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公开(公告)号：CN107108463A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201680004485.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C213/10 , C07C213/02 , C07C219/32 , C07D307/58
CPC classification number: C07C213/02 , C07C213/10 , C07C219/32 , C07D307/58
Abstract: 本发明提供反应混合物中的锡化合物的简便且有效的处理方法。一种制造化合物B的方法，其特征在于，在基于反应式(1)以化合物A作为原料并使用氯化亚锡进行反应来制造化合物B的方法中，包括下述提纯工序：使进行了上述反应的反应液接触包含苯环的化合物与氢氧化钾水溶液的混合液而进行分液，从所得有机层中得到化合物B。(化合物A可以是单一化合物，也可以是多种化合物的混合物。)
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公开(公告)号：CN107108540B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201580058217.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/38 , C07D307/42 , C07B61/00
CPC classification number: C07D307/38 , C07B61/00 , C07D307/42
Abstract: 提供用于以良好的收率廉价地制造液晶表示元件等中使用的光聚合性化合物的新型制造方法和新型中间体化合物。一种式(1)所示化合物的制造方法，其中，使式(A)所示化合物与式(C)在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应；一种式(2‑A)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)所示化合物与式(D)所示化合物在碱的存在下发生反应；以及，式(1)所示化合物、式(2‑A)所示化合物等。(式中，n表示1或2，J1、J2表示卤素原子，R表示碳原子数1～6的烷基，Y1表示‑SO2‑R2，R表示烃基。)
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公开(公告)号：CN102971288B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201180032682.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C273/18 , C07C275/24 , C07B61/00
CPC classification number: C07C273/1809 , C07C273/1854 , C07C275/24
Abstract: 容积效率高、副产物少，以高纯度、高收率制造目标物二氨基苯基烷基脲。在碱存在下使下式（1）所示的（硝基苯基）烷基胺氢卤酸盐和下式（2）所示的羰基化合物在酰胺类溶剂中发生缩合反应从而制造下式（3）所示的硝基化合物，接着，使得到的上述硝基化合物在低级醇溶剂中发生还原反应，由此制造式（4）所示的二氨基苯基烷基脲。
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公开(公告)号：CN102971288A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032682.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C273/18 , C07C275/24 , C07B61/00
CPC classification number: C07C273/1809 , C07C273/1854 , C07C275/24
Abstract: 容积效率高、副产物少，以高纯度、高收率制造目标物二氨基苯基烷基脲。在碱存在下使下式（1）所示的（硝基苯基）烷基胺氢卤酸盐和下式（2）所示的羰基化合物在酰胺类溶剂中发生缩合反应从而制造下式（3）所示的硝基化合物，接着，使得到的上述硝基化合物在低级醇溶剂中发生还原反应，由此制造式（4）所示的二氨基苯基烷基脲。
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公开(公告)号：CN107209460B
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN201680007509.6
申请日：2016-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , C08G77/44 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，用于形成可以作为硬掩膜使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含选自式(1)、式(2)和式(3)所示的水解性硅烷中的至少一种水解性硅烷。本发明的解决方法还涉及一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序，在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序，在前述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂膜形成用组合物，形成抗蚀剂膜的工序，将前述抗蚀剂膜进行曝光和显影，获得抗蚀剂图案的工序，然后依次进行蚀刻的工序。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107108541B
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201580058138.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/42 , C07B61/00
Abstract: 提供以良好的收率廉价地制造对于液晶表示元件而言有用的聚合性化合物的新型方法。一种式(3)(n表示下述意义)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)(n为1～10的整数，PG是碳原子数为1～2的二烷基缩醛基、1,3‑二噁烷基或1,3‑二氧戊环基，Ar1为亚联苯基等)所示化合物与式(2)(R为碳原子数1～6的烷基)所示化合物在金属锡或含锡化合物和在钯催化剂的存在下在酸性条件下发生反应。
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公开(公告)号：CN107108463B
公开(公告)日：2019-05-17
申请号：CN201680004485.9
申请日：2016-01-13
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C213/10 , C07C213/02 , C07C219/32 , C07D307/58
Abstract: 本发明提供反应混合物中的锡化合物的简便且有效的处理方法。一种制造化合物B的方法，其特征在于，在基于反应式(1)以化合物A作为原料并使用氯化亚锡进行反应来制造化合物B的方法中，包括下述提纯工序：使进行了上述反应的反应液接触包含苯环的化合物与氢氧化钾水溶液的混合液而进行分液，从所得有机层中得到化合物B。(化合物A可以是单一化合物，也可以是多种化合物的混合物。)
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公开(公告)号：CN107209460A
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201680007509.6
申请日：2016-01-25
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/14 , C08G77/44 , G03F7/40 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供，用于形成可以作为硬掩膜使用的抗蚀剂下层膜的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。本发明的解决方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含选自式(1)、式(2)和式(3)所示的水解性硅烷中的至少一种水解性硅烷。本发明的解决方法还涉及一种半导体装置的制造方法，包括下述工序：在半导体基板上形成有机下层膜的工序，在该有机下层膜上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物，进行烧成，形成抗蚀剂下层膜的工序，在前述抗蚀剂下层膜上涂布抗蚀剂膜形成用组合物，形成抗蚀剂膜的工序，将前述抗蚀剂膜进行曝光和显影，获得抗蚀剂图案的工序，然后依次进行蚀刻的工序。
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公开(公告)号：CN107108540A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580058217.0
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/38 , C07D307/42 , C07B61/00
CPC classification number: C07D307/38 , C07B61/00 , C07D307/42
Abstract: 提供用于以良好的收率廉价地制造液晶表示元件等中使用的光聚合性化合物的新型制造方法和新型中间体化合物。一种式(1)所示化合物的制造方法，其中，使式(A)所示化合物与式(C)在金属锡或含锡化合物的存在下在酸性条件下发生反应；一种式(2‑A)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)所示化合物与式(D)所示化合物在碱的存在下发生反应；以及，式(1)所示化合物、式(2‑A)所示化合物等。(式中，n表示1或2，J1、J2表示卤素原子，R表示碳原子数1～6的烷基，Y1表示‑SO2‑R2，R表示烃基。)
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公开(公告)号：CN107108541A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201580058138.X
申请日：2015-10-30
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D307/42 , C07B61/00
Abstract: 提供以良好的收率廉价地制造对于液晶表示元件而言有用的聚合性化合物的新型方法。一种式(3)(n表示下述意义)所示化合物的制造方法，其中，使式(1)(n为1～10的整数，PG是碳原子数为1～2的二烷基缩醛基、1,3‑二噁烷基或1,3‑二氧戊环基，Ar1为亚联苯基等)所示化合物与式(2)(R为碳原子数1～6的烷基)所示化合物在金属锡或含锡化合物和在钯催化剂的存在下在酸性条件下发生反应。
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