公开(公告)号：CN118891705A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202280089859.7

申请日：2022-11-21

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 孟昕 ,  陈新益 ,  斯里拉姆·松蒂 ,  凯文·博特什 ,  梁德富 ,  陈焯智 ,  罗希特·欧德 ,  威廉·施洛瑟 ,  郭曈曈 ,  雷切尔·巴策尔

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32 ,  B08B7/00

摘要： 公开了用于在多站半导体处理室内对清洁化学物质流重新导向的系统和方法。在这样的系统中，清洁化学物质流(例如来自远程等离子体产生器的等离子体)可被引导至转位器的中枢器上，该转位器置中地安置在室内。中枢器可具有使清洁化学物质流重新导向成径向朝外方向的特征。通过旋转中枢器和/或改变中枢器与提供清洁化学物质的清洁化学物质入口之间的相对高度位置，清洁化学物质可被重新导向至室的不同区域中，因而允许更彻底且完整的清洁处理。

公开(公告)号：CN118613897A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202380019023.4

申请日：2023-01-30

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 孟昕 ,  梁德富 ,  康虎 ,  约瑟夫·林德赛·沃玛克 ,  李明

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/02 ,  C23C16/04 ,  C23C16/505 ,  C23C16/458

摘要： 本文描述了一种使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)处理以调节晶片上的薄膜生长的处理室和方法。在第一沉积阶段期间，在处理室中的基座上所设置的晶片上沉积膜的第一部分。在第二沉积阶段期间，在该晶片上沉积该膜的第二部分。该晶片在该第一和/或该第二沉积阶段之前从该基座解除夹持，且在该第一和/或该第二沉积阶段期间保持解除夹持。该晶片在该解除夹持的沉积阶段期间具有非零晶片弯曲，以在晶片上提供该膜的径向不均匀厚度轮廓。