-
公开(公告)号：CN107686983A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710659204.X
申请日：2017-08-04
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫
IPC分类号： C23C16/32
CPC分类号： H01L21/02532 , C23C16/01 , H01L21/02422 , H01L21/02529 , H01L21/0262 , H01L21/304 , C23C16/325
摘要： 本发明涉及一种部分净形状和部分近净形状的碳化硅化学气相沉积。一种用于在衬底处理系统中制造具有暴露于等离子体的表面的结构的方法，包括：提供具有第一形状的牺牲衬底，将衬底加工成第二形状，所述第二形状具有对应于所述结构的期望最终形状的尺寸，在衬底上沉积材料层，加工材料层的第一选定部分以使材料层内的衬底暴露，去除衬底的剩余部分，以及将材料层的第二选定部分加工成具有期望最终形状的结构，而在处理期间不加工结构的暴露于等离子体的表面。
-
公开(公告)号：CN116157909A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202180058320.0
申请日：2021-07-30
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 大卫·赛顿 , 安巴理什·查哈特 , 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫 , 丹·马罗尔 , 克雷格·罗斯利
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 一种用于衬底处理系统的薄遮蔽环包含环形主体，所述环形主体具有内直径和外直径。所述内直径和所述外直径限定所述环形主体的在所述内直径与所述外直径之间的横截面宽度。至少两个突出部从所述环形主体向外径向延伸。所述内直径与所述外直径之间的所述环形主体的所述横截面宽度小于1.0英寸。
-
公开(公告)号：CN113506719A
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN202110539388.2
申请日：2017-03-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环之类的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。
-
公开(公告)号：CN112640084A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN201980056461.1
申请日：2019-08-22
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/67 , H01L21/683 , H01L21/3065
摘要： 一种用于衬底处理系统的约束环包含下壁、外壁和上壁，其限定在所述约束环内的等离子体区域。第一多个槽形成于所述下壁内。所述第一多个槽提供在所述约束环内的所述等离子体区域和所述约束环外部的环境之间的流体连通。凹部被限定在所述下壁的下表面中。下环被设置在所述下表面的所述凹部内。所述下环包含第二多个槽，所述第二多个槽提供在所述约束环内的所述等离子体区域和在所述约束环外部的环境之间的经由所述第一多个槽的流体连通。
-
公开(公告)号：CN113506719B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202110539388.2
申请日：2017-03-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。
-
公开(公告)号：CN107393797B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201710122891.1
申请日：2017-03-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形边缘环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。
-
公开(公告)号：CN115943477A
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN202180051462.4
申请日：2021-08-17
申请人： 朗姆研究公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 提供一种用于等离子体处理室的部件。部件包含部件主体。部件的面向等离子体表面适用于在等离子体处理室中面对等离子体。面向半导体处理的表面包含：1)掺有掺杂剂的硅的层，其中所述掺杂剂为下列至少一者：碳、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内；或2)掺有掺杂剂的碳的膜层，其中所述掺杂剂为下列至少一者：硅、硼、钨、钼和钽，其中所述掺杂剂的摩尔百分比浓度介于0.01％至50％的范围内；或3)主要由硼所构成的层；或4)主要由钽所构成的层。
-
公开(公告)号：CN107393797A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710122891.1
申请日：2017-03-03
申请人： 朗姆研究公司
发明人： 贾斯廷·查尔斯·卡尼夫
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： C23C16/50 , C23C16/4404 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , H01J37/32357 , H01J37/32477 , H01J37/32642 , H01J37/32715 , H01L21/6831 , H01L21/68735 , H01L21/68757 , H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32431 , H01J37/32807
摘要： 一种包括具有高纯SP3键的CVD金刚石涂层的边缘环的部件。一种用于等离子体处理系统的基座包括衬底支撑表面。环形边缘环围绕衬底支撑表面的周边布置。化学气相沉积(CVD)金刚石涂层布置在环形环的暴露于等离子体的表面上。CVD金刚石涂层包括sp3键。金刚石涂层中的sp3键的纯度大于90％。
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
8 条记录 (耗时 0.018 秒)
