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公开(公告)号：CN105977223A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610458679.8
申请日：2012-03-01
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2924/15162 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2924/00 , H01L23/31 , H01L21/56
Abstract: 本发明是关于一种不规则形状的封装结构及其制造方法。该封装结构包括一基板、一管芯及一封胶。该管芯附着至该基板的一表面，且电性连接至该基板。该封胶包覆该管芯，具有至少一封胶缺口。如此，其它组件可置放于该封胶缺口，或者该封装结构可对应于电路板边缘的缺口而设置。
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公开(公告)号：CN103151339B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201310046969.8
申请日：2013-02-08
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种电容构造及其制作方法，所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上；所述复合材料层设于所述钽金属层上；以及所述第二金属层设于所述复合材料层上。所述复合材料层包含五氧化二钽基材，并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒。本发明通过一阳极氧化处理使所述钽金属层上形成一钽金属氧化层，再利用一钛塩溶液以及通过一加热过程形成所述复合材料层，以作为所述电容构造的介电材料层。相较现有干式制造方法使用沉积工艺需要较长的沉积时间及较高的设备与制造成本，本发明的湿式制造方法可节省电容的制作时间及降低成本，且能相对提升电容构造的电性表现。
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公开(公告)号：CN102738073A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201210163526.2
申请日：2012-05-24
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明公开一种间隔件及其制造方法。所述间隔件包含一光刻胶型封胶体，具有一第一表面以及一第二表面，并包含数个通孔以及数个导电柱。所述通孔贯穿所述第一表面与第二表面，所述导电柱对应填充于所述通孔中。所述间隔件另包含一第一图案化线路层及一第二图案化线路层，分别形成于所述封胶体的第一及第二表面。所述第二图案化线路层通过所述导电柱电性连接至所述第一图案化线路层，其中所述光刻胶型封胶体包含光刻胶材料、环氧树脂以及填充颗粒，且所述填充颗粒的直径小于两个相邻所述导电柱的间距的三分之一。
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公开(公告)号：CN102664173A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210116996.3
申请日：2012-04-20
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60
CPC classification number: H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/45609 , H01L2224/48 , H01L2224/4809 , H01L2224/48465 , H01L2224/78 , H01L2224/78301 , H01L2224/8302 , H01L2224/85 , H01L2224/8502 , H01L2224/85181 , H01L2224/85395 , H01L2224/85801 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/10329 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01033 , H01L2924/00014
Abstract: 一种用于半导体装置的导线构造及其制造方法，所述导线构造包括先加热一含铟材料，使所述含铟材料熔化形成一含铟焊球；并提供一铜导线，所述铜导线具有一前端；以及，使所述铜导线的前端与所述含铟焊球相结合，以构成一导线构造。所述铜导线通过所述含铟焊球的媒介而结合在一芯片的一接垫上，因此可确保所述接垫的结构完整性，以便提升铜导线的打线工艺的加工质量及良率。
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公开(公告)号：CN101872762A
公开(公告)日：2010-10-27
申请号：CN200910137039.7
申请日：2009-04-21
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L27/00 , H01L23/48 , H01L23/488
CPC classification number: H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4845 , H01L2224/48465 , H01L2224/78301 , H01L2224/83365 , H01L2224/85 , H01L2924/01047 , H01L2924/14 , H01L2924/3651 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种晶圆定义有数个数组式排列的芯片。每一芯片包含至少一铝制接垫及一中间材料。该中间材料覆盖该铝制接垫，并固定于该铝制接垫上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101777502A
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：CN200910003642.6
申请日：2009-01-13
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2924/15311 , H01L2924/18161 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开一种倒装芯片封装方法，其至少包含下列步骤：首先，提供一包含有至少一基板单元的基板条；接着，设置至少一芯片于所述基板单元，所述芯片电性连接所述基板单元；之后，设置一模板于所述基板条的一上表面，所述模板与所述基板条之间具有一气隙，所述模板具有至少一开口及一抽气槽孔，所述气隙连通所述开口及所述抽气槽孔，且所述芯片位于所述开口内；最后，形成一胶体于所述模板的所述开口以包覆所述芯片，并通过所述抽气槽孔及所述气隙进行抽真空，以防止空气被包覆于所述胶体中而形成气泡。
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公开(公告)号：CN101101885A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710139891.9
申请日：2007-07-26
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 一种打线机台，用以对一基板上的至少一第一芯片及一第二芯片同时进行打线。打线机台包括至少一第一打线头及一第二打线头、一驱动单元、一处理单元以及一数据库。驱动单元用以移动第一打线头及第二打线头，处理单元用以输出控制命令至驱动单元以控制第一打线头及第二打线头。数据库储存一操作参数数据，处理单元是根据操作参数数据控制第一打线头及第二打线头。
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公开(公告)号：CN102543909B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201210051256.6
申请日：2012-03-01
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
CPC classification number: H01L24/97 , H01L24/73 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/97 , H01L2924/12041 , H01L2924/15162 , H01L2924/15311 , H01L2924/1815 , H01L2924/00012 , H01L2224/85 , H01L2924/00
Abstract: 本发明是关于一种不规则形状的封装结构及其制造方法。该封装结构包括一基板、一管芯及一封胶。该管芯附着至该基板的一表面，且电性连接至该基板。该封胶包覆该管芯，具有至少一封胶缺口。如此，其它组件可置放于该封胶缺口，或者该封装结构可对应于电路板边缘的缺口而设置。
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公开(公告)号：CN103849795A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201210500479.6
申请日：2012-11-29
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种用于半导体装置的铜合金导线，所述铜合金导线包含20重量％至40重量％的锰、20重量％至30重量％的锌，或是20重量％至30重量％的锌及锰，及其余重量部分为铜。本发明通过在铜基材中加入上述特定重量比例且材料成本较低的锰及/或锌，可以改善铜导线与打线工艺相关的物化性质，例如降低线材熔点、改善线材的抗氧化性及抗腐蚀性，并使得线材在工作温度时具有更高的受热软化程度，同时也能降低导线材料成本。再者，由于铜合金导线的抗氧化性能的提升，故亦可在打线期间省略使用还原性保护气体，可以仅使用氮气，以避免发生工安问题。
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公开(公告)号：CN103151339A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310046969.8
申请日：2013-02-08
Applicant: 日月光半导体制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种电容构造及其制作方法，所述电容构造包含一第一金属层、一钽金属层、一复合材料层及一第二金属层。所述钽金属层设于所述第一金属层上；所述复合材料层设于所述钽金属层上；以及所述第二金属层设于所述复合材料层上。所述复合材料层包含五氧化二钽基材，并掺杂有二氧化钛复合材料颗粒。本发明通过一阳极氧化处理使所述钽金属层上形成一钽金属氧化层，再利用一钛塩溶液以及通过一加热过程形成所述复合材料层，以作为所述电容构造的介电材料层。相较现有干式制造方法使用沉积工艺需要较长的沉积时间及较高的设备与制造成本，本发明的湿式制造方法可节省电容的制作时间及降低成本，且能相对提升电容构造的电性表现。
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