-
公开(公告)号：CN113439208B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980090924.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：测定电极44，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及基准电极42，其在作为特定气体浓度的检测基准的基准气体中露出。传感器元件具备导入口保护层(第五保护层84e)，其将元件主体102的表面中的作为被测定气体流通部9的入口的气体导入口10、以及开设有该气体导入口10的第五面102e的至少一部分覆盖。并且，第五保护层84e所具有的第五内部空间90e的第五内周面94e(第五外侧内周面95e)的算术平均粗糙度Rap满足：8μm以上或大于保护层84中的与元件主体102之间的接合面97的算术平均粗糙度Rac中的至少一个条件。
-
公开(公告)号：CN114761792B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202080072398.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/416 , G01N27/41 , G01N27/419
Abstract: 传感器元件在自元件基体的一个端部起算为规定范围的外周部具备末端保护层，该元件基体在该一个端部设置有气体导入口，且被测定气体经过气体导入口而向内部导入，末端保护层具有内侧末端保护层和外侧末端保护层层叠而成的结构，该内侧末端保护层在以分别设置有气孔径为10nm以上且小于1μm的细孔的多孔质单片构成骨架结构的基质区域内存在1μm以上的尺寸的粗大空隙，该外侧末端保护层设置成将内侧末端保护层覆盖，且气孔率小于内侧末端保护层的气孔率，内侧末端保护层中，整体气孔率为40％以上90％以下，粗大空隙率为1％以上55％以下。
-
公开(公告)号：CN113439208A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201980090924.6
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：测定电极44，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及基准电极42，其在作为特定气体浓度的检测基准的基准气体中露出。传感器元件具备导入口保护层(第五保护层84e)，其将元件主体102的表面中的作为被测定气体流通部9的入口的气体导入口10、以及开设有该气体导入口10的第五面102e的至少一部分覆盖。并且，第五保护层84e所具有的第五内部空间90e的第五内周面94e(第五外侧内周面95e)的算术平均粗糙度Rap满足：8μm以上或大于保护层84中的与元件主体102之间的接合面97的算术平均粗糙度Rac中的至少一个条件。
-
公开(公告)号：CN113439209B
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN201980090927.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：长条的长方体形状的元件主体102，在其内部设置有被测定气体流通部9；测定电极，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及多孔质的保护层84，其将元件主体102的第一～第五面102a～102e覆盖。将在元件主体102的一部分且是从被测定气体流通部9至第一～第五面102a～102e的各面的部分存在的外壁105中最薄的第五外壁105e设为最薄外壁，将与最薄外壁对应的第五面102e设为最接近面，保护层84中的将最接近面覆盖的第五保护层84e在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁整体重叠。第五保护层84e具有：在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁的80％以上重叠的第五内部空间90e。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113439209A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN201980090927.X
申请日：2019-12-24
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/407 , G01N27/416
Abstract: 传感器元件具备：长条的长方体形状的元件主体102，在其内部设置有被测定气体流通部9；测定电极，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及多孔质的保护层84，其将元件主体102的第一～第五面102a～102e覆盖。将在元件主体102的一部分且是从被测定气体流通部9至第一～第五面102a～102e的各面的部分存在的外壁105中最薄的第五外壁105e设为最薄外壁，将与最薄外壁对应的第五面102e设为最接近面，保护层84中的将最接近面覆盖的第五保护层84e在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁整体重叠。第五保护层84e具有：在从与最接近面垂直的方向观察时与最薄外壁的80％以上重叠的第五内部空间90e。
-
公开(公告)号：CN117157744A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202280020196.3
申请日：2022-10-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Inventor： 小木曾裕佑
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明的半导体制造装置用部件在AlN陶瓷基体的表面设有晶片载置用的突起。AlN陶瓷基体中的未设置突起的部分具有从表面到预定深度的表层区域和比表层区域靠下侧的母材区域。预定距离为5μm以下。表层区域的氧含有率高于母材区域的氧含有率。
-
公开(公告)号：CN116504707A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211257466.0
申请日：2022-10-14
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。半导体制造装置用部件(10)具有：陶瓷板(20)、多孔质插塞(50)、绝缘盖(56)以及细孔(58)。陶瓷板(20)在上表面具有晶片载放面(21)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)，且容许气体流通。绝缘盖(56)设置成与多孔质插塞(50)的上表面接触，且在晶片载放面(21)露出。细孔(58)在绝缘盖(56)设置有多个，且沿着上下方向贯穿绝缘盖(56)。
-
公开(公告)号：CN116504706A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211197255.2
申请日：2022-09-27
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: H01L21/683
Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件，在具备容许气体流通的多孔质插塞的半导体制造装置用部件的基础上，抑制杂质混入于晶片，并且，抑制气体的流通阻力增大。半导体制造装置用部件(10)具备：在上表面具有晶片载放面(21)的陶瓷板(20)、以及容许气体流通的多孔质插塞(50)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)。多孔质插塞(50)具有：在晶片载放面(21)露出的第一多孔质部(51)、以及上表面由第一多孔质部51覆盖的第二多孔质部(52)。第一多孔质部(51)与第二多孔质部(52)相比，纯度高且厚度薄。第二多孔质部(52)与第一多孔质部(51)相比，气孔率高。
-
公开(公告)号：CN114761792A
公开(公告)日：2022-07-15
申请号：CN202080072398.3
申请日：2020-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: G01N27/416 , G01N27/41 , G01N27/419
Abstract: 传感器元件在自元件基体的一个端部起算为规定范围的外周部具备末端保护层，该元件基体在该一个端部设置有气体导入口，且被测定气体经过气体导入口而向内部导入，末端保护层具有内侧末端保护层和外侧末端保护层层叠而成的结构，该内侧末端保护层在以分别设置有气孔径为10nm以上且小于1μm的细孔的多孔质单片构成骨架结构的基质区域内存在1μm以上的尺寸的粗大空隙，该外侧末端保护层设置成将内侧末端保护层覆盖，且气孔率小于内侧末端保护层的气孔率，内侧末端保护层中，整体气孔率为40％以上90％以下，粗大空隙率为1％以上55％以下。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
9
records
(took 0.019 seconds)
