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公开(公告)号:CN1224307C
公开(公告)日:2005-10-19
申请号:CN00104598.9
申请日:2000-03-31
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H05K9/0096 , B32B17/10174 , C03C17/36 , C03C17/3613 , C03C17/3639 , C03C17/3644 , C03C17/3676 , C03C2217/78 , C23C14/08 , C23C14/3414 , G02B5/285 , G02B5/287 , H01J2211/446
Abstract: 一种包括透明衬底和透光电磁波屏蔽膜的透光的电磁波滤波器,该屏蔽膜包括由2n+1(n≥1)层构成的叠层结构,在该叠层结构中至少两层介质层和至少一层银层交替叠层,并且首先在透明衬底上设置介质层,其中介质层的至少一层为在550nm波长时具有1.6至2.7的折射率的抗静电金属氧化物层,最好以金属氧化物例如含锡的氧化铟为靶在具有低氧含量的气氛下进行溅射来形成该透光的电磁波滤波器。电磁波滤波器有大的可见光透射率和低的近红外线透射率,没有针眼或污染,并具有抗潮热等的长久耐用性。
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公开(公告)号:CN1582404A
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN02822016.1
申请日:2002-11-06
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: G02B1/14 , C23C14/20 , G02B1/10 , G02B5/0833 , G02B5/0858 , G02F1/133553 , Y10T428/12569
Abstract: 一种在合成树脂上形成薄膜的方法,在合成树脂上形成金属保护层,并形成①半透过金属镜、②全反射金属镜或者③透明导电膜之一的薄膜。作为金属保护层的材料,优选选自Ti、Zr、Nb、Si、In以及Sn,用于确保合成树脂与薄膜之间的密合性的金属保护层的膜厚优选在1nm以上。另外,如果金属保护层的膜厚太厚,则金属保护层的光吸收会导致层压膜整体的透过率的下降,因此金属保护层的膜厚优选在5nm以下。本发明的目的在于提供在合成树脂上形成薄膜时可以比较简单地提高该合成树脂与薄膜之间的密合力的方法。
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公开(公告)号:CN1328269A
公开(公告)日:2001-12-26
申请号:CN01118751.4
申请日:2001-06-07
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: G02F1/1335
CPC classification number: G02F1/133553 , G02F2201/346
Abstract: 提供一种反射式液晶显示元件用基底,具有多层电介质膜(反射镜),其层数可比根据传统技术的少由此可在更短的时间内形成,并可在可见光范围内获得一期望平面的稳定的光学特性,此外还可防止用于反射引起的着色。该反射镜形成于一透光基底之上,其由一预定数目的交替层迭于所述透光基底上的高折射率第一透光膜和低折射率第二透光膜组成。
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公开(公告)号:CN1838355B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200610059891.3
申请日:2006-03-21
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: H01H13/70 , H01H13/702 , H01H13/704 , H01H13/718
CPC classification number: G06F3/0412
Abstract: 本发明提供一种触摸板,包括:第一透明衬底,在其一个表面上设置了透明导电膜;第二透明衬底,在其一个表面上设置了透明导电膜,所述第一衬底和所述第二衬底被互相平行地固定,以便所述透明导电膜互相相对;以及支撑部件,所述支撑部件插入在所述第一透明衬底与所述第二透明衬底之间,以便以预定距离相互分离;其中,在第一和第二透明衬底的至少一个的表面和相应透明导电膜之间形成四层的第一透明介质膜,在与其上形成了透明导电膜的表面相对的表面上形成了四层的第二透明介质膜。
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公开(公告)号:CN1807680A
公开(公告)日:2006-07-26
申请号:CN200610006348.7
申请日:2006-01-13
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C04B35/46 , C04B35/495 , C04B2235/3237 , C04B2235/3251 , C04B2235/3253 , C04B2235/96 , C04B2235/9607 , C23C14/083 , C23C14/3414
Abstract: 一种根据本发明的溅射靶,其包括含NbOx和TiOx的氧化物烧结体,其中靶子中Ti原子的丰度比为包括两端值的70%~90%。优选地,所述氧化物烧结体具有不高于10Ω·cm的比电阻值。优选地,所述氧化物烧结体具有不大于7×10-6/K的热膨胀系数,以及不低于10×10-4cal/mm·K·sec的热传导率。
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公开(公告)号:CN1282091A
公开(公告)日:2001-01-31
申请号:CN00121464.0
申请日:2000-07-24
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: C03C17/3435 , C23C14/0676 , C23C14/3414
Abstract: 提供了一种制造显示基板的方法,该方法能容易地控制形成在基板一个表面上的抗带电薄膜的表面电阻值,还提供了一种用上述方法制造的显示基板。上述薄膜这样形成;用金属氧化物制备一个靶标,以及在一种惰性气体和氮气的混合气体环境中利用该靶标以溅射法在基板的一个表面上形成一个金属氮氧化合物薄膜,其中环境中的惰性气体与氮气的混合比被调节得使薄膜具有希望的表面电阻值。
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公开(公告)号:CN1271784A
公开(公告)日:2000-11-01
申请号:CN00108625.1
申请日:2000-04-22
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H01J37/3429 , C23C14/027 , C23C14/352 , H01J37/3405
Abstract: 公开了一种淀积膜的方法,它消除现有技术中不能稳定地获得厚度方向具有一个成分浓度梯度并具有组分梯度的边界的涂敷膜,或者其中二个或多个成分共存为混合物的涂敷膜。在本方法中,成对紧靠着安放二个平面阴极,施加电压,同时交替地转换极性,以使得当结合到阴极之一的靶A被用作负电极时,结合到另一阴极的并且成分不同于靶A的靶B被用作正电极。当衬底在靶的前面通过并横过阴极时,用正离子同时轰击靶A和B。通过一个方向输送的溅射而淀积在厚度方向具有组分梯度边界的涂敷膜或具有由成分A的层和成分B的层组成的二层结构的涂敷膜。
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公开(公告)号:CN1535327A
公开(公告)日:2004-10-06
申请号:CN02802068.5
申请日:2002-07-30
Applicant: 日本板硝子株式会社
CPC classification number: H01J37/32761 , C23C14/3464 , H01J37/34 , H01J37/3444
Abstract: 一种溅射装置,包括:腔室,使成膜对象可移动地配置;多组阴极,以极性反转的两个为一组,设置在所述腔室内;以及多个AC阴极电源,分别连接到各组阴极,在施加交流电压使各组阴极同时放电时,使各自的输出频率及相位同步,使得各组阴极的放电没有干扰。由各输出的频率和相位同步的多个AC阴极电源将电压施加在多组阴极上。因此,即使在同一腔室内相邻配置、连接到各个不同的AC阴极电源上的多个阴极同时开始放电,放电也没有不稳定地摆动。
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公开(公告)号:CN1334769A
公开(公告)日:2002-02-06
申请号:CN99815987.5
申请日:1999-11-30
CPC classification number: B32B17/06 , C03C17/3417
Abstract: 本发明提供一种洗净后亲水性在极短的时间内达到恢复,并且,恢复的亲水性具有高的持久性的亲水性构件。在作为基体材料的玻璃板1的表面形成氧化锡(SnO2)膜2,在该氧化锡(SnO2)膜2的表面形成了作为上敷层的氧化硅(SiO2)膜3。作为玻璃板1,是以SiO2作为主要成分的钠玻璃,氧化锡膜(SnO2)2,例如,用CVD法制成,其厚度为10~800nm,表面的表面平均粗糙度(Ra)为0.5~25nm。另外,氧化硅(SiO2)膜3用溅射法制成,其厚度为0.1~100nm。然而,因氧化硅(SiO2)膜3在上述氧化锡(SnO2)膜2上形成,所以,氧化锡膜(SnO2)2的凹凸被原样转移,氧化硅(SiO2)膜3的表面的表面平均粗糙度(Ra)也是0.5~25nm。
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公开(公告)号:CN1309318A
公开(公告)日:2001-08-22
申请号:CN01104562.0
申请日:2001-02-16
Applicant: 日本板硝子株式会社
IPC: G02F1/133 , G02F1/1343
Abstract: 一种透明触摸屏基材,包括透明基材以及附着其上的透明导电金属氧化物薄膜,该薄膜包含作为三种金属元素的锌、铟和锡并在酸中可溶。薄膜优选地包含以所有金属计的40%到65%原子含量的锌,及包含以原子含量计的锡量的0.25到1.3倍的铟。薄膜厚度优选地从100到160nm。本发明的触摸屏基材具有三种特性:较高的光透射率;在形成透明电极过程中通过酸蚀刻容易加工;以及透明导电薄膜具有从500到5,000Ω的中度表面电阻。
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