公开(公告)号：CN111357083A

公开(公告)日：2020-06-30

申请号：CN201880074995.2

申请日：2018-11-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 约瑟亚·科林斯 ,  格里芬·肯尼迪 ,  汉娜·班诺克尔 ,  迈克尔·达内克 ,  施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ,  帕特里克·A·范克莱姆普特 ,  戈鲁恩·布泰尔

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44

摘要： 本文提供了用于在半导体衬底上形成金属膜(如钨(W)及钼(Mo)膜)的方法和装置。所述方法涉及形成还原剂层，然后将该还原剂层暴露于金属前体以将该还原剂层转换为金属层。在某些实施方案中，该还原剂层为含有硅(Si-)和硼(B-)的层。所述方法可涉及：在第一衬底温度下形成还原剂层，将衬底温度升高至第二衬底温度，然后在该第二衬底温度下将该还原剂层暴露于该金属前体中。在某些实施方案中，该方法可用于形成无氟钨或钼膜。还提供用于执行所述方法的装置。

公开(公告)号：CN118366851A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410253150.7

申请日：2018-04-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ,  拉什纳·胡马雍 ,  米卡尔·达内克 ,  照健·史蒂文·黎 ,  约瑟亚·科林斯 ,  汉娜·班诺乐克 ,  格里芬·约翰·肯尼迪 ,  戈鲁恩·布泰尔 ,  帕特里克·范克利蒙布特

IPC分类号： H01L21/285 ,  H10B12/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。

公开(公告)号：CN110731003A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201880038116.0

申请日：2018-04-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ,  拉什纳·胡马雍 ,  米卡尔·达内克 ,  照健·史蒂文·黎 ,  约瑟亚·科林斯 ,  汉娜·班诺乐克 ,  格里芬·约翰·肯尼迪 ,  戈鲁恩·布泰尔 ,  帕特里克·范克利蒙布特

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L27/108 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。

公开(公告)号：CN114641592A

公开(公告)日：2022-06-17

申请号：CN202080075633.2

申请日：2020-08-19

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 拉维·韦兰基 ,  埃里克·H·伦茨 ,  维纳亚卡拉迪·古拉巴尔 ,  桑杰·戈皮纳特 ,  米卡尔·达内克 ,  普罗德尤特·玛久姆德 ,  诺维·特约克洛 ,  陈彦璋 ,  施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ,  戈鲁恩·布泰尔 ,  帕特里克·A·范克利蒙布特

IPC分类号： C23C16/455

摘要： 提供各种喷头及方法。一种喷头可以包含：面板，其部分地由前表面和背表面限定；背板，其具有气体入口、第一圆锥台表面以及第二圆锥台表面；充气部容积，其流体连接至所述气体入口，且至少部分地由所述气体入口、所述面板的所述背表面、所述第一圆锥台表面、以及所述第二圆锥台表面限定；以及挡板，其位于所述充气部容积内，且具有多个挡板通孔，所述多个挡板通孔延伸穿过所述挡板。所述第二圆锥台表面可以相对于所述喷头的中心轴而从所述第一圆锥台表面径向地往外定位，并且所述第二圆锥台表面可以沿着所述中心轴而定位成比所述第一圆锥台表面更远离所述气体入口。

公开(公告)号：CN110731003B

公开(公告)日：2024-03-26

申请号：CN201880038116.0

申请日：2018-04-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ,  拉什纳·胡马雍 ,  米卡尔·达内克 ,  照健·史蒂文·黎 ,  约瑟亚·科林斯 ,  汉娜·班诺乐克 ,  格里芬·约翰·肯尼迪 ,  戈鲁恩·布泰尔 ,  帕特里克·范克利蒙布特

IPC分类号： H01L21/285 ,  H10B12/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324

摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。

公开(公告)号：CN116670322A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202180085940.3

申请日：2021-12-14

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 尼廷·卡达姆 ,  亚伦·布莱克·米勒 ,  纳温·帕蒂尔 ,  班亚·翁森纳库姆 ,  戈鲁恩·布泰尔 ,  施卢蒂·托姆贝尔 ,  约瑟亚·科林斯 ,  凯文·马丁戈尔 ,  曼朱纳特·阿马纳特·萨蒂亚德文

IPC分类号： C23C16/455

摘要： 将多个进料容积(CV)用于在每一处理室供应反应物及惰性气体以在衬底上执行原子层沉积(ALD)。在配料步骤期间可以高流动速率从两个CV供应一系列脉冲的反应物，从而延长配料时间。在第一和第二清扫步骤可在相等起始压力下从第一及第二CV供应惰性气体。加热脉冲阀岐管(PVM)最小化于ALD期间从PVM供应至相应处理室的工艺气体的温度变化。PVM在工艺气体进入相应的CV之前在PVM中预热工艺气体。PVM在CV上方及下方包括额外的辅助加热器以维持CV内工艺气体的温度。PVM可在执行维护之前快速地冷却，从而减少停机时间。

公开(公告)号：CN118366852A

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202410253185.0

申请日：2018-04-09

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ,  拉什纳·胡马雍 ,  米卡尔·达内克 ,  照健·史蒂文·黎 ,  约瑟亚·科林斯 ,  汉娜·班诺乐克 ,  格里芬·约翰·肯尼迪 ,  戈鲁恩·布泰尔 ,  帕特里克·范克利蒙布特

IPC分类号： H01L21/285 ,  H10B12/00 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02

摘要： 本文提供了用于逻辑和存储器应用的低电阻金属化堆叠结构以及相关的制造方法。在一些实现方案中，所述方法涉及：在衬底上提供含钨(W)层；并且在所述含W层上沉积含钼(Mo)层。在一些实现方式中，该方法涉及直接在介电或氮化钛(TiN)衬底上沉积含Mo层，而没有中间的含W层。

公开(公告)号：CN113508465A

公开(公告)日：2021-10-15

申请号：CN201980079225.1

申请日：2019-11-25

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 戈鲁恩·布泰尔 ,  施卢蒂·托姆贝尔 ,  伊时塔克·卡里姆 ,  帕特里克·范克利蒙布特

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L21/324

摘要： 一种减少在存储器单元中的字线挠曲的方法包含：a)提供衬底，所述衬底包括多个字线，所述多个字线被配置成彼此相邻并且在多个晶体管上方；b)使用沉积工艺在所述多个字线上沉积膜层；c)在沉积所述膜层之后，测量字线挠曲；d)将所述字线挠曲与预定范围相比较；e)基于所述字线挠曲，调整所述沉积工艺的成核延迟和晶粒尺寸中的至少一者；以及f)使用一或更多衬底分别重复(b)到(e)一或更多次，直到所述字线挠曲在所述预定范围内。

公开(公告)号：CN112513323A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN201980049916.7

申请日：2019-07-25

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 施卢蒂·维维克·托姆贝尔 ,  戈鲁恩·布泰尔 ,  帕特里克·A·范克利蒙布特 ,  伊拉尼特·费希尔

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/06 ,  C23C16/14 ,  H01L21/285

摘要： 提供了用于沉积纯金属膜的方法和装置。所述方法涉及含氧前体的使用。所述金属包括钼(Mo)和钨(W)。为了沉积具有不超过一原子百分比的氧的纯膜，还原剂比金属前体的比率远远大于1。在一些实施方案中，可以使用100:1至10000:1的摩尔比。

公开(公告)号：CN112262457A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980038600.8

申请日：2019-05-03

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 戈鲁恩·布泰尔 ,  约瑟亚·科林斯 ,  汉娜·班诺克尔 ,  塞沙萨耶·瓦拉达拉简

IPC分类号： H01L21/285 ,  H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11524

摘要： 本文提供了用含金属的材料填充特征的方法和装置。本公开内容的一个方面涉及一种用含金属的材料填充结构的方法，该方法包括：提供待用含金属的材料填充的结构，使该结构暴露于多个沉积循环，每个沉积循环包括暴露于一个或多个交替的还原剂(例如氢气(H2))投放/惰性气体清扫脉冲，然后暴露于一个或多个交替的金属前体投放脉冲和惰性气体清扫脉冲。在一些实施方案中，金属可以是钨(W)或钼(Mo)。在一些实施方案中，该结构是部分制造的(3‑D)NAND结构。还提供了执行该方法的装置。