一种高性能大尺寸碳靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN116254511A

    公开(公告)日:2023-06-13

    申请号:CN202310118418.1

    申请日:2023-02-02

    IPC分类号: C23C14/35 C23C16/26

    摘要: 一种高性能大尺寸碳靶材的制备方法,所述碳靶材以高纯甲烷气体为碳源气体,氮气和氢气为稀释气体和载气,采用化学气相沉积法进行制备;首先,使碳靶材在底部沿水平方向生长1‑5mm,然后,改变气体流型使碳靶材沿垂直方向生长5‑10mm,接着,再在顶部使碳靶材沿水平方向生长1‑5mm,获得两种生长方向的大尺寸碳靶坯,最后,使用机加工的方式将底部及顶部1‑5mm厚沿水平方向生长的碳去除,获得直径≥400mm,厚度5‑10mm,密度≥2.1g/cm3,纯度≥5N的高性能大尺寸碳靶材;该方法与现有技术相比,具有以下优点:(1)可获得大尺寸碳靶材;(2)工艺简单、提高生产效率:(3)靶材密度高。

    一种超细晶铜锰合金靶材的加工方法

    公开(公告)号:CN109338314A

    公开(公告)日:2019-02-15

    申请号:CN201811471674.4

    申请日:2018-12-04

    IPC分类号: C23C14/34 C22F1/08

    摘要: 本发明属于集成电路用溅射靶材制造技术领域,公开了一种超细晶铜锰合金靶材的加工方法。该方法主要包括如下步骤:1)对铜锰合金铸锭进行高温锻造开坯;2)对步骤1)所得物进行150-250℃多轮次低温三向锻造;3)对步骤2)所得物在425-475℃进行再结晶热处理;4)对步骤3)所得物进行多次冷变形+回复退火,得到超细晶铜锰合金靶材。本发明得到的长寿命铜锰合金靶材其寿命可达3000kwh,平均晶粒尺寸在1μm以下,维氏硬度超过140HV,(220)取向百分比超过80%,可以有效提高靶材利用率,能够满足集成电路28nm及以下工艺制程的要求。

    一种磁控溅射钽环喷砂装置

    公开(公告)号:CN208342609U

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201820869501.7

    申请日:2018-06-05

    IPC分类号: B24C3/32 B24C5/02

    摘要: 本实用新型公开了属于磁控溅射靶材制造领域的一种磁控溅射钽环喷砂装置,该喷砂装置包括:固定螺钉、喷砂挡块、垫片、密封圈、端头遮挡螺帽和旋转台。通过喷砂挡块上的预置孔对预喷砂位置与尺寸进行控制。将磁控溅射钽环与固定套组安装后放置在旋转台上,对喷砂挡块上的预置孔依次进行喷砂,每次喷砂一个安装轴后转动旋转台,最终使整个磁控溅射钽环的安装轴位置得到均匀喷砂处理。本实用新型提供的钽环喷砂装置,可以有效保证喷砂区域形状与质量,使安装轴位置表面均匀喷砂。通过连续喷砂操作,提高喷砂的效率。