公开(公告)号：CN103151339B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201310046969.8

申请日：2013-02-08

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 钟旻华 ,  周泽川 ,  唐和明 ,  杨秉丰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开一种电容构造及其制作方法，所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上；所述复合材料层设于所述钽金属层上；以及所述第二金属层设于所述复合材料层上。所述复合材料层包含五氧化二钽基材，并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒。本发明通过一阳极氧化处理使所述钽金属层上形成一钽金属氧化层，再利用一钛塩溶液以及通过一加热过程形成所述复合材料层，以作为所述电容构造的介电材料层。相较现有干式制造方法使用沉积工艺需要较长的沉积时间及较高的设备与制造成本，本发明的湿式制造方法可节省电容的制作时间及降低成本，且能相对提升电容构造的电性表现。

公开(公告)号：CN103151339A

公开(公告)日：2013-06-12

申请号：CN201310046969.8

申请日：2013-02-08

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 钟旻华 ,  周泽川 ,  唐和明 ,  杨秉丰

IPC: H01L23/64 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明公开一种电容构造及其制作方法，所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上；所述复合材料层设于所述钽金属层上；以及所述第二金属层设于所述复合材料层上。所述复合材料层包含五氧化二钽基材，并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒。本发明通过一阳极氧化处理使所述钽金属层上形成一钽金属氧化层，再利用一钛塩溶液以及通过一加热过程形成所述复合材料层，以作为所述电容构造的介电材料层。相较现有干式制造方法使用沉积工艺需要较长的沉积时间及较高的设备与制造成本，本发明的湿式制造方法可节省电容的制作时间及降低成本，且能相对提升电容构造的电性表现。

公开(公告)号：CN106513375A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201510681637.6

申请日：2015-10-20

Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司

Inventor： 钟旻华 ,  杨秉丰 ,  邱咏达 ,  王建仁 ,  李秋雯 ,  魏致高

IPC: B08B3/12 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  C11D7/60 ,  C11D7/18 ,  C11D7/08

CPC classification number: B08B3/12 ,  B08B3/02 ,  B08B3/08 ,  C11D7/02 ,  C11D7/08

Abstract: 本发明有关于一种清洗装置、清洗待清洗工件的方法以及清洗IC衬底传送滚轮的清洗液及方法。所述清洗装置包含第一槽、第二槽、第三槽及第四槽，其中所述第一槽包含第一槽体及至少一个第一超声波震荡器，所述第二槽包含第二槽体及至少一个高压喷洗设备，所述第三槽包含第三槽体及至少一个第三超声波震荡器，所述第四槽包含第四槽体及至少一个第四超声波震荡器。