发光装置
    2.
    发明公开
    发光装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113161328A

    公开(公告)日:2021-07-23

    申请号:CN202011616070.1

    申请日:2020-12-31

    IPC分类号: H01L25/075 H01L33/62 G09F9/33

    摘要: 本发明公开一种发光装置,包含一第一发光模块、一第二发光模块、一导电层与一绝缘层。第一发光模块包含一具有第一凹槽的第一玻璃基板与设置于第一玻璃基板上的发光二极管,第二模块包含一具有第二凹槽的第二玻璃基板,且第二凹槽对应第一凹槽。导导电层直接接触第一凹槽与第二凹槽以电连接第一发光模块及第二发光模块。绝缘层直接接触第一发光模块与第二发光模块。

    半导体装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN107204395B

    公开(公告)日:2021-02-05

    申请号:CN201610150144.4

    申请日:2016-03-16

    IPC分类号: H01L33/52 H01L33/62

    摘要: 本发明公开一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包含一半导体管芯,包含一叠层结构,一第一接合垫及一第二接合垫凸设于该叠层结构的一表面,且该第一接合垫及该第二接合垫的最短距离小于150μm,一载板,具有一表面,一第三接合垫及一第四接合垫,设于该载板的该表面上,及一导电接合层,该导电接合层包含一电流导通区,该电流导通区设于该第一接合垫与该第三接合垫之间、以及该第二接合垫与该第四接合垫之间。

    固晶结构及其制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN111491462A

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN202010076484.3

    申请日:2020-01-23

    IPC分类号: H05K3/32 H01L23/492 H01L21/50

    摘要: 本发明公开一种固晶结构及其制造方法。所述固晶制造方法包含提供目标基板,其中目标基板包含支撑基板以及电路结构形成在支撑基板的一侧,其中电路结构包含玻璃板形成在支撑基板上,透明导电层形成在玻璃板上,金属层形成在透明导电层上,粘合增强电路层形成在金属层上,以及多个电接触点形成在粘合增强电路层上;提供多个半导体元件粘附到承载板上并且彼此间具有一间隙隔开,每个半导体元件具有一电极对与目标基板上的电路结构的两对应的电接触点对准;以及提供能量束产生器产生能量束,用于在加热循环中通过由能量束携带的热能,来接合和电连接其中一个半导体元件的电极对以及与其对准的电接触点。

    发光装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108533993A

    公开(公告)日:2018-09-14

    申请号:CN201810409331.9

    申请日:2014-11-14

    IPC分类号: F21S2/00

    摘要: 本发明公开一种发光装置,包含一半导体发光元件,发出一第一光线并包含一出光面、一位于半导体发光元件之上并包含一第一区与一第二区的透明支撑元件,以及位于透明支撑元件之上的光学元件。第一光线经过光学元件以产生一具有一光场分布的第二光线,并且光场分布具有一最大值对应于第一区以及一最小值对应于第二区。

    半导体元件及其制作方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115986044A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202211234133.6

    申请日:2022-10-10

    发明人: 谢明勋 廖世安

    摘要: 本发明公开一种半导体元件及其制作方法,其中该半导体元件包含一半导体叠层、一保护层位于半导体叠层上、一电极位于半导体叠层上与半导体叠层电连接、以及一导电凸块位于电极上。导电凸块的顶部到保护层的最上表面定义为导电凸块的厚度,导电凸块的厚度与导电凸块的最大宽度的比值介于0.1~0.4。