公开(公告)号：CN101910050A

公开(公告)日：2010-12-08

申请号：CN200880122997.0

申请日：2008-10-27

申请人： 昆南诺股份有限公司

发明人： L·萨穆尔森 ,  J·奥尔森 ,  T·马滕森 ,  P·斯文森

IPC分类号： B82B3/00 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/0665 ,  B81C1/00111 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02538 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02653 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/068 ,  H01L33/18 ,  Y10S438/946 ,  Y10S438/974 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/815 ,  Y10S977/89 ,  Y10S977/949

摘要： 本发明涉及在Si衬底(3)上生长III-V半导体纳米线(2)。受控垂直纳米线生长是通过在生长纳米线之前进行的向Si衬底的(111)表面提供III族或V族原子以提供III族或V族5表面终止层(4)的步骤而实现的。还提出了一种纳米结构化器件，其包括依照预定器件布局以有序图案生长在Si衬底(3)的(111)表面上并从Si衬底(3)的(111)表面突出的多个对齐的III-V半导体纳米线(2)。

公开(公告)号：CN101901750A

公开(公告)日：2010-12-01

申请号：CN200910226600.9

申请日：2002-03-21

申请人： 株式会社东芝

发明人： 有门経敏 ,  岩濑政雄 ,  灘原壮一 ,  有働祐宗 ,  牛久幸広 ,  新田伸一 ,  宫下守也 ,  菅元淳二 ,  山田浩玲 ,  永野元 ,  丹沢勝二郎 ,  松下宏 ,  土屋憲彦 ,  奥村胜弥

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54413 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54493 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/974 ,  H01L2924/00

摘要： 半导体晶片具有：倾斜轮廓，沿着半导体晶片的周边形成；形成在该晶片上的产品；和形成在倾斜轮廓上的ID标记。该ID标记至少显示产品的属性、生产条件和检测结果。本发明还涉及从该半导体晶片中生产半导体器件的方法和设备。

公开(公告)号：CN100508124C

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200480041518.4

申请日：2004-12-10

申请人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 ,  原子能源局

发明人： O·雷萨克 ,  B·布隆多 ,  H·莫里索 ,  C·拉加荷-布朗夏尔 ,  F·富尔内尔

IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/762

CPC分类号： H01L21/2007 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/76254 ,  Y10S438/974

摘要： 本发明涉及材料具有差热特性的多层晶片的处理工艺，该工艺包括可产生二次缺陷的高温热处理步骤，其特征在于该工艺在高温热处理步骤之前包括晶片表面准备步骤。

公开(公告)号：CN1116363A

公开(公告)日：1996-02-07

申请号：CN95101413.7

申请日：1995-01-20

申请人： 摩托罗拉公司

发明人： 詹姆斯·A·塞勒斯

IPC分类号： H01L21/283

CPC分类号： H01L21/76895 ,  H01L21/768 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  Y10S438/948 ,  Y10S438/974 ,  H01L2924/00

摘要： 提供一种在高温金属层14上形成介质层的方法。通过用非氧化光致抗蚀剂去除剂处理高温金属层14而没有光致抗蚀剂硬化步骤，在高温金属层14与接下来形成在高温金属层14上的介质层16间的粘附被大大地改善。在高温环境介质层16将粘附到高温金属层14上。这个方法适于半导体集成电路的多层金属化及埋层结构。

公开(公告)号：CN102683172A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201210065366.8

申请日：2012-03-13

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 坂本美里 ,  加藤芳健 ,  山本阳一 ,  京野敬 ,  山本力 ,  本沢辉一 ,  前田实太 ,  伊藤广志

IPC分类号： H01L21/02

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/6875 ,  Y10S438/974

摘要： 公开了一种半导体器件制造方法。在台架被保持在受热状态的情况下，半导体晶圆被放置在台架上(步骤S10)。然后，在经过第一时间的情况下，控制器使真空腔室内的压力升高到高于第一压力的第二压力(步骤S40)。在半导体晶圆被放置在台架上之后，真空腔室内的压力与吸附端口内的压力之间的压力差被设置到不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。此外，在步骤S40，也使压力差保持在不使半导体晶圆在凸起上滑动的最小值。

公开(公告)号：CN1177356C

公开(公告)日：2004-11-24

申请号：CN02140318.X

申请日：2002-06-25

申请人： 联华电子股份有限公司

发明人： 胡榮治 ,  陳力俊

IPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/02137 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359 ,  H01L21/31058 ,  H01L21/3122 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/31695 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76826 ,  Y10S438/96 ,  Y10S438/974

摘要： 一种改善在内连接线结构中多孔性低介电薄膜吸水性的方法，该方法包括：提供具有导体区的一底材，一蚀刻终止层在底材上；接着，一多孔性低介电材料薄膜如，多孔性氢化硅倍半氧烷(HSQ)(porous hydrosilsesquioxane)或是多孔性甲基硅倍半氧烷(MSQ)(methyl silsesquioxane)以旋涂的方式涂布在蚀刻终止层上；在经过等离子体步骤或是化学机械研磨制程之后，多孔性低介电薄膜具有多个具有吸水特性的悬键(dangling bond)。接着，将整个试片置放在具有疏水性反应溶液的辅助仪器进行反应，使得在多孔性低介电薄膜的表面以及侧壁上形成疏水性保护膜以改善多孔性低介电薄膜的吸水性以及降低在后续制程中漏电流的问题。

公开(公告)号：CN1126157C

公开(公告)日：2003-10-29

申请号：CN99100483.3

申请日：1999-01-29

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 冈村健司 ,  荒田弘美 ,  井上修一

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/974

摘要： 在多晶硅膜上用CVD方法形成以六氟化钨(WF6)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)为原料的硅化钨(WSi)膜。在该膜形成工艺的最后阶段，终止六氟化钨的供给以减轻内应力。结果，在硅化钨膜上，形成包含高浓度氯离子的富硅的硅化钨膜。然后，在涂敷化学增强光刻胶前，这些膜与硅衬底一起浸渍在包含过氧化氢的腐蚀液体中，以除去富硅的硅化钨膜，以便可以控制可抑制碱性显影作用的氯化氨的产生。因此，可以通过光刻构图硅化钨膜而不会产生图形缺陷。

公开(公告)号：CN1233848A

公开(公告)日：1999-11-03

申请号：CN99100483.3

申请日：1999-01-29

申请人： 日本电气株式会社

发明人： 冈村健司 ,  荒田弘美 ,  井上修一

IPC分类号： H01L21/312

CPC分类号： G03F7/16 ,  G03F7/11 ,  Y10S438/974

摘要： 在多晶硅膜上用CVD方法形成以六氟化钨(WF6)和二氯甲硅烷(SiH2Cl2)为原料的硅化钨(WSi)膜。在该膜形成工艺的最后阶段,终止六氟化钨的供给以减轻内应力。结果,在硅化钨膜上,形成包含高浓度氯离子的富硅的硅化钨膜。然后,在涂敷化学增强光刻胶前,这些膜与硅衬底一起浸渍在包含过氧化氢的腐蚀液体中,以除去富硅的硅化钨膜,以便可以控制可抑制碱性显影作用的氯化氨的产生。因此,可以通过光刻构图硅化钨膜而不会产生图形缺陷。

公开(公告)号：CN100474517C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200580000473.0

申请日：2005-04-08

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 多田国弘 ,  成嶋健索 ,  若林哲

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

摘要： 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。

公开(公告)号：CN1806315A

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN200580000473.0

申请日：2005-04-08

申请人： 东京毅力科创株式会社

发明人： 多田国弘 ,  成嵨健索 ,  若林哲

IPC分类号： H01L21/28 ,  C23C16/14 ,  C23C16/34 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/34 ,  H01J37/321 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76856 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906 ,  Y10S438/974

摘要： 本发明中，将衬底的硅化镍膜表面清洁化后，由使用Ti化合物气体的CVD进行膜厚2nm以上、不满10nm的Ti膜的成膜，氮化该Ti膜，再在氮化后的Ti膜上使用Ti化合物气体以及含有N及H的气体通过CVD进行TiN膜的成膜。