一种镍钒溅射靶材的制备方法

    公开(公告)号:CN111004985B

    公开(公告)日:2021-05-11

    申请号:CN201911164952.6

    申请日:2019-11-25

    IPC分类号: C22F1/10 C22C19/03 C23C14/34

    摘要: 本发明属于金属材料加工和微电子材料制造技术领域的一种镍钒溅射靶材的制备方法。所述镍钒溅射靶材的制备方法,包括对镍钒铸锭依次进行1)热锻造、2)退火、3)冷变形和4)二次退火。所述镍钒溅射靶材中V的含量为7±0.7%,镍钒铸锭的纯度为99.9%‑99.995%。所得镍钒溅射靶材的晶粒度≤150μm,晶粒细小,分布均匀。本发明所述的镍钒溅射靶材,纯度高,在99.9%以上;组织结构致密无气孔,晶粒细小均匀,晶粒度≤150μm,无磁性,溅镀效率高,可广泛应用于电子元器件、通讯、太阳能光伏光电等行业。

    一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法

    公开(公告)号:CN109536770B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201811471664.0

    申请日:2018-12-04

    IPC分类号: C22C5/02 C22C1/02 C22F1/14

    摘要: 本发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法,该方法包括如下步骤:1)以金、铍金属为原料,在真空感应熔炼炉上,先将金完全熔化之后,再添加金属铍,熔炼铸造获得金铍合金铸锭;其中,合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5~2wt.%再多配一定比例,余量为金;2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理;3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工;4)每完成1~2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理;5)重复步骤3)和4),直到所需的板材厚度尺寸;6)采用冲压模具,加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀,合金稳定,形状规则,可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。

    一种铜系靶材和背板焊接方法

    公开(公告)号:CN111015090A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911164944.1

    申请日:2019-11-25

    摘要: 本发明公开了属于金属材料加工和微电子材料制造技术领域的一种铜系靶材和背板焊接方法,步骤包括:对加厚的高纯铜系靶材靶面和高强度合金背板进行机加工,然后对靶材靶面和合金背板的焊接界面侧面采用真空电子束封焊,底面采用扩散焊接,实现靶面和背板的可靠连接,需要对机加工后的合金背板进行表面处理和离子清洗;并且在合金背板的整个焊接界面均匀的添加中间层;所述铜系靶材和背板焊接界面是在合适的扩散焊接工艺参数和焊接结构的基础上研究焊接界面对铜系靶材和背板的焊接性能的影响,对获得焊合率≥99%,焊接强度≥80MPa的铜系靶面和背板的可靠连接的靶材,具有显著的经济和技术效益。

    一种金瓷合金丝材及其制备方法

    公开(公告)号:CN107974571B

    公开(公告)日:2019-06-14

    申请号:CN201711175221.2

    申请日:2017-11-22

    摘要: 本发明公开了一种金瓷合金丝材及其制备方法,所述合金包括以下含量的成分:Ag 11~13wt%,Pt 1~2wt%,Zn 12~14wt%,Au余量。该合金丝材的制备方法步骤如下:(1)以银、锌为原料,熔化得到银锌中间合金;(2)以金、铂、银及银锌中间合金为原料,熔炼铸造制备金瓷合金铸锭;(3)将铸锭轧制成棒材,温度450℃~650℃,道次变形量1%~20%;(4)热拉丝,温度400℃~650℃,道次变形量1%~20%。本发明的制备方法可精确控制合金各成分的含量,且能够克服材料本身的脆性,明显改善加工性能。

    一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法

    公开(公告)号:CN109536770A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811471664.0

    申请日:2018-12-04

    IPC分类号: C22C5/02 C22C1/02 C22F1/14

    摘要: 本发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法,该方法包括如下步骤:1)以金、铍金属为原料,在真空感应熔炼炉上,先将金完全熔化之后,再添加金属铍,熔炼铸造获得金铍合金铸锭;其中,合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5~2wt.%再多配一定比例,余量为金;2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理;3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工;4)每完成1~2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理;5)重复步骤3)和4),直到所需的板材厚度尺寸;6)采用冲压模具,加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀,合金稳定,形状规则,可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。