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公开(公告)号：CN108352442A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201680002494.4
申请日：2016-09-14
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L41/337 , H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/313 , H03H3/08 , H03H9/25
CPC分类号： H01L41/337 , H01L41/081 , H01L41/0815 , H01L41/22 , H01L41/313 , H03H9/02047 , H03H9/02574 , H03H9/02614
摘要： 本发明的复合基板是一种包括直径2英寸以上的支撑基板和厚度为20μm以下且透光并接合于所述支撑基板的压电基板的复合基板，其中，所述压电基板具有条纹状的厚度分布，在沿着与所述条纹正交的线切割所述复合基板而得到的截面处的、所述压电基板的厚度分布中，出现厚度方向的振幅为5nm～100nm且宽度方向的间距为0.5mm～20mm的波形，该波形的间距与所述条纹的宽度相关。压电基板中，所述条纹可以为平行的条纹，也可以为旋涡状或同心圆状的条纹。
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公开(公告)号：CN101391327B
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN200810149170.0
申请日：2008-09-19
申请人： 日本碍子株式会社
CPC分类号： B23H9/00 , B23H1/04 , B23H2200/30
摘要： 本发明涉及成形模加工电极、成形模的制造方法以及成形模。课题是能更加容易地制作成形模加工电极或成形模且在用制作的成形模对成形体进行成形时进一步抑制成形体的成形弯曲。成形模加工电极利用通过六边形的立壁部相连而使外周形成为大致圆形的狭槽形成部加工成形模的狭槽，另一方面，利用内周形成为大致圆形且与狭槽形成部的外周立壁部重合的同时其外周形成为大致圆形的狭槽形成部加工外周侧的狭槽部。同样，利用第三电极的狭槽形成部加工更外周侧的狭槽。这样，由于多个狭槽形成部在圆周方向被分割，所以多个狭槽形成部的重复部分形成为与成形体相同的大致同心圆形。另外，将狭槽形成部的面积设计为更加接近的值，难以产生电极消耗程度的差异。
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公开(公告)号：CN116504707A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211257466.0
申请日：2022-10-14
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/20 , H01J37/32
摘要： 本发明提供半导体制造装置用部件，使将晶片载放面和多孔质插塞的上表面连通的细孔的加工性变得良好。半导体制造装置用部件(10)具有：陶瓷板(20)、多孔质插塞(50)、绝缘盖(56)以及细孔(58)。陶瓷板(20)在上表面具有晶片载放面(21)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)，且容许气体流通。绝缘盖(56)设置成与多孔质插塞(50)的上表面接触，且在晶片载放面(21)露出。细孔(58)在绝缘盖(56)设置有多个，且沿着上下方向贯穿绝缘盖(56)。
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公开(公告)号：CN116504706A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202211197255.2
申请日：2022-09-27
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 本发明提供半导体制造装置用部件，在具备容许气体流通的多孔质插塞的半导体制造装置用部件的基础上，抑制杂质混入于晶片，并且，抑制气体的流通阻力增大。半导体制造装置用部件(10)具备：在上表面具有晶片载放面(21)的陶瓷板(20)、以及容许气体流通的多孔质插塞(50)。多孔质插塞(50)配置于沿着上下方向贯穿陶瓷板(20)的插塞插入孔(24)。多孔质插塞(50)具有：在晶片载放面(21)露出的第一多孔质部(51)、以及上表面由第一多孔质部51覆盖的第二多孔质部(52)。第一多孔质部(51)与第二多孔质部(52)相比，纯度高且厚度薄。第二多孔质部(52)与第一多孔质部(51)相比，气孔率高。
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公开(公告)号：CN106664790B
公开(公告)日：2019-02-15
申请号：CN201680002242.1
申请日：2016-08-18
申请人： 日本碍子株式会社
摘要： 原子束源(10)具备：筒状的阴极(20)，其具有设置有能够射出原子束的射出口(32)的射出部(30)；设置在阴极20的内部的棒状的第一阳极40；以及与第一阳极(40)分开设置在所述阴极(20)的内部的棒状的第二阳极(50)；通过将从阴极(20)的形状、第一阳极(40)的形状、第二阳极(50)的形状、以及阴极(20)与第一阳极(40)和所述第二阳极(50)的位置关系组成的组中选择的至少一个设为预定的构成，从而抑制溅射粒子的射出，该溅射粒子是由第一阳极(40)与第二阳极(50)之间的等离子体生成的阳离子与阴极(20)、第一阳极(40)及第二阳极(50)中的至少一个发生碰撞而产生的。
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公开(公告)号：CN104364062A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201380029390.9
申请日：2013-06-03
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： B28B3/26
CPC分类号： B28B3/269 , B23P15/243
摘要： 一种蜂窝结构体成形用模头(1)，具备有由铁等形成的第2板状部(3)和碳化钨基硬质合金制的第1板状部(7)；第2板状部(3)具有第2接合面(6)，形成有用于导入成形原料的内孔(5)；第1板状部(7)具有第1接合面(10)，形成有与内孔(5)连通的用于使成形原料成形的狭缝(9)，同时，连通内孔(5)及狭缝(9)的孔部(11)形成于第1接合面(10)一侧；第1板状部(7)配设在第2板状部(3)上，第1接合面(10)与第2接合面(6)相接；第1接合面(10)上的孔部(11)的开口部直径与第2接合面(6)上的内孔(5)的开口部直径的大小不同；第1接合面(10)上的孔部(11)的开口部(11a)配置在第2接合面(6)上的内孔(5)的开口部(5a)的内侧。提供可以抑制蜂窝结构体发生变形的蜂窝结构体成形用模头。
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公开(公告)号：CN113439208B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980090924.6
申请日：2019-12-24
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： G01N27/407 , G01N27/416
摘要： 传感器元件具备：测定电极44，其配设于被测定气体流通部9的内周面上；以及基准电极42，其在作为特定气体浓度的检测基准的基准气体中露出。传感器元件具备导入口保护层(第五保护层84e)，其将元件主体102的表面中的作为被测定气体流通部9的入口的气体导入口10、以及开设有该气体导入口10的第五面102e的至少一部分覆盖。并且，第五保护层84e所具有的第五内部空间90e的第五内周面94e(第五外侧内周面95e)的算术平均粗糙度Rap满足：8μm以上或大于保护层84中的与元件主体102之间的接合面97的算术平均粗糙度Rac中的至少一个条件。
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公开(公告)号：CN108352442B
公开(公告)日：2021-07-20
申请号：CN201680002494.4
申请日：2016-09-14
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L41/337 , H01L41/053 , H01L41/08 , H01L41/313 , H03H3/08 , H03H9/25
摘要： 本发明的复合基板是一种包括直径2英寸以上的支撑基板和厚度为20μm以下且透光并接合于所述支撑基板的压电基板的复合基板，其中，所述压电基板具有条纹状的厚度分布，在沿着与所述条纹正交的线切割所述复合基板而得到的截面处的、所述压电基板的厚度分布中，出现厚度方向的振幅为5nm～100nm且宽度方向的间距为0.5mm～20mm的波形，该波形的间距与所述条纹的宽度相关。压电基板中，所述条纹可以为平行的条纹，也可以为旋涡状或同心圆状的条纹。
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公开(公告)号：CN108028312B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201680002597.0
申请日：2016-09-14
申请人： 日本碍子株式会社
IPC分类号： H01L41/337 , B24B37/10 , H01L41/18 , H01L41/312 , H01L41/335 , H03H3/08
摘要： 本发明的复合基板的制造方法包括以下工序：(a)对直径2英寸以上的贴合基板的压电基板侧进行镜面研磨直至所述压电基板的厚度为20μm以下，该贴合基板是将压电基板和支撑基板接合而得到的；(b)进行离子束加工，加工成：所述压电基板的外周部的厚度比内周部厚且所述压电基板的内周部的厚度的最大值与最小值的差值在整个平面中为100nm以下；(c)使用直径5mm～30mm的研磨垫，使所述研磨垫带来的按压力保持恒定，并且，使所述研磨垫边旋转边移动，从而进行CMP研磨，除去通过所述离子束加工而产生的变质层的至少一部分，使所述压电基板的整个表面变得平坦。
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