一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法

    公开(公告)号:CN109536770A

    公开(公告)日:2019-03-29

    申请号:CN201811471664.0

    申请日:2018-12-04

    IPC分类号: C22C5/02 C22C1/02 C22F1/14

    摘要: 本发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法,该方法包括如下步骤:1)以金、铍金属为原料,在真空感应熔炼炉上,先将金完全熔化之后,再添加金属铍,熔炼铸造获得金铍合金铸锭;其中,合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5~2wt.%再多配一定比例,余量为金;2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理;3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工;4)每完成1~2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理;5)重复步骤3)和4),直到所需的板材厚度尺寸;6)采用冲压模具,加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀,合金稳定,形状规则,可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。

    一种靶材配套聚焦环的校圆工装
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107983801A

    公开(公告)日:2018-05-04

    申请号:CN201711456243.6

    申请日:2017-12-28

    IPC分类号: B21D3/14 B21D37/10 B21D45/08

    摘要: 本发明公开了属于溅射技术领域的一种靶材配套聚焦环的校圆工装,该工装采取凸模与凹模配合校圆的一种模式。已经加工好的环靶材配套聚焦环放置在凹模的内部并且紧贴凹模的内模壁,凸模在小型油压机的作用下向下运动与凹模进行配合。凸模与凹模的间隙中为靶材配套聚焦环,凸模与凹模配合时以均匀的压力对靶材配套聚焦环进行校圆。经过适当的保压时间,达到校圆的目的。凹模底部设有弹性装置。校圆完成后凸、凹模分离时,弹性装置推动推件块向上运动,推动靶材配套聚焦环向上运动,达到一个取靶方便的目的,该工装操作简单、方便,可以避免靶材配套聚焦环圆度较差而引起的一系列问题。

    一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法

    公开(公告)号:CN111015301A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911407364.0

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: B23Q3/06 B23P13/02

    摘要: 本发明公开了一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:1:根据待加工溅射环尺寸在主体工装上加工出定位孔;2:在主体工装上加工出开口区域、倒角区域以及加工让刀区域;3:将待加工溅射环设置在主体工装和工装内撑之间,盖上紧固盖板,并通过主体工装、工装内撑和紧固盖板上预留的安装孔,将待加工溅射环紧固在加工工装上,在主体工装圆周方向上加工出孔位;4:在开口区域的两端进行固定,通过定位销对待加工溅射环进行定位;5:对开口区域的待加工溅射环加工出开口,使用圆弧成型刀完成开口区域的圆弧加工;6:松开螺栓、垫片和螺母,去除紧固盖板,取出工装内撑,取下溅射环,进行检验并包装备存。

    一种靶材配套聚焦环的校圆工装

    公开(公告)号:CN107983801B

    公开(公告)日:2023-10-31

    申请号:CN201711456243.6

    申请日:2017-12-28

    IPC分类号: B21D3/14 B21D37/10 B21D45/08

    摘要: 本发明公开了属于溅射技术领域的一种靶材配套聚焦环的校圆工装,该工装采取凸模与凹模配合校圆的一种模式。已经加工好的环靶材配套聚焦环放置在凹模的内部并且紧贴凹模的内模壁,凸模在小型油压机的作用下向下运动与凹模进行配合。凸模与凹模的间隙中为靶材配套聚焦环,凸模与凹模配合时以均匀的压力对靶材配套聚焦环进行校圆。经过适当的保压时间,达到校圆的目的。凹模底部设有弹性装置。校圆完成后凸、凹模分离时,弹性装置推动推件块向上运动,推动靶材配套聚焦环向上运动,达到一个取靶方便的目的,该工装操作简单、方便,可以避免靶材配套聚焦环圆度较差而引起的一系列问题。

    一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法

    公开(公告)号:CN111015301B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201911407364.0

    申请日:2019-12-31

    IPC分类号: B23Q3/06 B23P13/02

    摘要: 本发明公开了一种溅射环件安装孔位与开口区域的加工方法,所述加工方法包括以下步骤:1:根据待加工溅射环尺寸在主体工装上加工出定位孔;2:在主体工装上加工出开口区域、倒角区域以及加工让刀区域;3:将待加工溅射环设置在主体工装和工装内撑之间,盖上紧固盖板,并通过主体工装、工装内撑和紧固盖板上预留的安装孔,将待加工溅射环紧固在加工工装上,在主体工装圆周方向上加工出孔位;4:在开口区域的两端进行固定,通过定位销对待加工溅射环进行定位;5:对开口区域的待加工溅射环加工出开口,使用圆弧成型刀完成开口区域的圆弧加工;6:松开螺栓、垫片和螺母,去除紧固盖板,取出工装内撑,取下溅射环,进行检验并包装备存。

    一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法

    公开(公告)号:CN109536770B

    公开(公告)日:2020-10-16

    申请号:CN201811471664.0

    申请日:2018-12-04

    IPC分类号: C22C5/02 C22C1/02 C22F1/14

    摘要: 本发明公开了一种半导体器件用金铍合金材料及制备方法,该方法包括如下步骤:1)以金、铍金属为原料,在真空感应熔炼炉上,先将金完全熔化之后,再添加金属铍,熔炼铸造获得金铍合金铸锭;其中,合金铸锭中铍含量为合金名义成分0.5~2wt.%再多配一定比例,余量为金;2)利用加热炉对步骤1获得的合金铸锭进行热处理;3)利用塑性加工设备将铸锭沿厚度方向进行热塑性加工;4)每完成1~2道次加工将坯料于加热炉进行回火热处理;5)重复步骤3)和4),直到所需的板材厚度尺寸;6)采用冲压模具,加工成所需金铍合金材料。通过本方法得到的金铍合金材料成分均匀,合金稳定,形状规则,可满足半导体器件欧姆接触电极的性能要求。

    一种铜系靶材和背板焊接方法

    公开(公告)号:CN111015090A

    公开(公告)日:2020-04-17

    申请号:CN201911164944.1

    申请日:2019-11-25

    摘要: 本发明公开了属于金属材料加工和微电子材料制造技术领域的一种铜系靶材和背板焊接方法,步骤包括:对加厚的高纯铜系靶材靶面和高强度合金背板进行机加工,然后对靶材靶面和合金背板的焊接界面侧面采用真空电子束封焊,底面采用扩散焊接,实现靶面和背板的可靠连接,需要对机加工后的合金背板进行表面处理和离子清洗;并且在合金背板的整个焊接界面均匀的添加中间层;所述铜系靶材和背板焊接界面是在合适的扩散焊接工艺参数和焊接结构的基础上研究焊接界面对铜系靶材和背板的焊接性能的影响,对获得焊合率≥99%,焊接强度≥80MPa的铜系靶面和背板的可靠连接的靶材,具有显著的经济和技术效益。

    一种溅射环的焊接组件
    9.
    实用新型

    公开(公告)号:CN211438728U

    公开(公告)日:2020-09-08

    申请号:CN201921754925.X

    申请日:2019-10-18

    IPC分类号: B23K37/04 B23P15/00

    摘要: 本实用新型公开了半导体靶材溅射技术领域的一种溅射环的焊接组件,包括金属板料、装卡外套和阶梯轴式内芯,将长方形金属板料两端焊接处切割成可互相匹配嵌合的凸凹弧线;将卷圆后的金属板料套装在阶梯轴式内芯上,使用装卡外套包裹住卷圆后的金属板料,将板料开口位置与装卡外套焊接口处相对应,通过紧固装卡外套尾部的紧固螺栓,直至开口闭合;通过焊接口进行点焊,再对圆弧区域进行满焊,完成焊接。所述焊接组件可以增加焊接强度,改善物料圆度,减少焊接成本,避免发生手动对齐开口造成的圆度差、应力不均、焊接错位等问题发生,可有效提高产品的焊接质量,提高作业效率。

    一种靶材配套聚焦环的热处理工装

    公开(公告)号:CN211170799U

    公开(公告)日:2020-08-04

    申请号:CN201921780601.3

    申请日:2019-10-23

    IPC分类号: C21D9/40

    摘要: 本实用新型公开了属于溅射技术领域的一种靶材配套聚焦环的热处理工装,所述热处理工装包括夹紧装置和反撑装置,反撑装置反撑在靶材配套聚焦环的内部,夹紧装置夹紧靶材配套聚焦环的开口处;反撑装置包括:中心轴,中心筒和反撑杆;螺旋手柄滑动穿插在中心筒顶部的圆孔中,中心轴连接柱和中心轴圆台安装在中心筒内部,中心轴圆台和中心筒通过螺纹连接,中心轴通过旋转可以在中心筒内上下移动;夹紧装置通过螺栓固定内板和外板。所述工装通过对靶材配套聚焦环开口的固定和对内壁的反撑,可有效避免热护理后靶材配套聚焦环发生变形,保证其圆度,热处理后出来的靶材配套聚焦环圆度较好,尺寸符合要求,因此对后续加工奠定了良好的基础。