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公开(公告)号：CN118486630B
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202410942950.X
申请日：2024-07-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/68 , H01L21/67 , H01L21/687
Abstract: 本申请公开了一种晶圆寻边装置，包括至少两组托片机构、旋转驱动机构和检测机构，通过设置多组托片机构，能够同时进行多片晶圆的寻边作业，提高寻边效率；托片机构包括托具和转具，旋转驱动机构包括旋转驱动件、主齿轮、副齿轮和位移驱动件，位移驱动件用于驱使副齿轮往返于第一工位和第二工位；副齿轮处于第一工位时，副齿轮与主齿轮和转具啮合、旋转驱动件能够驱使托片机构旋转，副齿轮处于第二工位时，托片机构不受旋转力；通过配套设置副齿轮与位移驱动件，每一组托片机构都能够独立地开始或结束旋转寻边，可控性强、寻边精度有保障；同时，实现了采用一组旋转驱动件即可满足多组托片机构独立作业的功能，结构可靠、控制简单。
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公开(公告)号：CN116884890A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202311150299.4
申请日：2023-09-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明提供一种协同控压式刻蚀装置，包括刻蚀筒和控压部；刻蚀筒内部形成刻蚀腔体，所述刻蚀腔体内设置有ESC底座，所述ESC底座上设置用于吸附晶圆的ESC；控压部包括控压内环和控压外环，所述控压内环的圆柱面上均匀布置有若干内环出气通道，所述控压外环位于控压内环外表面，所述控压外环的圆柱面上均匀布置有若干外环出气通道；其中，所述控压外环与所述控压内环之间能够产生相对运动，以使得至少部分所述外环出气通道与至少部分所述内环出气通道连通并形成控压通道。本申请能够均匀控制等离子的流向分布，更加精准的控制工艺腔体内部压力。
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公开(公告)号：CN118016588A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410405129.4
申请日：2024-04-07
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/677 , B25J11/00 , B25J19/02 , B25J19/00
Abstract: 本发明提供一种用于刻蚀中的多功能机械手，包括：上臂；罩壳，设置在上臂下侧的一端、与上臂之间形成冷却腔室，所述罩壳底部设置与冷却腔室连通的进气口，所述罩壳侧部设置与冷却腔室连通的排气口；转轴，旋转密封连接于上臂，所述转轴的两端分别连接扇叶和转盘，所述扇叶隐藏在冷却腔室内，所述转盘位于上臂上侧，所述转轴与所述进气口偏心布置；感应件，设置在上臂上，用于感应晶圆上的缺口；刹车件，用于刹停或释放所述转轴；本申请使用同一气源实现晶圆转运过程中寻边和冷却，集寻边、冷却于一体，简化机械手结构，降低机械手厚度。
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公开(公告)号：CN116454014B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310702095.0
申请日：2023-06-14
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/683
Abstract: 本申请公开了一种晶圆夹持装置，包括托盘、旋转限位块和至少两组固定限位组件，一组固定限位组件包括两个固定限位块，固定限位块上设有托槽，旋转限位块上设有托台；固定限位块可以作为夹持的基准，以便于晶圆受夹于预设位置；旋转限位块能够通过转动改变其与固定限位组件之间的距离，以便于三个限位块夹持不同规格的晶圆；通过托槽和托台配合支撑晶圆，三个限位块能够抬起晶圆、从而避免晶圆的背面受到损害；通过增设固定限位组件，夹持装置能够夹持更多规格的晶圆；使得不同组的托槽处于不同高度，并使得远离旋转限位块的托槽位置更高，配合对应高度的托台，既能够稳定地支承晶圆、又能够避免被支承的晶圆受到其他组固定限位组件的干涉。
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公开(公告)号：CN116169085A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211616704.2
申请日：2022-12-15
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/687 , H01L21/677 , H01L21/67
Abstract: 本申请公开了一种可升降的载片装置以及升降控制方法，所述可升降的载片装置包括载片台、驱动组件、顶针组件、升降组件。本申请提供了一种可升降的载片装置以及升降控制方法，该载片装置中载片台的高度可以根据实际工艺需求进行灵活调节以实现单腔体多工艺的兼容，能有效提高生产效率以及节省设备购买成本，另外，该装置还可以实现单腔体不同层不同材料的刻蚀，在各层切换时，调节各层材料的最佳工艺位置，提高刻蚀均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118919392A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411405804.X
申请日：2024-10-10
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本申请公开了一种多重磁场刻蚀装置，包括工作腔、载台、线圈、第一磁组和至少两层第二磁组，第一磁组和第二磁组均包括多个沿圆周方向间隔设置的永磁铁；线圈用作激发磁场，第一磁组用作约束磁场，第二磁组用作增强磁场；激发磁场促进等离子体生成，约束磁场将电子约束在线圈周围、即便于电子离化气体原子、又能够避免电子被腔壁引走，增强磁场能够提高晶圆附近的等离体子活性、加速晶圆刻蚀；本申请提供的刻蚀装置通过三重磁场配合，能够方便、有效地提高刻蚀效率，并保证刻蚀效果。
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公开(公告)号：CN118687830A
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202411170161.5
申请日：2024-08-26
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MFC校准方法，涉及半导体生产技术领域，所述方法包括如下步骤：步骤一：通过数据采集装置测量腔体内部实际温度以及压力，并通过测量实际的温度和压力计算出偏差率；步骤二：根据步骤一中计算的偏差率进行判断MFC是否合格；步骤三：若判断MFC不合格，对MFC在UI上的设置量程进行修改；步骤四：根据修改后的量程再次进行校准；步骤五：重复上述步骤，直至偏差率合格，判断该MFC合格通过，本发明能够精准有效检测MFC的达标情况，本申请中，能够自行计算纠正，直接进行后续的使用。
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公开(公告)号：CN117724458A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202410178410.9
申请日：2024-02-09
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种Etch设备自动监控和故障解决方法及系统，属于半导体制造技术领域。方法包括：设备调试监控步骤、工艺调试监控步骤、生产制成监控步骤、故障排除步骤。本发明能够24小时全方位监控每一台刻蚀设备，并与UI系统连接以自动解决Etch设备使用过程中出现的各种问题。与其他自动解决问题的方法不同，本发明无需工程师录入各种问题解决代码后让程序根据Error去搜索及执行命令，当一个Error发生时，本方法会访问UI系统中各个腔体组成模块，逐个获取元件状态，再根据已设定的参数条件，自动完善解决问题，从而避免一些并不影响工艺实际流程和品质的非硬件故障打断工艺流程，减少不必要的时间损耗，提高制造效率。
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公开(公告)号：CN116190282A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310443781.0
申请日：2023-04-24
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/02 , H01L21/311 , H01L21/66
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置、检测刻蚀均匀度的方法及均匀刻蚀晶圆的方法，刻蚀装置包括刻蚀腔，刻蚀腔上设有第一进气通道、第二进气通道和出气通道，第一进气通道和第二进气通道的出气端高于晶圆，出气通道低于晶圆，通过第一进气通道输入工艺气体、第二进气通道输入辅助气体，能够提高晶圆刻蚀的均匀性；检测刻蚀均匀度的方法通过在晶圆表面确定九个测试点，检测九个测试点的刻蚀速率后，通过公式(Max‑Min)/2Avg计算晶圆的刻蚀均匀性，由此确认晶圆的刻蚀情况；均匀刻蚀晶圆的方法通过反应气体促进晶圆边缘反应、惰性气体妨碍晶圆边缘反应，从而提高晶圆刻蚀的均匀性。
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公开(公告)号：CN114496777A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202210026734.1
申请日：2022-01-11
Applicant: 无锡尚积半导体科技有限公司
IPC: H01L21/311
Abstract: 本发明公开了一种用于晶圆的胶刻蚀方法，涉及刻蚀技术领域。胶刻蚀方法包括：将所述晶圆置于预设腔体中；将所述预设腔体的温度调节至预设温度，并向所述预设腔体中充入惰性气体；采用第一预设射频波轰击所述晶圆，同时采用第二预设射频波与所述第一预设射频波配合形成向下的牵引，以去除所述遮挡层。通过本发明，能够提升刻蚀的均匀性。
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