热反应气体、加热设备结构甚至加热晶圆，从而保证反应温度的控制精度，进而保证晶圆的刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN116884890A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311150299.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种协同控压式刻蚀装置，包括刻蚀筒和控压部；刻蚀筒内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座，所述ESC底座上设置用于吸附晶圆的ESC；控压部包括控压内环和控压外环，所述控压内环的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道，所述控压外环位于控压内环外表面，所述控压外环的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道；其中，所述控压外环与所述控压内环之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道与至少部分所述内环出气通道连通并形成控压通道。本申请能够均匀控制等离子的流向分布，更加精准的控制工艺腔体内部压力。
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公开(公告)号：CN118919392A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411405804.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种多重磁场刻蚀装置，包括工作腔、载台、线圈、第一磁组和至少两层第二磁组，第一磁组和第二磁组均包括多个沿圆周方向间隔设置的永磁铁；线圈用作激发磁场，第一磁组用作约束磁场，第二磁组用作增强磁场；激发磁场促进等离子体生成，约束磁场将电子约束在线圈周围、即便于电子离化气体原子、又能够避免电子被腔壁引走，增强磁场能够提高晶圆附近的等离体子活性、加速晶圆刻蚀；本申请提供的刻蚀装置通过三重磁场配合，能够方便、有效地提高刻蚀效率，并保证刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN117276141A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311503946.5
申请日：2023-11-13
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种晶圆刻蚀温度控制系统，包括作业腔室、引流腔室、射频腔室、射频线圈、介质隔板、进气模块、第一加热件、第二加热件、第三加热件和第四加热件；由于进气模块设于介质隔板上，第一加热件和第二加热件还能够对进气模块及其内反应气体进行高效加热，从而促进等离子体的产生、以保证甚至增强等离子体的浓度，还能够加强等离子体的能量；第三加热件能够对作业腔室进行加热；第四加热件能够直接对载台用于接触晶圆的台面进行加热；本申请提供的晶圆刻蚀温度控制系统设置有多组加热件，能够全面地加热腔体、加热反应气体、加热设备结构甚至加热晶圆，从而保证反应温度的控制精度，进而保证晶圆的刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN116190282A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310443781.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置、检测刻蚀均匀度的方法及均匀刻蚀晶圆的方法，刻蚀装置包括刻蚀腔，刻蚀腔上设有第一进气通道、第二进气通道和出气通道，第一进气通道和第二进气通道的出气端高于晶圆，出气通道低于晶圆，通过第一进气通道输入工艺气体、第二进气通道输入辅助气体，能够提高晶圆刻蚀的均匀性；检测刻蚀均匀度的方法通过在晶圆表面确定九个测试点，检测九个测试点的刻蚀速率后，通过公式(Max‑Min)/2Avg计算晶圆的刻蚀均匀性，由此确认晶圆的刻蚀情况；均匀刻蚀晶圆的方法通过反应气体促进晶圆边缘反应、惰性气体妨碍晶圆边缘反应，从而提高晶圆刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN118763032A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411252240.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于刻蚀中载台的温度补偿方法及装置；将载台分成若干的区域，在每一个区域内设置独立的冷却系统，加热系统以及温度监控系统，能够对载台每一处的温度进行控制；多区控温技术采用先进的加热元件和温度传感器，以及复杂的控制算法来实现；这些加热元件和传感器分布在晶圆的表面，可以实时监测和调节每个区域的温度；控制系统则根据预设的工艺参数和实时的温度反馈信息来动态调整加热功率，以保持每个区域的温度在所需范围内。
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公开(公告)号：CN116759346B
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202311029596.3
申请日：2023-08-16
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/311 , H01L21/66 , G03F7/42 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供一种快速控温载片台、去胶刻蚀设备及去胶工艺，快速控温载片台包括：底座，所述底座中分布有冷却回路，所述冷却回路设有进口和出口；加热层，设置于底座上；电热丝，布设在加热层中；隔层，设置在底座与加热层之间，用于物理隔离电热丝与冷却回路；所述隔层为热的良导体；温度传感器，温度传感器的传感部穿过隔层与加热层接触。本发明能够在晶圆去胶工艺过程中，通过校准流量的工艺冷却液控制载片台温度略微下降，抵消去胶工艺过程中晶圆表面温度上升导致刻蚀速率不断上升的趋势，控制去胶速率基本达到匀速的效果；在保证完全去胶的前提下，更加精确地控制去胶后的留余时间，尽可能减小易氧化膜层的氧化程度。
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