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公开(公告)号：CN100335162C
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200480001042.1
申请日：2004-08-11
申请人： 德山株式会社
CPC分类号： B01F3/02 , B01F5/0618 , B01F5/0646 , B01F5/0647 , B01F5/065 , B01F5/0655 , B01F2005/0625 , B01F2005/0636 , B01F2005/0637 , B01J19/0053 , B01J19/2415 , B01J19/2425 , B01J19/244 , B01J2219/00015 , C01B33/02 , C01B33/03 , Y10T117/10 , Y10T117/1028
摘要： 提供反应容器，它是反应容器的构成部件不会受到过度的温度负荷，使生成的硅顺利落下回收，而且，即使扩大成工业化大规模的制造设备，也能够使硅析出用原料气体高效率地反应，并且，还能抑制硅微粉、硅烷类低聚物成分的产生，可以长期工业化规模地制造硅的反应容器。管式反应容器，其特征在于，它是形成有由向上下方向延伸的容器壁围成的空间的管式反应容器，上部具有硅析出用原料气体流入口，下端具有析出硅的排出口，在前述管式反应容器接触原料气体的壁面形成增加流阻部位。增加流阻部位是选自突起、凹部、或者倾斜中的至少1种。
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公开(公告)号：CN1372604A
公开(公告)日：2002-10-02
申请号：CN00812335.7
申请日：2000-08-11
申请人： MEMC电子材料有限公司
CPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06 , Y10T117/1028
摘要： 一种生产单晶硅锭的Czochralski法具有一均匀的热过程。在该方法中,在晶锭的主体和尾锥生长的整个过程中使加到侧面加热器上的功率保持基本上恒定,而在主体的第二个一半和尾锥生长过程中逐渐增加加到底部加热器上的功率。本方法能得到一种晶锭,使从该晶锭生产出的晶片具有较少超过约0.2微米的光点缺陷,同时具有改善的栅氧化层完整性。
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公开(公告)号：CN1735563A
公开(公告)日：2006-02-15
申请号：CN200480001042.1
申请日：2004-08-11
申请人： 德山株式会社
CPC分类号： B01F3/02 , B01F5/0618 , B01F5/0646 , B01F5/0647 , B01F5/065 , B01F5/0655 , B01F2005/0625 , B01F2005/0636 , B01F2005/0637 , B01J19/0053 , B01J19/2415 , B01J19/2425 , B01J19/244 , B01J2219/00015 , C01B33/02 , C01B33/03 , Y10T117/10 , Y10T117/1028
摘要： 提供反应容器，它是反应容器的构成部件不会受到过度的温度负荷，使生成的硅顺利落下回收，而且，即使扩大成工业化大规模的制造设备，也能够使硅析出用原料气体高效率地反应，并且，还能抑制硅微粉、硅烷类低聚物成分的产生，可以长期工业化规模地制造硅的反应容器。管式反应容器，其特征在于，它是形成有由向上下方向延伸的容器壁围成的空间的管式反应容器，上部具有硅析出用原料气体流入口，下端具有析出硅的排出口，在前述管式反应容器接触原料气体的壁面形成增加流阻部位。增加流阻部位是选自突起、凹部、或者倾斜中的至少1种。
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公开(公告)号：CN1655857A
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：CN03812160.3
申请日：2003-05-13
申请人： 阿山特斯有限公司
IPC分类号： B01D9/00
CPC分类号： B01D9/0013 , B01D9/0036 , B01D9/0063 , B01D9/0081 , C07K5/0613 , Y10T117/1024 , Y10T117/1028
摘要： 一种可用于医药品的足够纯的晶体物质可通过如下方法制得：形成该物质的饱和溶液，改变溶液温度使其达到过饱和，并且使溶液受高强度超声波辐射，超声波频率在一定的频率范围内变化。例如超声波可在19.5和20.5kHz之间变化，并且该变化可以是正弦波式的。优选地，在使得溶液逐渐冷却而没有进一步的辐射之前，仅短暂地提供超声波，例如少于5秒。可通过一个容器施加超声波，超声波换能器阵列附着于该容器的壁上，使得每个换能器的辐射不超过3W/cm2，而容器中的功率消耗在25与150瓦/升之间。该方法能将亚稳态带的宽度缩小至少于10K。该方法尤其适用于天冬甜素。
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公开(公告)号：CN102365163A
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN201080015843.9
申请日：2010-02-25
申请人： 康宁股份有限公司
IPC分类号： B32B3/12
CPC分类号： C04B38/0006 , B28B11/04 , Y10T117/1028 , Y10T428/24149 , Y10T428/24157 , C04B35/14 , C04B38/00 , C04B38/061 , C04B38/06 , C04B38/04
摘要： 形成用模板的铸件的方法包括：将液体原料加入蜂窝体基材的通道中，形成加载原料的基材，使得液体原料在通道内定向固化。
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公开(公告)号：CN101305116A
公开(公告)日：2008-11-12
申请号：CN200680039620.X
申请日：2006-08-25
申请人： 晶体系统公司
CPC分类号： C30B11/007 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1028 , Y10T117/1072 , Y10T117/1092
摘要： 为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取，当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚，但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生；例如，圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少，从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。
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公开(公告)号：CN101305116B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200680039620.X
申请日：2006-08-25
申请人： 晶体系统公司
CPC分类号： C30B11/007 , C30B29/06 , C30B29/20 , C30B29/42 , Y10S117/90 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008 , Y10T117/1016 , Y10T117/1024 , Y10T117/1028 , Y10T117/1072 , Y10T117/1092
摘要： 为了减少向坩埚底部的热量输入和独立于热量输入来控制热量吸取，当晶体生长时可以在加热元件和坩埚之间以受控制的速度升高护罩。其它的步骤可以包括移动坩埚，但是该过程可以避免必须移动坩埚。温度梯度通过仅仅屏蔽加热元件的一部分而产生；例如，圆柱形的元件底部可以被屏蔽以使传递到坩埚底部的热量比到顶部的少，从而导致坩埚内的稳定的温度梯度。
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公开(公告)号：CN100342939C
公开(公告)日：2007-10-17
申请号：CN03812160.3
申请日：2003-05-13
申请人： 阿山特斯有限公司
IPC分类号： B01D9/00
CPC分类号： B01D9/0013 , B01D9/0036 , B01D9/0063 , B01D9/0081 , C07K5/0613 , Y10T117/1024 , Y10T117/1028
摘要： 一种可用于医药品的足够纯的晶体物质可通过如下方法制得：形成该物质的饱和溶液，改变溶液温度使其达到过饱和，并且使溶液受高强度超声波辐射，超声波频率在一定的频率范围内变化。例如超声波可在19.5和20.5kHz之间变化，并且该变化可以是正弦波式的。优选地，在使得溶液逐渐冷却而没有进一步的辐射之前，仅短暂地提供超声波，例如少于5秒。可通过一个容器施加超声波，超声波换能器阵列附着于该容器的壁上，使得每个换能器的辐射不超过3W/cm2，而容器中的功率消耗在25与150瓦/升之间。该方法能将亚稳态带的宽度缩小至少于10K。该方法尤其适用于天冬甜素。
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