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公开(公告)号：CN101606233B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200880004384.7
申请日：2008-02-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02087
摘要： 提供一种去除晶片斜面上的材料的设备。提供直径小于该晶片直径的晶片支撑件，其中该晶片支撑件在该晶片的第一侧，和其中该晶片的外缘围绕该晶片一圈延伸超出该晶片支撑件。RF电源电连接至该晶片。中央盖子与该晶片支撑件隔开。第一导电环在该晶片的第一侧并与该晶片隔开。第二导电环与该晶片隔开。导电衬套围绕该晶片的外缘。开关在该衬套和地之间，允许将该衬套从接地切换为浮动。
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公开(公告)号：CN104041194B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201280057151.X
申请日：2012-11-07
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 格雷格·塞克斯顿
CPC分类号： H01J37/3288 , H01J37/32513 , H01J37/32807 , Y10T16/525 , Y10T16/5275 , Y10T16/529 , Y10T16/53225 , Y10T16/5324 , Y10T16/53247 , Y10T16/5325 , Y10T16/53864 , Y10T16/547
摘要： 在一个实施方式中，等离子体处理组件可以包括耦合到铰链体的上处理体和耦合到基部铰链构件的下处理体。所述铰链体能与所述基部铰链构件可枢转地接合。自锁闩能与所述基部铰链构件可枢转地接合。当铰链体围绕第一旋转轴旋转时，凸锁闩接合构件能接触所述自锁闩并且使所述自锁闩围绕第二旋转轴沿与偏置方向相反的方向旋转。所述自锁闩能围绕第二旋转轴沿偏置方向旋转并且能阻止所述铰链体围绕第一旋转轴旋转。
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公开(公告)号：CN104041194A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280057151.X
申请日：2012-11-07
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 格雷格·塞克斯顿
CPC分类号： H01J37/3288 , H01J37/32513 , H01J37/32807 , Y10T16/525 , Y10T16/5275 , Y10T16/529 , Y10T16/53225 , Y10T16/5324 , Y10T16/53247 , Y10T16/5325 , Y10T16/53864 , Y10T16/547
摘要： 在一个实施方式中，等离子体处理组件可以包括耦合到铰链体的上处理体和耦合到基部铰链构件的下处理体。所述铰链体能与所述基部铰链构件可枢转地接合。自锁闩能与所述基部铰链构件可枢转地接合。当铰链体围绕第一旋转轴旋转时，凸锁闩接合构件能接触所述自锁闩并且使所述自锁闩围绕第二旋转轴沿与偏置方向相反的方向旋转。所述自锁闩能围绕第二旋转轴沿偏置方向旋转并且能阻止所述铰链体围绕第一旋转轴旋转。
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公开(公告)号：CN101606233A
公开(公告)日：2009-12-16
申请号：CN200880004384.7
申请日：2008-02-05
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/02087
摘要： 提供一种去除晶片斜面上的材料的设备。提供直径小于该晶片直径的晶片支撑件，其中该晶片支撑件在该晶片的第一侧，和其中该晶片的外缘围绕该晶片一圈延伸超出该晶片支撑件。RF电源电连接至该晶片。中央盖子与该晶片支撑件隔开。第一导电环在该晶片的第一侧并与该晶片隔开。第二导电环与该晶片隔开。导电衬套围绕该晶片的外缘。开关在该衬套和地之间，允许将该衬套从接地切换为浮动。
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公开(公告)号：CN102484064B
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201080039169.8
申请日：2010-08-26
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67017 , Y10T137/0318
摘要： 本发明公开了一种供应用于处理半导体处理腔中的衬底的多个处理流体的装置。该装置包括多个处理流体供料阀和被定义在交叉阀与调整供料阀之间的流体供料网。该装置进一步包括通过调整供料阀连接到流体供料网的调整流体供应源。该装置进一步包括通过多个处理流体供料阀连接到流体供料网的多个处理流体。具有衬底支架的处理腔也被包括在该装置中。处理腔进一步包括边缘流体供料器和中部流体供料器，边缘流体供料器通过边缘使能阀连接到流体供料网而中部供料器通过中部使能阀连接到流体供料网。其中交叉阀、边缘使能阀和中部使能阀使调整流体或处理流体中的一个流到边缘流体供料器或中部流体供料器中的一个。
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公开(公告)号：CN102484064A
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN201080039169.8
申请日：2010-08-26
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67017 , Y10T137/0318
摘要： 本发明公开了一种供应用于处理半导体处理腔中的衬底的多个处理流体的装置。该装置包括多个处理流体供料阀和被定义在交叉阀与调整供料阀之间的流体供料网。该装置进一步包括通过调整供料阀连接到流体供料网的调整流体供应源。该装置进一步包括通过多个处理流体供料阀连接到流体供料网的多个处理流体。具有衬底支架的处理腔也被包括在该装置中。处理腔进一步包括边缘流体供料器和中部流体供料器，边缘流体供料器通过边缘使能阀连接到流体供料网而中部供料器通过中部使能阀连接到流体供料网。其中交叉阀、边缘使能阀和中部使能阀使调整流体或处理流体中的一个流到边缘流体供料器或中部流体供料器中的一个。
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公开(公告)号：CN101675503A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200880011086.0
申请日：2008-03-28
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/02087 , B08B7/0035 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32706 , Y10S134/902
摘要： 提供一种配置为清洁基片的斜面边缘的等离子体刻蚀处理室。该室包括底部边缘电极和限定于该底部边缘电极上方的顶部边缘电极。该顶部边缘电极和该底部边缘电极被配置为产生清洁等离子体以清洁该基片的该斜面边缘。该室包括限定穿过该处理室的顶部表面的进气口。该进气口引入处理气体以在该处理室中的一定位置激发等离子体，该位置位于该基片的轴和该顶部边缘电极之间。置激发等离子体，该位置位于该基片的轴和该顶部边缘电极之间。排气开口被限定穿过上电极组件的顶部表面，该排气开口沿着该基片的中心轴。还提供一种清洁基片的斜面边缘的方法。
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