公开(公告)号：CN102763197B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201080038535.8

申请日：2010-08-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 埃勒·Y·朱科 ,  纽戈·希恩 ,  金允尚 ,  安德鲁·拜勒

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/334

摘要： 在处理室内等离子体处理期间控制斜角蚀刻速率的装置。该装置包括功率源和气体分布系统。该装置还包括下电极，该下电极配置为至少支撑基板。该装置进一步包括位于该基板上方的顶部环形电极和位于该基板下方的底部环形电极。该装置还包括第一匹配装置，该第一匹配装置耦合到该顶部环形电极并配置为至少控制流经该顶部环形电极的电流以控制用于蚀刻至少部分基板顶部边缘的等离子体的量。该装置进一步包括第二匹配装置，该第二匹配装置配置为控制流经底部环形电极的电流以控制用于至少蚀刻至少部分基板底部边缘的等离子体的量。

公开(公告)号：CN102763197A

公开(公告)日：2012-10-31

申请号：CN201080038535.8

申请日：2010-08-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 埃勒·Y·朱科 ,  纽戈·希恩 ,  金允尚 ,  安德鲁·拜勒

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32183 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32706 ,  H01J2237/334

摘要： 在处理室内等离子体处理期间控制斜角蚀刻速率的装置。该装置包括功率源和气体分布系统。该装置还包括下电极，该下电极配置为至少支撑基板。该装置进一步包括位于该基板上方的顶部环形电极和位于该基板下方的底部环形电极。该装置还包括第一匹配装置，该第一匹配装置耦合到该顶部环形电极并配置为至少控制流经该顶部环形电极的电流以控制用于蚀刻至少部分基板顶部边缘的等离子体的量。该装置进一步包括第二匹配装置，该第二匹配装置配置为控制流经底部环形电极的电流以控制用于至少蚀刻至少部分基板底部边缘的等离子体的量。

公开(公告)号：CN101868849A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200880117649.4

申请日：2008-11-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德鲁·D·贝利三世 ,  金允尚

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6708

摘要： 说明书中描述的各实施方式提供除去该斜面边缘上的不想要的沉积物以提高处理良率的改进的机制。各实施方式提供了加工镀铜的衬底的斜面边缘以将该斜面边缘处的铜转化为能用相对比铜有高的蚀刻选择性的流体湿法蚀刻的铜化合物的装置和方法。在一个实施方式中，该铜化合物以对铜的高选择性的湿法蚀刻允许在湿法蚀刻处理室中除去衬底斜面边缘处的铜。该斜面边缘处的等离子体加工允许斜面边缘的铜以离该衬底的最边缘约2mm或更低，比如约1mm、约0.5mm或约0.25mm的精确的空间控制被除去。上述除去斜面边缘的铜的装置和方法没有铜蚀刻流体被喷溅到该器件区域上而导致铜膜的缺陷和变薄的问题。因此，良率可以大大提高。

公开(公告)号：CN101370965B

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN200680035652.2

申请日：2006-09-26

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 金允尚 ,  安德鲁·D·贝利三世 ,  衡石·亚历山大·尹

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32623

摘要： 本发明披露了一种等离子处理系统，其包括用于处理基片的等离子室。该装置包括卡盘，其被配置为支撑该基片的第一表面。该装置还包括抗等离子阻挡层，其以相关于该基片的第二表面空间隔开的方式进行布置，该第二表面与第一表面相对，该抗等离子阻挡层大体上防护该基片的中间部分，并使得该基片的第二表面的环形周缘区域基本上不受该抗等离子阻挡层防护。该装置进一步包括至少一个通电电极，该通电电极与该抗等离子阻挡层配合运行以由等离子气体产生受限的等离子，该受限的等离子基本上受限于该基片的环形周缘部分并远离该基片的中间部分。

公开(公告)号：CN101925985B

公开(公告)日：2013-11-20

申请号：CN200980103876.6

申请日：2009-01-16

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 托尼·方 ,  金允尚 ,  安德鲁·D·拜勒 ,  奥利维尔·利古塔

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32449 ,  H01J37/32091 ,  H01J2237/3341 ,  H01L21/02087

摘要： 各种实施方式提供了除去衬底的斜面边缘附近的不想要的沉积物以提高处理良率的装置和方法。该实施方式提供了具有中心和边缘气体进口作为附加的处理调节器以选择最合适的斜面边缘蚀刻处理以将边缘排除区域进一步向外朝着该衬底边缘推动的装置和方法。进一步，该实施方式提供了具有(一种或多种)微调气体以改变斜面边缘处的蚀刻轮廓并使用中心和边缘气体进口的组合来将处理和微调气体流入该室的装置和方法。微调气体的使用和(一个或多个)气体进口的位置两者都会影响斜面边缘处的蚀刻特性。还发现总气流、该气体输送板和衬底表面之间的空隙距离、压强和(一种或多种)处理气体的类型也影响斜面边缘蚀刻轮廓。

公开(公告)号：CN101606233A

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200880004384.7

申请日：2008-02-05

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 金允尚 ,  安德鲁·贝利三世 ,  格雷格·塞克斯顿 ,  金基灿 ,  安德拉斯·库蒂

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/02087

摘要： 提供一种去除晶片斜面上的材料的设备。提供直径小于该晶片直径的晶片支撑件，其中该晶片支撑件在该晶片的第一侧，和其中该晶片的外缘围绕该晶片一圈延伸超出该晶片支撑件。RF电源电连接至该晶片。中央盖子与该晶片支撑件隔开。第一导电环在该晶片的第一侧并与该晶片隔开。第二导电环与该晶片隔开。导电衬套围绕该晶片的外缘。开关在该衬套和地之间，允许将该衬套从接地切换为浮动。

公开(公告)号：CN101541439A

公开(公告)日：2009-09-23

申请号：CN200680031603.1

申请日：2006-08-31

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 艾伦·李 ,  安德鲁·贝利三世 ,  威廉·蒂 ,  金允尚 ,  耶兹迪·多尔迪

IPC分类号： B05D5/12 ,  B05D1/18

CPC分类号： C23C18/1651 ,  C23C18/1893 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/02068 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/288 ,  H01L21/32115 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/67161 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76862 ,  Y02P70/605

摘要： 一种在基片上形成铜的方法，包括将铜源溶液输入混合器，将还原溶液输入该混合器，混合该铜源溶液和该还原溶液以形成pH值大于大约6.5的镀液，以及将该镀液应用于基片，该基片包括催化层，其中将该镀液应用于基片包括形成催化层、在受控环境中保持该催化层以及在该催化层上形成铜。还公开了一种用于形成铜结构的系统。

公开(公告)号：CN101868849B

公开(公告)日：2012-03-07

申请号：CN200880117649.4

申请日：2008-11-13

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德鲁·D·贝利三世 ,  金允尚

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/02087 ,  H01J37/32532 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/6708

摘要： 说明书中描述的各实施方式提供除去该斜面边缘上的不想要的沉积物以提高处理良率的改进的机制。各实施方式提供了加工镀铜的衬底的斜面边缘以将该斜面边缘处的铜转化为能用相对比铜有高的蚀刻选择性的流体湿法蚀刻的铜化合物的装置和方法。在一个实施方式中，该铜化合物以对铜的高选择性的湿法蚀刻允许在湿法蚀刻处理室中除去衬底斜面边缘处的铜。该斜面边缘处的等离子体加工允许斜面边缘的铜以离该衬底的最边缘约2mm或更低，比如约1mm、约0.5mm或约0.25mm的精确的空间控制被除去。上述除去斜面边缘的铜的装置和方法没有铜蚀刻流体被喷溅到该器件区域上而导致铜膜的缺陷和变薄的问题。因此，良率可以大大提高。

公开(公告)号：CN101779278B

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN200880103537.3

申请日：2008-05-20

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德鲁·D·贝利三世 ,  金允尚

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01J37/32385 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32706 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6715

摘要： 装置和方法，在处理执行处理的边缘附近区域的过程中保护衬底的处理排除区。除去不想要的材料仅仅是从该边缘附近区域，而该中心器件区域被保护免于损害。场强被配置为保护该中心区域免于被来自处理室中的等离子体的带电粒子损害并有利于只从该边缘附近区域除去不想要的材料。磁场被配置为具有毗邻该中心和该边缘附近区域之间的边界的顶点值。剧烈的场坡度在径向远离该边界和远离该中心区域从该峰值是从峰值延伸以排斥该带电粒子免于进入该中心区域。该场的强度和位置是可通过磁体部分的轴向相对运动可以调节的，而且通量板被配置为重定向该场以进行想要的保护。

公开(公告)号：CN101589458B

公开(公告)日：2011-07-13

申请号：CN200880003247.1

申请日：2008-01-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 安德鲁·D·贝利三世 ,  艾伦·M·舍普 ,  格雷戈里·塞克斯顿 ,  安德拉斯·库蒂 ,  金允尚 ,  威廉·S·肯尼迪

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/0209 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/32568 ,  H01J2237/335 ,  H01L21/67069

摘要： 一种清洁半导体基片斜缘的装置。该装置包括具有顶部表面并适于支撑该基片的下电极总成以及具有相对该顶部表面的底部表面的上电极总成。该上和下电极总成生成等离子，用以在运行期间清洁设在该顶部和底部表面之间的该基片的斜缘。该装置还包括将该上电极总成悬置在该下部支撑件上方并且调节该底部表面相对该顶部表面的倾角和水平位移的机构。