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公开(公告)号：CN111799359A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010211829.1
申请日：2020-03-24
申请人： 日亚化学工业株式会社
发明人： 北滨俊
摘要： 提供一种能够使光取出效率提高的发光元件。p侧电极具有极板部和从极板部在第一方向上连续的延伸部。透光性导电膜的开口部具有第一开口部和第二开口部。第一开口部的宽度在与第一方向正交的第二方向上比第二开口部的宽度小。p侧电极的延伸部的宽度在第二方向上比第二开口部的宽度小。在第二方向上，透光性导电膜中与配置有第一开口部的区域邻接设置的透光性导电膜与p侧电极的延伸部电连接。
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公开(公告)号：CN118867063A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410505474.5
申请日：2024-04-25
申请人： 日亚化学工业株式会社
发明人： 北滨俊
摘要： 本发明提供一种发光元件的制造方法以及发光元件，能够在减少透光性导电层中的光吸收的同时，以更高的可靠性将透光性导电层与导电层电连接。发光元件的制造方法具备：准备半导体结构体的工序，该半导体结构体具有n侧半导体层、位于n侧半导体层之上的有源层和位于有源层之上的p侧半导体层；形成透光性导电层的工序，该透光性导电层具有形成在p侧半导体层的上表面的一部分上的第一层、和覆盖p侧半导体层的上表面以及第一层的第二层；形成覆盖第二层的绝缘膜的工序；通过去除在俯视观察下与第一层重叠的区域的绝缘膜并在绝缘膜中形成第一开口，使透光性导电层从绝缘膜露出的工序；在第一开口中，形成与透光性导电层电连接的第一导电层的工序。
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公开(公告)号：CN108206226B
公开(公告)日：2022-12-13
申请号：CN201711347059.8
申请日：2017-12-15
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。
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公开(公告)号：CN108206226A
公开(公告)日：2018-06-26
申请号：CN201711347059.8
申请日：2017-12-15
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L33/0095 , H01L21/268 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/145 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L33/44 , H01L2933/0025 , H01L33/14
摘要： 一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。
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公开(公告)号：CN115863494A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211539888.7
申请日：2017-12-15
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 一种发光元件的制造方法及发光元件，能减轻漏电流的产生。发光元件的制造方法具有：准备从下方朝向上方依次具有衬底、含有n型杂质的n侧氮化物半导体层、含有p型杂质的p侧氮化物半导体层的半导体晶片的工序；通过对衬底照射激光，在衬底上形成加工改性部的工序；通过分割衬底上形成有加工改性部的半导体晶片，得到多个发光元件的工序，其中，在准备半导体晶片的工序和在衬底上形成加工改性部的工序之间依次具有：在p侧氮化物半导体层的上表面的包含成为多个发光元件的区域的边界的区域形成保护层的工序；通过对半导体晶片进行退火，在未形成保护层的区域使p侧氮化物半导体层低电阻化的工序。
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公开(公告)号：CN114156386A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202111043019.0
申请日：2021-09-07
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 提供具有更高的输出以及可靠性的发光元件。发光元件：具备半导体层叠体，具有第一导电型的第一半导体层、第二导电型的第二半导体层以及位于第一半导体层与第二半导体层之间的活性层；反射部，其包含设于第一半导体层上且具有绝缘性的第一层、设于第一层上且由金属材料构成的第二层以及设于第二层上的第三层；覆盖反射部而设置的绝缘层；设于绝缘层上与第一半导体层上的透光性导电层；设于位于反射部的上方的透光性导电层上的第一电极；以及设于第二半导体层上的第二电极。
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公开(公告)号：CN111799359B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202010211829.1
申请日：2020-03-24
申请人： 日亚化学工业株式会社
发明人： 北滨俊
摘要： 提供一种能够使光取出效率提高的发光元件。p侧电极具有极板部和从极板部在第一方向上连续的延伸部。透光性导电膜的开口部具有第一开口部和第二开口部。第一开口部的宽度在与第一方向正交的第二方向上比第二开口部的宽度小。p侧电极的延伸部的宽度在第二方向上比第二开口部的宽度小。在第二方向上，透光性导电膜中与配置有第一开口部的区域邻接设置的透光性导电膜与p侧电极的延伸部电连接。
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公开(公告)号：CN105932132B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201610104192.X
申请日：2016-02-25
申请人： 日亚化学工业株式会社
摘要： 本发明的目的在于提供一种进一步降低电流密度分布的偏差的发光元件。本发明实施方式的发光元件(1)具备平面形状为五边形以上的多边形的半导体层(5)和设于半导体层(5)上的第一电极(6)及第二电极(7)，第一电极(6)具有：第一焊盘部(7a)；沿着在与多边形的重心相同的位置具有中心且第一焊盘部(7a)在内侧相接的假想圆从第一焊盘部(7a)延伸的第一延伸部(7b)；从第一焊盘部(7a)沿着假想圆向第一延伸部(7b)相反侧延伸的第二延伸部(7b)。
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公开(公告)号：CN105932132A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201610104192.X
申请日：2016-02-25
申请人： 日亚化学工业株式会社
CPC分类号： H01L33/387 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/62 , H01L33/36
摘要： 本发明的目的在于提供一种进一步降低电流密度分布的偏差的发光元件。本发明实施方式的发光元件(1)具备平面形状为五边形以上的多边形的半导体层(5)和设于半导体层(5)上的第一电极(6)及第二电极(7)，第一电极(6)具有：第一焊盘部(7a)；沿着在与多边形的重心相同的位置具有中心且第一焊盘部(7a)在内侧相接的假想圆从第一焊盘部(7a)延伸的第一延伸部(7b)；从第一焊盘部(7a)沿着假想圆向第一延伸部(7b)相反侧延伸的第二延伸部(7b)。
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