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公开(公告)号：CN105932004B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610317373.0
申请日：2013-09-05
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/373 , H01L21/60
Abstract: 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。
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公开(公告)号：CN106513375A
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：CN201510681637.6
申请日：2015-10-20
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明有关于一种清洗装置、清洗待清洗工件的方法以及清洗IC衬底传送滚轮的清洗液及方法。所述清洗装置包含第一槽、第二槽、第三槽及第四槽，其中所述第一槽包含第一槽体及至少一个第一超声波震荡器，所述第二槽包含第二槽体及至少一个高压喷洗设备，所述第三槽包含第三槽体及至少一个第三超声波震荡器，所述第四槽包含第四槽体及至少一个第四超声波震荡器。
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公开(公告)号：CN103441109B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310400313.1
申请日：2013-09-05
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/373 , H01L23/31 , H01L21/48
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/73253 , H01L2224/83101 , H01L2924/16152
Abstract: 本发明是关于一种半导体元件，半导体封装结构及其制造方法。该半导体元件包括一半导体晶粒、一背侧镀金属、一热介面材料及一第一介金属化合物。该背侧镀金属位于该半导体晶粒的一表面。该热介面材料位于该背侧镀金属上，且包含铟锌合金。该第一介金属化合物位于该背侧镀金属及该热介面材料之间，且包含铟而不包含锌。藉此，在回焊工艺后，可增加接合效果及散热效果。
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公开(公告)号：CN104681530B
公开(公告)日：2017-09-26
申请号：CN201310610357.7
申请日：2013-11-26
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/768
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括第一基板、第一导电柱、第二基板、第二导电柱、电性连接元件及第一包覆体。第一导电柱形成于该第一基板上。第二基板与第一基板相对配置。第二导电柱形成于第二基板上。电性连接元件连接第一导电柱的第一端面与第二导电柱的第二端面，第一端面与第二端面之间形成一间隔。第一包覆体形成于第一基板与第二基板之间并包覆第一导电柱、第二导电柱与电性连接元件。其中，第一导电柱、第二导电柱与电性连接元件构成单一导电柱。
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公开(公告)号：CN102800641B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201210278913.0
申请日：2012-08-07
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/16
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/00
Abstract: 本发明关于一种半导体覆晶接合结构及方法。该半导体覆晶接合结构包括一第一半导体元件、一第一介金属化合物、一第二半导体元件、一第二介金属化合物及一焊料层。该第一介金属化合物邻接于该第一半导体元件的金属柱。该第二介金属化合物邻接于该第二半导体元件的电性接点。该焊料层位于该第一介金属化合物及该第二介金属化合物之间。藉此，可有效提高可靠度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576553A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310514885.2
申请日：2013-10-28
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体封装件、封装树脂、封胶与其制造方法。半导体封装件包括基板、芯片及封胶。芯片，设于该基板上。封胶，形成于该基板上且包覆该芯片且包括封装树脂及包覆体。封装树脂包括封装树脂颗粒及氯离子，其中氯离子游离于封装树脂颗粒中。封装树脂的氯离子的浓度小于8ppm，而包覆体与封装树脂混合。
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公开(公告)号：CN102543948A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201210028258.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括基板及电容结构。电容结构包括第一导电层、第二导电层及介电层。第一导电层形成于基板上。第二导电层具有一侧面。介电层形成于第一导电层与第二导电层之间，且具有一侧面，介电层的侧面与第二导电层的侧面间隔一距离。
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公开(公告)号：CN1940518A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200510105924.9
申请日：2005-09-30
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 一种掉落冲击试验的测试方法，包括下列步骤：首先，放置掉落台于固定架上，该掉落台具有第一表面以及对应之第二表面，且该掉落台还具有夹具，其固定于该第一表面上。接着，将芯片封装体放置于掉落台之第一表面上，并以夹具施压于该芯片封装体之焊球所在的表面。让掉落台由一高度往下掉落，该掉落台以第二表面撞击至冲击平台，且芯片封装体受夹具施压而未产生跳动，用以测试芯片封装体上之焊球的接合强度。
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公开(公告)号：CN108417541B
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN201710692396.4
申请日：2017-08-14
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种半导体封装包含衬底、半导体芯片和散热结构。所述半导体芯片包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，以及安置为邻近于所述第一表面的至少一个芯片垫。所述芯片垫电连接到所述衬底。所述散热结构安置为邻近于所述半导体芯片的所述第二表面以及所述衬底的一部分。所述散热结构的面积大于所述半导体芯片的面积。
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公开(公告)号：CN108417541A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201710692396.4
申请日：2017-08-14
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/367
Abstract: 一种半导体封装包含衬底、半导体芯片和散热结构。所述半导体芯片包含第一表面、与所述第一表面相对的第二表面，以及安置为邻近于所述第一表面的至少一个芯片垫。所述芯片垫电连接到所述衬底。所述散热结构安置为邻近于所述半导体芯片的所述第二表面以及所述衬底的一部分。所述散热结构的面积大于所述半导体芯片的面积。
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