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公开(公告)号：CN109802014B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN201811424436.8
申请日：2013-07-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含一第一半导体叠层块及一第一二半导体叠层块；以及实行一第一分离步骤，包括：提供一第二基板，包括一第一电极；实行一第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。
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公开(公告)号：CN109494286B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201811066360.6
申请日：2018-09-13
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种半导体元件，包含：半导体叠层，具有表面，且此表面具有第一边及相对于第一边的第二边；及电极结构包含电极垫、第一、第二及第三延伸电极形成于表面上；其中，延伸电极各具有第一部分及第二部分；其中，各第二部分以第一延伸方向朝第一边或第二边延伸，第一、第二以及第三延伸电极的各第一部分各别以第二、第三以及第四延伸方向自电极垫延伸；其中，第一、第二、第三沿伸电极的第一部分与第二部分连接，并且依序形成具有第一角度θ1的第一转角、具有第二角度θ2的第二转角、具有第三角度θ3的第三转角，其中，第一延伸电极的该第二部分具有远离电极垫的第一端，第二边较第一边远离电极垫，第一边与第一延伸电极的第一部分具有最短距离大于第二边至第一端的最短距离。
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公开(公告)号：CN114078993A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202110954336.1
申请日：2021-08-19
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 本发明公开一种化合物半导体元件及化合物半导体装置，其中该化合物半导体元件包括有源结构、半导体接触层、电极、绝缘层、第一开口、以及第二开口。有源结构具有第一导电型半导体层、第二导电型半导体层、以及有源层位于第一导电型半导体层及第二导电型半导体层之间。半导体接触层位于第二导电型半导体层上且具有第一开口。电极具有一上表面，且电极完全覆盖半导体接触层。绝缘层覆盖电极及有源结构且具有第二开口。第二导电型半导体层自第一开口露出。电极自第二开口露出。
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公开(公告)号：CN105324857B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201380077701.9
申请日：2013-07-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 一种发光元件的制造方法，包括提供第一基板(201)及位于第一基板(201)上的多个半导体叠层块(202,231‑235)，其中该第一基板(201)上包括分隔两相邻的半导体叠层块的分隔道且该分隔道具有一宽度小于10μm，多个半导体叠层块(202,231‑235)包括第一电性半导体层(202a)、位于第一电性半导体层(202a)上的发光层(202b)，位于发光层(202b)之上的第二电性半导体层(202c)，还包括实行第一分离步骤，分离第一半导体叠层块(232)与第一基板(201)，第一基板(201)留有第二半导体叠层块(231)；以及实行第二接合步骤，包括对位接合该第一半导体叠层块于该第二半导体叠层块之上。
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公开(公告)号：CN109802014A
公开(公告)日：2019-05-24
申请号：CN201811424436.8
申请日：2013-07-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 一种发光元件及其制造方法，该制造方法包括提供一第一基板及多个半导体叠层块于该第一基板上，各该多个半导体叠层块包括一第一电性半导体层、一发光层位于该第一电性半导体层之上、以及一第二电性半导体层位于该发光层之上，其中，该多个半导体叠层块包含一第一半导体叠层块及一第一二半导体叠层块；以及实行一第一分离步骤，包括：提供一第二基板，包括一第一电极；实行一第一接合步骤，包括接合该第一半导体叠层块与该第二基板；以及分离该第一半导体叠层块与该第一基板，且该第一基板存留有该第二半导体叠层块。
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公开(公告)号：CN109494286A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811066360.6
申请日：2018-09-13
申请人： 晶元光电股份有限公司
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明公开一种半导体元件，包含：一半导体叠层，具有一表面；及一电极结构包含一电极垫形成于表面上，电极结构另包含一第一延伸电极、一第二延伸电极及一第三延伸电极连接于电极垫，第一延伸电极较第三延伸电极靠近表面的一轮廓，第二延伸电极位于第一延伸电极及第三延伸电极之间；其中，由俯视观之，第一延伸电极、第二延伸电极及第三延伸电极分别包含一第一转角具有一第一角度θ1、一第二转角具有一第二角度θ2及一第三转角具有一第三角度θ3，且θ3>θ2>θ1。
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公开(公告)号：CN105324857A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201380077701.9
申请日：2013-07-05
申请人： 晶元光电股份有限公司
CPC分类号： H01L33/62 , H01L25/167 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/385 , H01L33/48 , H01L2933/0016 , H01L2933/0033 , H01L2933/0066
摘要： 一种发光元件的制造方法，包括提供第一基板(201)及位于第一基板(201)上的多个半导体叠层块(202，231-235)，多个半导体叠层块(202，231-235)包括第一电性半导体层(202a)、位于第一电性半导体层(202a)上的发光层(202b)，位于发光层(202b)之上的第二电性半导体层(202c)，第一基板(201)还包括分隔道分隔两相邻的半导体叠层块(202，231-235)，并且分隔道的宽度小于10μm，还包括实行第一分离步骤，分离多个半导体叠层块(202，231-235)中的第一半导体叠层块(232，234)与第一基板(201)，第一基板(201)留有第二半导体叠层块(231，233)。
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公开(公告)号：CN303332146S
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201530007864.1
申请日：2015-01-12
申请人： 晶元光电股份有限公司
摘要： 1．本外观设计产品的名称：发光二极体元件。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于一种发光二极体。3．本外观设计产品的设计要点：参考图中实线所示部分。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。
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