公开(公告)号：CN114093792B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202111371780.7

申请日：2018-07-02

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山名启太 ,  曻和宏 ,  鸟居谦悟

IPC: H01L21/67 ,  H05B3/10 ,  H05B3/74

Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置用加热器，其是在AlN陶瓷基体的内部埋设有发热体的半导体制造装置用加热器，在所述AlN陶瓷基体中埋设有RF电极，所述AlN陶瓷基体在含有O、C、Ti、Ca、Y的同时，含有铝酸钇相作为结晶相，且Ti/Ca的质量比为0.13以上，所述AlN陶瓷基体的Ti含有率为18质量ppm以上95质量ppm以下。

公开(公告)号：CN111837452B

公开(公告)日：2022-03-22

申请号：CN202080001440.2

申请日：2020-02-04

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 曻和宏 ,  木村拓二 ,  沟口智久

IPC: H05B3/02 ,  H05B3/18 ,  H05B3/74 ,  H01L21/02

Abstract: 一种陶瓷加热器(10)，具有陶瓷板(20)。外周侧电阻发热体(26)设置在陶瓷板(20)的外周侧区域(Z2)。引线(24)从在陶瓷板(20)的中央部设置的一对端子(23、23)开始分别向着外周侧区域(Z2)延伸，且靠近外周侧区域(Z2)的部分为直线部。连接端子(25)是连接引线(24)和外周侧电阻发热体(26)的导电性构件，具有插入有引线(24)的直线部的第一孔和插入有外周侧电阻发热体(26)的端部的第二孔。

公开(公告)号：CN101042993A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710089470.X

申请日：2007-03-23

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 服部亮誉 ,  森丰 ,  曻和宏

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/683 ,  C23C16/00 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC classification number: C04B35/101

Abstract: 本发明的目的是降低在第1主面(SF1)和埋设电极(2)之间的氧化铝基体(1)上产生的裂纹的发生率。所采用的方法是，氧化铝烧结体具备：具有相对的第1主面和第2主面的氧化铝基体(1)；在离第1主面(SF1)0.4毫米以下深度HD由埋设在氧化铝基体(1)内的金属构成的膜状的埋设电极(2)；在比埋设电极(2)更靠第2主面(SF2)侧埋在氧化铝基体(1)内的金属做成的埋设端子(3)。埋设端子(3)与埋设电极(2)接触，埋设电极(2)的膜厚HE在25微米以下。

公开(公告)号：CN119019176A

公开(公告)日：2024-11-26

申请号：CN202411133300.7

申请日：2022-06-16

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 山名启太 ,  曻和宏 ,  横田元一 ,  阿部哲久

IPC: C04B35/581 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 本发明提供一种良好地接合且没有裂纹的AlN接合体。AlN接合体(10)是将第一AlN部件(11)和第二AlN部件(12)进行接合得到的。第一AlN部件(11)的三氧化二钇含有率为检测极限以下。第二AlN部件(12)含有三氧化二钇。

公开(公告)号：CN111466018B

公开(公告)日：2023-08-25

申请号：CN201980006370.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 曻和宏 ,  木村拓二

IPC: H01L21/683 ,  B28B11/00 ,  C04B35/624 ,  C04B35/645

Abstract: 本实施方式的晶片载置台的制法包括下述工序：(a)将包含陶瓷粉末和凝胶化剂的陶瓷浆料填充至金属网(22)的网眼部分(22a)，使凝胶化剂发生化学反应而使陶瓷浆料凝胶化之后，进行脱脂、预烧，从而制作陶瓷填充网(20)的工序；(b)在模铸成型之后进行预烧而得到的第1陶瓷预烧体(31)与第2陶瓷预烧体(32)之间夹入陶瓷填充网(20)，从而制作层叠体(40)的工序；以及(c)将层叠体(40)进行热压烧成，从而制作晶片载置台(10)的工序。

公开(公告)号：CN115606318A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202180010171.0

申请日：2021-11-01

Applicant: 日本碍子株式会社(JP)

Inventor： 山名启太 ,  曻和宏

IPC: H05B3/10 ,  H05B3/74

Abstract: 本发明的AlN陶瓷基体是包含铝酸钇的AlN陶瓷基体，其在550℃时的体积电阻率为3×109Ωcm以上。

公开(公告)号：CN111755361A

公开(公告)日：2020-10-09

申请号：CN202010214673.2

申请日：2020-03-24

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 曻和宏 ,  木村拓二

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明提供半导体制造装置用部件及其制造方法、成形模具。陶瓷加热器(10)具备内置电极(14、16)的陶瓷制的圆板(12)和支撑圆板(12)的陶瓷制且圆筒状的轴(20)。陶瓷加热器(10)不具有接合界面。圆板(12)的下表面(12b)具有轴内侧区域(A1)和轴外侧区域(A2)。轴内侧区域(A1)为比轴外侧区域(A2)凹陷一阶的形状，且具有使电极露出的电极露出孔(14a、16a)。

公开(公告)号：CN111095521A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880056716.X

申请日：2018-10-19

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 赤塚祐司 ,  石川征树 ,  曻和宏 ,  服部亮誉 ,  中村圭一

IPC: H01L21/683

Abstract: 本发明的晶片载置台(10)，在具有晶片载置面(12a)的陶瓷基体(12)的内部，从离晶片载置面(12a)较近的一侧以与晶片载置面(12a)平行的方式埋设有第一电极(21)和第二电极(22)。晶片载置台(10)具备将第一电极(21)与第二电极(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)是在第一电极(21)与第二电极(22)之间重叠多片与晶片载置面(12a)平行并由板状的金属网构成的圆形部件(32)而成。

公开(公告)号：CN106068251B

公开(公告)日：2019-12-27

申请号：CN201580012245.9

申请日：2015-03-05

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 南智之 ,  曻和宏 ,  川尻哲也

IPC: H01L21/3065 ,  C04B37/02

Abstract: 在工序(a)中，将保护环(60)按照由陶瓷基体(12)(第2部件)的接合面(13)堵住贯通孔(61)的一侧开口方式配置于陶瓷基体(12)上。在工序(b)中，将包含金属的钎料(56)、包含热膨胀系数比钎料(56)小的材料的粉末(54)、供电端子(40)插入于贯通孔(61)的内部，使得陶瓷基体(12)的接合面(13)与供电端子(40)的接合面(43)对置且钎料(56)和粉末(54)位于陶瓷基体(12)与供电端子(40)之间。在工序(c)中，使钎料(56)熔融，使钎料(56)含浸于粉末(54)之间而形成包含钎料(56)和粉末(54)的接合层，介由接合层将接合面(13)与接合面(43)进行接合。

公开(公告)号：CN111316418B

公开(公告)日：2024-01-30

申请号：CN201880070786.0

申请日：2018-10-31

Applicant: 日本碍子株式会社

Inventor： 曻和宏 ,  木村拓二

IPC: H01L21/683 ,  B28B1/14 ,  B28B7/00

Abstract: 本发明的半导体制造装置用构件具备内置电极的陶瓷制的圆板以及支撑上述圆板的陶瓷制的轴，圆板与轴以没有接合界面的状态一体化。