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公开(公告)号：CN107075302B
公开(公告)日：2020-08-04
申请号：CN201580059708.7
申请日：2015-11-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D183/00 , C07F7/18 , C08G77/14 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有固化性、埋入性等良好的效果的膜形成用组合物、用于半导体装置的光刻工序的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种膜形成用组合物，其含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)：[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，且R1通过Si‑C键与硅原子键合。]表示的水解性硅烷。膜形成用组合物为光刻工序中所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜，其是通过在半导体基板上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物并烧成而得到的。
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公开(公告)号：CN105324720B
公开(公告)日：2020-01-03
申请号：CN201480035763.8
申请日：2014-06-24
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明提供一种升华物的产生少，涂布于具有孔图案的基板时埋入性良好，具有高干蚀刻耐性、摆动耐性、耐热性等的光刻工序所使用的抗蚀剂下层膜，以及使用了该抗蚀剂下层膜的半导体装置的制造方法。作为解决本发明课题的方法为一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含树脂、以及下述式(1)或式(2)：(式中，Q1表示单键或m1价的有机基团，R1和R4分别表示碳原子数2～10的烷基、或具有碳原子数1～10的烷氧基的碳原子数2～10的烷基，R2和R5分别表示氢原子或甲基，R3和R6分别表示碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基。)所示的交联性化合物。
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公开(公告)号：CN107849190A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201680043687.4
申请日：2016-08-12
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C08F220/30 , C08F230/08 , C08F290/06 , C08G77/20 , G02B1/04
Abstract: 本发明的课题在于提供一种聚合性组合物，其适合于制作可维持高折射率及低阿贝数、进而抑制因高温热历程而产生的尺寸变化的成形物。解决手段为一种聚合性组合物、将该聚合性组合物固化而成的固化物，所述聚合性组合物包含(a)特定的反应性倍半硅氧烷化合物100质量份、(b)特定的芴化合物10～500质量份及(c)特定的芳香族乙烯基化合物1～100质量份。
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公开(公告)号：CN107003613A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201580065977.4
申请日：2015-12-04
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G77/26 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/11 , C08G77/26 , C08G2261/135 , C08G2261/3142 , C08G2261/3241 , C08G2261/76 , C09D165/00 , C09D183/08 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0752 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/26 , G03F7/38 , H01L21/0274 , H01L21/3081 , H01L21/3086 , H01L21/31133 , H01L21/31144
Abstract: 本发明的课题是提供可以作为硬掩模使用的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物。通过含有三卤代乙酰胺骨架，从而可以提高图案分辨率。作为解决本发明课题的方法涉及一种光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物、其水解缩合物、或它们的组合，该水解性硅烷包含具有含卤素的羧酸酰胺基的硅烷。
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公开(公告)号：CN117008420A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202311113264.3
申请日：2016-06-07
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供下述感放射线性组合物，其将显示酚醛塑料交联反应性的硅氧烷聚合物作为基础树脂，其分辨率优异，且能够高精度地形成所期望形状的图案。本发明的解决方法是一种感放射线性组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物、以及光产酸剂，该水解性硅烷包含式(1)和式(2)所示的水解性硅烷。R1aR2bSi(R3)4‑(a+b) 式(1)〔式(1)中，R1是式(1‑2)所示的有机基团，且R1通过Si‑C键或Si‑O键与硅原子结合。R2表示有机基团。R3表示水解性基团。〕R7cR8dSi(R9)4‑(c+d) 式(2)〔式(2)中，R7是式(2‑1)所示的有机基团，且R7通过Si‑C键与硅原子结合。R8是有机基团，且R8通过Si‑C键与硅原子结合。R9表示水解性基团。〕#imgabs0#
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107075302A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201580059708.7
申请日：2015-11-09
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C09D183/00 , C07F7/18 , C08G77/14 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明的课题是提供一种具有固化性、埋入性等良好的效果的膜形成用组合物、用于半导体装置的光刻工序的抗蚀剂下层膜。解决手段是一种膜形成用组合物，其含有作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物，该水解性硅烷含有式(1)：[式(1)中，R1为式(2)表示的有机基团，且R1通过Si‑C键与硅原子键合。]表示的水解性硅烷。膜形成用组合物为光刻工序中所使用的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜，其是通过在半导体基板上涂布抗蚀剂下层膜形成用组合物并烧成而得到的。
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公开(公告)号：CN102971288B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201180032682.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C273/18 , C07C275/24 , C07B61/00
CPC classification number: C07C273/1809 , C07C273/1854 , C07C275/24
Abstract: 容积效率高、副产物少，以高纯度、高收率制造目标物二氨基苯基烷基脲。在碱存在下使下式（1）所示的（硝基苯基）烷基胺氢卤酸盐和下式（2）所示的羰基化合物在酰胺类溶剂中发生缩合反应从而制造下式（3）所示的硝基化合物，接着，使得到的上述硝基化合物在低级醇溶剂中发生还原反应，由此制造式（4）所示的二氨基苯基烷基脲。
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公开(公告)号：CN102971288A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201180032682.9
申请日：2011-04-26
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07C273/18 , C07C275/24 , C07B61/00
CPC classification number: C07C273/1809 , C07C273/1854 , C07C275/24
Abstract: 容积效率高、副产物少，以高纯度、高收率制造目标物二氨基苯基烷基脲。在碱存在下使下式（1）所示的（硝基苯基）烷基胺氢卤酸盐和下式（2）所示的羰基化合物在酰胺类溶剂中发生缩合反应从而制造下式（3）所示的硝基化合物，接着，使得到的上述硝基化合物在低级醇溶剂中发生还原反应，由此制造式（4）所示的二氨基苯基烷基脲。
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公开(公告)号：CN107615168B
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN201680033392.9
申请日：2016-06-07
Applicant: 日产化学工业株式会社
Abstract: 本发明的课题是提供下述感放射线性组合物，其将显示酚醛塑料交联反应性的硅氧烷聚合物作为基础树脂，其分辨率优异，且能够高精度地形成所期望形状的图案。本发明的解决方法是一种感放射线性组合物，其包含作为硅烷的水解性硅烷、其水解物或其水解缩合物、以及光产酸剂，该水解性硅烷包含式(1)和式(2)所示的水解1 2 3 1性硅烷。RaRbSi(R)4‑(a+b) 式(1)〔,式(1)中，R是式(1‑2)所示的有机基团，且R1通过Si‑C键或Si‑O键与硅原子结合。R2表示有机基团。R3表示水解性基团。〕R7cR8dSi(R9)4‑(c+d) 式(2)〔,式(2)7 7中，R是式(2‑1)所示的有机基团，且R通过Si‑C键与硅原子结合。R8是有机基团，且R8通过Si‑C
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公开(公告)号：CN107406385A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680014766.2
申请日：2016-03-07
Applicant: 日产化学工业株式会社
IPC: C07D211/26 , C07B61/00
Abstract: 本发明提供作为用于制作液晶取向膜的聚酰亚胺系聚合物的原料等而有用的二胺化合物及其中间体的新型制造方法。使对氟硝基苯(D)与4-(氨基甲基)哌啶(E)在选自由二甲基乙酰胺、1,3-二甲基-2-咪唑烷酮、二甲基亚砜和N-甲基吡咯烷酮组成的组中的溶剂中发生反应，从而得到式(C)所示的化合物。通过将该化合物的氨基进行叔丁氧基羰基化，从而得到式(B)所示的化合物。进而，将该化合物还原而得到式(A)所示的化合物。
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