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公开(公告)号：CN107017147A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710013856.6
申请日：2017-01-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 詹森·李·特雷德韦尔 , 艾夫林·安格洛夫 , 琳达·马尔克斯 , 克里斯汀·西拉迪
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明涉及包括多个注气点和双注射器的衬底处理室。一种用于衬底处理系统的气体注射器包括第一注射器壳体，所述第一注射器壳体包括：限定第一气体流动通道的基部；从基部延伸的突出部；以及延伸穿过基部和突出部的第二气体流动通道。所述气体注射器包括第二注射器壳体，所述第二注射器壳体包括第一腔，所述第一腔包括第一开口、第二开口和围绕第二开口布置的第一多个气体通孔。所述第一气体流动通道与所述第一多个气体通孔连通。所述第二注射器壳体包括第二腔，所述第二腔包括第二多个气体通孔并且从所述第一腔的第二开口延伸。所述第二气体流动通道与所述第二多个气体通孔连通。所述第一和第二气体流动通道中的气体不混合地流入处理室。
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公开(公告)号：CN107017147B
公开(公告)日：2020-07-14
申请号：CN201710013856.6
申请日：2017-01-09
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 詹森·李·特雷德韦尔 , 艾夫林·安格洛夫 , 琳达·马尔克斯 , 克里斯汀·西拉迪
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明涉及包括多个注气点和双注射器的衬底处理室。一种用于衬底处理系统的气体注射器包括第一注射器壳体，所述第一注射器壳体包括：限定第一气体流动通道的基部；从基部延伸的突出部；以及延伸穿过基部和突出部的第二气体流动通道。所述气体注射器包括第二注射器壳体，所述第二注射器壳体包括第一腔，所述第一腔包括第一开口、第二开口和围绕第二开口布置的第一多个气体通孔。所述第一气体流动通道与所述第一多个气体通孔连通。所述第二注射器壳体包括第二腔，所述第二腔包括第二多个气体通孔并且从所述第一腔的第二开口延伸。所述第二气体流动通道与所述第二多个气体通孔连通。所述第一和第二气体流动通道中的气体不混合地流入处理室。
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公开(公告)号：CN105603390A
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201510621729.5
申请日：2015-09-25
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/67069 , H01L21/67109
摘要： 本发明涉及具有主动冷却型格栅的气体分配装置。用于衬底处理系统的格栅组件包括第一部分，该第一部分包括：第一主体，其限定中心开口；入口；出口；以及上歧管，其位于第一主体中，并且，与入口或出口流体连通。第二部分布置成与第一部分相邻，并且，包括限定中心开口的第二主体。多个管布置于第二主体的中心开口中。多个管中的第一管与上歧管流体连通。下歧管位于第二主体中，并且，与入口或出口中的另一个流体连通。多个管中的第二管与下歧管流体连通。格栅组件布置在远程等离子体源与衬底之间。
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公开(公告)号：CN117133681A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310885919.2
申请日：2017-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/3065 , H01L21/311 , H01J37/32 , H01L21/3213 , H05H1/46
摘要： 本发明提供一种用于蚀刻衬底的方法，包括：a)将所述衬底布置在处理室的下室区域中，b)设定室压强；c)设置用于RF等离子体的RF频率和RF功率，其中，所述RF功率通过所述感应线圈以所述RF频率提供，其特征在于电模式(E‑模式)与磁模式(H‑模式)耦合的多个比率，其中所述多个比率的第一比率对应于E模式且第二比率对应于H模式；d)将等离子体气体混合物供应到所述上室区域；e)以电模式和磁模式中的一种在所述上室区域中激励所述RF等离子体；以及f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率、和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以在所述第一比率和所述第二比率之间转变多次。
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公开(公告)号：CN108630578A
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201810208164.1
申请日：2018-03-14
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/8234
摘要： 本发明涉及超高选择性的氮化物蚀刻以形成FinFET器件。用于选择性地蚀刻衬底上的层的衬底处理系统包括上室区域、围绕上室区域布置的感应线圈和包括衬底支撑件以支撑衬底的下室区域。气体分配装置布置在上室区域和下室区域之间并且包括具有多个孔的板。冷却充气室冷却气体分配装置，并且吹扫气体充气室将吹扫气体引导到下室中。孔的表面积与体积之比大于或等于4。控制器选择性地将蚀刻气体混合物供应到上室并将吹扫气体供应到吹扫气体充气室，并且在上室中激励等离子体以相对于衬底的至少一个其他暴露层选择性地蚀刻衬底的层。
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公开(公告)号：CN107086178B
公开(公告)日：2023-08-04
申请号：CN201710076114.8
申请日：2017-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
摘要： 本发明提供一种用于选择性蚀刻膜的系统和方法。一种用于相对于衬底的另一种暴露材料选择性蚀刻衬底的一种暴露材料的方法，包括：a)将衬底布置在处理室中；b)设定室压强；c)为RF等离子体设置RF频率和RF功率；d)将等离子体气体混合物供应到所述处理室；e)以电模式(E‑模式)和磁模式(H‑模式)之一在处理室中激励RF等离子体；和f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以从所述E模式和所述H模式中的一个切换到所述E模式和所述H模式中的另一个。
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公开(公告)号：CN105603390B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510621729.5
申请日：2015-09-25
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/4411 , C23C16/45572 , H01J37/32357 , H01J37/32449 , H01L21/67069 , H01L21/67109
摘要： 本发明涉及具有主动冷却型格栅的气体分配装置。用于衬底处理系统的格栅组件包括第一部分，该第一部分包括：第一主体，其限定中心开口；入口；出口；以及上歧管，其位于第一主体中，并且，与入口或出口流体连通。第二部分布置成与第一部分相邻，并且，包括限定中心开口的第二主体。多个管布置于第二主体的中心开口中。多个管中的第一管与上歧管流体连通。下歧管位于第二主体中，并且，与入口或出口中的另一个流体连通。多个管中的第二管与下歧管流体连通。格栅组件布置在远程等离子体源与衬底之间。
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公开(公告)号：CN107086196A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710083687.3
申请日：2017-02-16
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/687
CPC分类号： H01L21/68742 , H01L21/68735 , H01L21/67742 , H01L21/67745
摘要： 本发明提供了用于晶片传送的晶片升降环系统。本发明还提供了衬底支撑件，其包括布置成支撑衬底的内部部分、环绕所述内部部分的升降环，所述升降环被布置成支撑衬底的外边缘、以及控制器，其被配置为控制致动器以通过选择性地升高和降低升降环和衬底支撑件的内部部分中的至少一个来调节所述升降环相对于所述内部部分的高度。为了调节升降环的高度，控制器选择性地将升降环的高度调节到用于将衬底传送到升降环和从升降环取回衬底的传送高度，并且调节升降环的高度到用于处理衬底的处理高度。
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公开(公告)号：CN107086178A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201710076114.8
申请日：2017-02-13
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/311 , H01L21/67
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/321 , H01J37/3211 , H01J37/32155 , H01J37/32449 , H01J37/32816 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/32137
摘要： 本发明提供一种用于选择性蚀刻膜的系统和方法。一种用于相对于衬底的另一种暴露材料选择性蚀刻衬底的一种暴露材料的方法，包括：a)将衬底布置在处理室中；b)设定室压强；c)为RF等离子体设置RF频率和RF功率；d)将等离子体气体混合物供应到所述处理室；e)以电模式(E‑模式)和磁模式(H‑模式)之一在处理室中激励RF等离子体；和f)在所述衬底的等离子体处理期间，改变所述室压强、所述RF频率、所述RF功率和所述等离子体气体混合物中的至少一个，以从所述E模式和所述H模式中的一个切换到所述E模式和所述H模式中的另一个。
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