静电卡盘加热器
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113039863B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202080006280.0

    申请日:2020-09-15

    IPC分类号: H05B3/28 H05B3/02 H01L21/683

    摘要: 本发明的静电卡盘加热器在氧化铝基板的上表面设有晶片载置面,从晶片载置面侧起在氧化铝基板中依次埋设有静电电极、设置于每个区域的电阻发热体以及向电阻发热体供电的多级跳线,该静电卡盘加热器具备将电阻发热体和跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、以及为了向跳线供电而向外部取出的供电导通孔。其中,至少发热体连结导通孔和供电导通孔包含金属钌。

    陶瓷加热器
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112840741B

    公开(公告)日:2023-02-24

    申请号:CN202080005516.9

    申请日:2020-09-15

    摘要: 本发明的陶瓷加热器在氧化铝基板的上表面设有晶片载置面,从晶片载置面侧起依次在氧化铝基板中埋设有设置于每个区域的电阻发热体以及向电阻发热体供电的多级跳线,且具备将电阻发热体和跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、以及为了向跳线供电而向外部取出的供电导通孔。发热体连结导通孔的电阻率小于电阻发热体的电阻率。发热体连结导通孔的热膨胀系数与氧化铝基板的热膨胀系数之差的绝对值小于电阻发热体的热膨胀系数与氧化铝基板的热膨胀系数之差的绝对值。

    晶片支撑台
    3.
    发明公开
    晶片支撑台 审中-实审

    公开(公告)号:CN114883165A

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN202210063877.X

    申请日:2022-01-20

    摘要: 本发明提供一种晶片支撑台,其能够改善晶片外周部的均热性。本发明的晶片支撑台具备:具有晶片载置面的陶瓷基体和埋设于陶瓷基体的多个加热器。陶瓷基体从晶片载置面朝着与晶片载置面相反侧的面依次具有第一加热器形成面、第二加热器形成面以及第三加热器形成面。多个加热器包括设置于第一加热器形成面的第一加热器、设置于第二加热器形成面的第二加热器以及设置于第三加热器形成面的第三加热器。第一加热器以位于陶瓷基体的中心的方式设置。第二加热器以位于第一加热器的外周的方式设置。第三加热器以与第二加热器重叠的方式设置并分别设置于将第三加热器形成面通过半径方向的线段分割成多个而成的区域中。

    陶瓷加热器
    4.
    发明公开
    陶瓷加热器 审中-实审

    公开(公告)号:CN114916100A

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202111244168.3

    申请日:2021-10-25

    摘要: 本发明涉及一种陶瓷加热器,其防止在制造时、使用时在陶瓷基体上产生裂纹。本发明的陶瓷加热器,具备埋设于陶瓷基体的内周侧区域的内周侧电阻发热体、埋设于陶瓷基体的外周侧区域的外周侧电阻发热体、对外周侧电阻发热体供电的外周侧供电端子、以及连接外周侧电阻发热体和外周侧供电端子的金属网制的跳线(36a、36b、37a、37b、38a、38b)。跳线(36a等)埋设于与设置有内周侧电阻发热体的平面、设置有外周侧电阻发热体的平面不同的跳线埋设面。跳线(36a等)由将跳线埋设面的金属网圆板分割成多个而成的网状电极构成。

    晶片载置台及其制法
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111095521A

    公开(公告)日:2020-05-01

    申请号:CN201880056716.X

    申请日:2018-10-19

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本发明的晶片载置台(10),在具有晶片载置面(12a)的陶瓷基体(12)的内部,从离晶片载置面(12a)较近的一侧以与晶片载置面(12a)平行的方式埋设有第一电极(21)和第二电极(22)。晶片载置台(10)具备将第一电极(21)与第二电极(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)是在第一电极(21)与第二电极(22)之间重叠多片与晶片载置面(12a)平行并由板状的金属网构成的圆形部件(32)而成。

    晶片载置台
    6.
    发明授权

    公开(公告)号:CN109643685B

    公开(公告)日:2023-04-07

    申请号:CN201780052534.0

    申请日:2017-08-21

    发明人: 赤塚祐司

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本发明的静电卡盘加热器(20)是将静电卡盘(22)与冷却板(40)一体化而成的。在静电卡盘(22)的与晶片载置面(22a)相反侧的面设有凹部(28)。低热膨胀系数金属制的带阴螺纹的端子(30)插入至凹部(28),并通过含有陶瓷微粒和硬钎料的接合层(34)与凹部(28)接合。阳螺纹螺钉(44)插入贯通冷却板(40)的贯通孔(42),与带阴螺纹的端子(30)螺纹结合。在带阴螺纹的端子(30)与阳螺纹螺钉(44)螺纹结合的状态下,在冷却板(40)因热膨胀差而相对于静电卡盘(22)发生位移时的方向上设有间隙(p)。

    晶片载置台及其制法
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN111095521B

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN201880056716.X

    申请日:2018-10-19

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本发明的晶片载置台(10),在具有晶片载置面(12a)的陶瓷基体(12)的内部,从离晶片载置面(12a)较近的一侧以与晶片载置面(12a)平行的方式埋设有第一电极(21)和第二电极(22)。晶片载置台(10)具备将第一电极(21)与第二电极(22)电导通的导通部(30)。导通部(30)是在第一电极(21)与第二电极(22)之间重叠多片与晶片载置面(12a)平行并由板状的金属网构成的圆形部件(32)而成。

    晶片载置台及其制造方法
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114823463A

    公开(公告)日:2022-07-29

    申请号:CN202210051452.7

    申请日:2022-01-17

    IPC分类号: H01L21/683

    摘要: 本发明提供一种晶片载置台及其制造方法,其防止在陶瓷基体产生裂纹,使连接构件不易脱落。本发明的静电卡盘具备:在上表面具有晶片载置面的第一陶瓷基体;配置于第一陶瓷基体的下表面侧的第二陶瓷基体;将第一陶瓷基体的下表面与第二陶瓷基体的接合面进行接合的金属接合层;具备上底和下底,且在上底与金属接合层接触的状态下埋设于第二陶瓷基体的连接构件;以及与连接构件的下底电连接的供电端子。连接构件具有将连接构件沿与上底平行的面切断时的截面积从上底侧朝向下底侧变大的部分。

    半导体制造装置用构件及其制法
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114724996A

    公开(公告)日:2022-07-08

    申请号:CN202210006438.5

    申请日:2022-01-05

    IPC分类号: H01L21/683 H01J37/32

    摘要: 本发明提供一种半导体制造装置用构件及其制法,其可避免排气孔被支撑插销的粘接材料堵塞。半导体制造装置用构件具备:陶瓷板;设置于陶瓷板的与晶片载置面相反侧的面的插销插入孔;在厚度方向上贯通陶瓷板中的插销插入孔的底壁的排气孔;插入到插销插入孔的插销;以及设置在插销内部的气体流路。在插销的侧面设置有台阶,在比台阶深的区域,插销插入孔与插销抵接,在比台阶浅的区域,在插销插入孔与插销之间形成有间隙,在间隙中形成有粘接材料制的插销支撑构件。

    静电卡盘加热器
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113039863A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202080006280.0

    申请日:2020-09-15

    IPC分类号: H05B3/28 H05B3/02 H01L21/683

    摘要: 本发明的静电卡盘加热器在氧化铝基板的上表面设有晶片载置面,从晶片载置面侧起在氧化铝基板中依次埋设有静电电极、设置于每个区域的电阻发热体以及向电阻发热体供电的多级跳线,该静电卡盘加热器具备将电阻发热体和跳线沿上下方向连结的发热体连结导通孔、以及为了向跳线供电而向外部取出的供电导通孔。其中,至少发热体连结导通孔和供电导通孔包含金属钌。