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公开(公告)号：CN104752598A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410815722.2
申请日：2014-12-24
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L2224/4813 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供一种生产性与散热性的平衡良好的发光装置。发光装置(100)构成为，在半导体发光元件(1)的设置有p侧电极(15)及n侧电极(13)的一方的面侧层叠了支撑体(3)，在另一方的面侧层叠了荧光体层(2)。支撑体(3)具备：树脂层(31)；在与树脂层(31)的半导体发光元件(1)相接的面的相反侧的面露出的p侧外部连接用电极(34p)及n侧外部连接用电极(34n)；和设置在树脂层(31)内、且分别电连接p侧电极(15)与p侧外部连接用电极(34p)之间以及n侧电极(13)与n侧外部连接用电极(34n)之间的内部布线。内部布线分别串联连接了金属线(32p)及金属镀层(33p)、金属线(32n)及金属镀层(33n)。
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公开(公告)号：CN100499299C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200510056281.3
申请日：2005-04-04
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01S5/1082 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 一种氮化物半导体激光元件，是在氮化物半导体基板的主面上具有第1导电型的氮化物半导体层、活性层、导电型不同于第1导电型的第2导电型的氮化物半导体层、和形成在所述第2导电型的氮化物半导体层上的条纹状的隆起部，所述氮化物半导体基板的主面上，相对于基准结晶面，至少在与所述条纹状的隆起部大致平行的方向上具有偏角a(θa)，或者与该偏角a(θa)大致垂直的方向上具有偏角b(θb)。本发明的目的是在宽范围的波长带中，使氮化物半导体层的组成分布、例如活性层的结晶性和In含量均匀，从而提供一种寿命特性和元件特性更加优良的元件。
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公开(公告)号：CN104124319B
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：CN201410171732.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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公开(公告)号：CN1513222A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN02810758.6
申请日：2002-05-31
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01S5/22
CPC classification number: H01S5/22 , B82Y20/00 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/0286 , H01S5/1082 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01S5/34333 , H01S2301/18
Abstract: 本发明提供一种半导体激光元件。包含依次叠层第一导电型半导体层、活性层及与第一导电型不同的第二导电型半导体层的结构体，该叠层结构体具有使光向一方向传播的波导路区域和位于两端的激光振荡用谐振器面，所述叠层结构体在一端侧具有区别于所述谐振器面的且包含活性层截面而形成的非谐振器面，该非谐振器面的活性层截面由遮光层所覆盖。由此，可实现在高输出动作时，可获得不存在波纹、并接近高斯分布的良好的FFP的半导体激光元件。
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公开(公告)号：CN104752598B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201410815722.2
申请日：2014-12-24
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L2224/4813 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供一种生产性与散热性的平衡良好的发光装置。发光装置(100)构成为，在半导体发光元件(1)的设置有p侧电极(15)及n侧电极(13)的一方的面侧层叠了支撑体(3)，在另一方的面侧层叠了荧光体层(2)。支撑体(3)具备：树脂层(31)；在与树脂层(31)的半导体发光元件(1)相接的面的相反侧的面露出的p侧外部连接用电极(34p)及n侧外部连接用电极(34n)；和设置在树脂层(31)内、且分别电连接p侧电极(15)与p侧外部连接用电极(34p)之间以及n侧电极(13)与n侧外部连接用电极(34n)之间的内部布线。内部布线分别串联连接了金属线(32p)及金属镀层(33p)、金属线(32n)及金属镀层(33n)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104124319A
公开(公告)日：2014-10-29
申请号：CN201410171732.7
申请日：2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于，提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此，本发明的发光装置具有：半导体芯片，其包含p型半导体层和n型半导体层，在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光；p侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上；n侧衬垫电极，其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上；树脂层，其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面；和p侧连接电极以及n侧连接电极，其配置在所述树脂层的外表面，且位于所述半导体芯片的上表面侧，所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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公开(公告)号：CN102760814A
公开(公告)日：2012-10-31
申请号：CN201210125497.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/0345 , H01L2224/03472 , H01L2224/0401 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/13007 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。
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公开(公告)号：CN100502060C
公开(公告)日：2009-06-17
申请号：CN200410005806.6
申请日：2004-02-19
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/28575 , H01L29/2003 , H01L29/452 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01S5/0425 , H01S5/22
Abstract: 一种低电阻、具有可靠性优良的电极结构的氮化物半导体元件，在半导体层上，具有欧姆接触的第1电极及连接在其上面的、由不同于第1电极的形状构成的第2电极，其特征在于：第1电极和上述第2电极具有由形成第1电极表面的第1电极的上层和沉积在热处理后的第1电极上的第2电极的下层构成的接合层区，接合层区由铂族元素构成。
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公开(公告)号：CN101290928A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810091998.5
申请日：2008-04-15
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L25/00 , H01L25/075 , H01L33/00
Abstract: 本发明提供一种发光装置，包括：半导体发光元件，其在透光性基板上依次设置第一导电型的第一半导体层和第二导电型的第二半导体层，在第一半导体层的露出部设置有第一电极，在第二半导体层设置有第二电极；和支撑基板，其载置半导体发光元件；半导体发光元件俯视下为矩形，至少具有第一边和与第一边不同的第二边，从第一边侧的元件端面射出的光比从第二边侧的元件端面射出的光更强，两个以上的半导体发光元件按照第一边相互大致平行且相对的方式以列状被倒装片安装在支撑基板上。由此，能有效地对从半导体发光元件的端面射出的光进行反射，提高发光装置的光取出效率。
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公开(公告)号：CN102760814B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210125497.0
申请日：2012-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L24/03 , H01L24/04 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/382 , H01L33/405 , H01L33/44 , H01L2224/0345 , H01L2224/03472 , H01L2224/0401 , H01L2224/05564 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05669 , H01L2224/06102 , H01L2224/11462 , H01L2224/13007 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2933/0016 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供具有厚膜的金属凸块且可靠性高的倒装片式安装型的氮化物半导体发光元件和提高了生产率的其制造方法。氮化物半导体发光元件(1)中，在氮化物半导体发光元件结构(10b)上将具有开口部(30a、30b)的第1抗蚀图形(30)作为掩蔽而除去保护层(20)后，不除去第1抗蚀图形(30)而形成成为n侧电极(21)、p侧电极(22)的第1金属层(25)。接着，不除去第1抗蚀图形(30)而在开口部(30a、30b)上形成具有开口部(31a、31b)的第2抗蚀图形(31)，通过将第1金属层(25)作为电极的电镀而形成成为金属凸块(23、24)的第2金属层(26a、26b)。其后，除去第2抗蚀图形(31)和第2抗蚀图形(32)。(10)的n侧电极连接面(10a)上和p侧电极连接面
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