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公开(公告)号：CN112534558A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201980051139.X
申请日：2019-07-25
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 拉维·韦兰基 , 盖瑞·B·利德 , 迈克尔·拉莫 , 曼朱纳斯·萨蒂亚德万
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683
摘要： 一种用于在衬底处理系统中的衬底支撑件的隔热结构包含外罩，其被构造成环绕所述衬底支撑件的杆。所述外罩还被构造成限定所述外罩与所述杆的上部和所述衬底支撑件的下表面之间的内部容积以及所述外罩与所述衬底支撑件的所述杆的下部之间的竖直通道。所述外罩包含：圆柱状部；第一横向部，其从所述圆柱状部径向向外延伸；斜角部，其从所述第一横向部径向向外且向上延伸；以及第二横向部，其从所述斜角部径向向外延伸。
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公开(公告)号：CN116057203A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202180051464.3
申请日：2021-08-17
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 斯瓦吉斯·皮洛特·潘昌加姆 , 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 耶什万特·萨吉 , 科尔斯·格瓦达鲁
IPC分类号： C23C16/52
摘要： 一种用于衬底处理系统的流体控制系统包括：(M+N)个输入口，其被配置成分别与M个电磁线圈阀和N个备用电磁线圈阀流体连接，其中M和N为大于0的整数。M个输出部被配置成与M个气动阀流体连接。阀切换系统被配置成：选择性阻挡所述M个输入口中的1至N个，其中所述M个输入口中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的1至N个失灵者；以及从所述N个备用电磁线圈阀中的1至N个将流体供应至所述M个输出部中的1至N个，其中所述M个输出部中的所述1至N个分别对应于M个电磁线圈阀中的所述1至N个失灵者。
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公开(公告)号：CN114641592A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202080075633.2
申请日：2020-08-19
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 拉维·韦兰基 , 埃里克·H·伦茨 , 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 桑杰·戈皮纳特 , 米卡尔·达内克 , 普罗德尤特·玛久姆德 , 诺维·特约克洛 , 陈彦璋 , 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 , 戈鲁恩·布泰尔 , 帕特里克·A·范克利蒙布特
IPC分类号： C23C16/455
摘要： 提供各种喷头及方法。一种喷头可以包含：面板，其部分地由前表面和背表面限定；背板，其具有气体入口、第一圆锥台表面以及第二圆锥台表面；充气部容积，其流体连接至所述气体入口，且至少部分地由所述气体入口、所述面板的所述背表面、所述第一圆锥台表面、以及所述第二圆锥台表面限定；以及挡板，其位于所述充气部容积内，且具有多个挡板通孔，所述多个挡板通孔延伸穿过所述挡板。所述第二圆锥台表面可以相对于所述喷头的中心轴而从所述第一圆锥台表面径向地往外定位，并且所述第二圆锥台表面可以沿着所述中心轴而定位成比所述第一圆锥台表面更远离所述气体入口。
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公开(公告)号：CN114981037A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202080086930.7
申请日：2020-12-11
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 罗伯特·麦金尼 , 苏珊斯·贡迪 , 马亨德拉·拜拉普拉·曼朱纳特 , 盖瑞·B·利德 , 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 安德鲁·保罗·伊布 , 埃迪·泽·希恩·黄 , 维什努·赛·雅拉玛蒂
IPC分类号： B24B53/017 , B24B37/34 , H01L21/687
摘要： 描述了用于真空基座的清洁装置以及清洁用于半导体设备制造中的基座的方法。所述装置具有底板、附接至底板的轴环、设置在轴环上的盖件、以及从轴环延伸穿过盖件、轴环及底板的轴件。手动可旋转手柄附接至从盖件延伸的轴部。盖件阻止手柄沿向下方向运动。盘件附接至轴件的下部，并因配重环而与底板的底部分开，配重环附接至盘件并环绕轴件的下部，使得轴件与盖件之间存在竖直浮置。至少一个磨料垫附接至盘件，以去除底下基座表面上的积聚物。
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公开(公告)号：CN114945707A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202180009628.6
申请日：2021-01-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 埃里克·H·伦茨 , 拉维·韦兰基
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/44 , C23C16/455
摘要： 一种用于半导体晶片处理的排除环包含具有第一厚度的外周段和具有第二厚度的内周段，所述第一厚度大于所述第二厚度。内周段的顶表面和外周段的顶表面限定排除环的共同顶表面。多个流动路径被形成于外周段内，所述流动路径中的每一者在外周段的底表面处径向延伸通过外周段。所述多个流动路径中的每一个提供晶片边缘气体从其中使晶片其边缘设置在内周部的一部分下方的袋部的排放。晶片边缘气体从袋部的排放在翘曲晶片被处理时预防排除环的上下运动。
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公开(公告)号：CN115698376A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202180038526.7
申请日：2021-07-13
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 , 拉维·韦兰基 , 伊什安·拉朱·达瓦德 , 阿洛克·马哈德瓦 , 埃里卡·玛克辛·陈 , 巴晓兰
IPC分类号： C23C16/458 , C23C16/46 , C23C16/455 , C23C16/44 , H01L21/683 , H01L21/67
摘要： 在一些示例中，一种排除环将衬底定位于处理室中的衬底支撑组件上。示例性的排除环包含：内边缘部，其用于覆盖在所述处理室中的衬底的边缘；以及外边缘部，其用于将所述排除环支撑在所述处理室中的所述衬底支撑组件上。所述外边缘部可以包含所述排除环的外边缘。在所述排除环的所述内边缘部和所述外边缘之间延伸的分隔区包含在所述排除环的下表面中的底切。在一些示例中，当排除环位于一站处或在由排除环在处理工具内执行转位操作期间，将环冷却气体引导至排除环。
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