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公开(公告)号：CN100351696C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200380108838.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F1/365 , G02F2201/063
Abstract: 一种光波导器件包括转换入射光波长和发射转换光的波导层。在该波导层中，设置脊形波导和条形波导，该条形波导形成在脊形波导的两侧，且在条形波导和脊形波导之间插入凹槽部分。该波导层满足入射光的多模条件，并且在脊形波导中传播的光是单模。
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公开(公告)号：CN1739060A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108838.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3775 , G02F1/3558 , G02F1/365 , G02F2201/063
Abstract: 一种光波导器件包括转换入射光波长和发射转换光的波导层。在该波导层中，设置脊形波导和条形波导，该条形波导形成在脊形波导的两侧，且在条形波导和脊形波导之间插入凹槽部分。该波导层满足入射光的多模条件，并且在脊形波导中传播的光是单模。
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公开(公告)号：CN100409098C
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200380108926.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2201/30
Abstract: 一种光学波导设备包括由非线性光学材料组成的基板和具有与该非线性光学材料相同成分的周期性的畴反转结构。该畴反转结构具有依赖于该畴反转结构的折射率分布。
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公开(公告)号：CN1739061A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200380108926.2
申请日：2003-12-22
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 日本碍子株式会社
IPC: G02F1/377
CPC classification number: G02F1/3558 , G02F1/3775 , G02F2201/30
Abstract: 一种光学波导设备包括由非线性光学材料组成的基板和具有与该非线性光学材料相同成分的周期性的畴反转结构。该畴反转结构具有依赖于该畴反转结构的折射率分布。
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公开(公告)号：CN114341410B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202080058516.5
申请日：2020-07-17
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明的课题在于，在晶种基板上培养13族元素氮化物结晶层时，能够进一步降低13族元素氮化物结晶层的位错密度。在单晶基板1上的氧化铝层2上设置包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的晶种层3。通过在950℃以上1200℃以下的温度的还原气氛中进行退火而在晶种层3的表面3a以使得利用原子力显微镜测定的RMS值为180nm～700nm的方式形成凹凸。在晶种层3的表面3a培养包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的13族元素氮化物结晶层13。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111886368B
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN201980018739.6
申请日：2019-02-14
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成的13族元素氮化物结晶层中，能够降低表面的位错缺陷，改善功能层的成品率及效率。包含多晶13族元素氮化物的13族元素氮化物层由在大致法线方向上沿特定结晶方位取向的多个单晶粒子构成。13族元素氮化物包含氮化镓、氮化铝、氮化铟或它们的混晶。13族元素氮化物层具有上表面和底面，所述上表面的X射线摇摆曲线的(1000)晶面反射的半值宽度为20000秒以下1500秒以上。
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公开(公告)号：CN111094638B
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN111094638A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201880059295.6
申请日：2018-09-26
Applicant: 日本碍子株式会社
IPC: C30B29/38 , H01L21/205
Abstract: 提供一种用于在基底结晶层的结晶培养面上培养13族元素氮化物结晶层的基底基板，该基底基板具有：能够进一步减少13族元素氮化物结晶层中的缺陷、裂纹的结构。基底基板(6)具备：支撑基板(1)，其由氧化铝构成；以及基底结晶层(2A)，其设置在支撑基板(1)的主面(1a)上，该基底结晶层(2A)由13族元素氮化物结晶层构成，且具有结晶培养面(2a)。在支撑基板(1)与基底结晶层(2A)之间存在有支撑基板的材质与13族元素氮化物结晶的反应物、以及13族金属中的至少一者(4A)。反应物至少包含铝和13族元素。
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公开(公告)号：CN105830237B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201480069022.1
申请日：2014-12-08
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 本发明提供一种发光元件用复合基板，所述发光元件用复合基板适于以低成本制造大面积的发光元件。该发光元件用复合基板包含：由取向多晶氧化铝烧结体构成的基板和形成在基板上的发光功能层，上述发光功能层具有二层以上在大致法线方向具有单晶结构的、由多个半导体单晶粒子构成的层。
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公开(公告)号：CN107002286B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201580065227.7
申请日：2015-11-19
Applicant: 日本碍子株式会社
Abstract: 在结晶层3的与主面3a、3b垂直的截面处，存在载流子浓度为1×1018/cm3以上的高载流子浓度区域10和载流子浓度为9×1017/cm3以下的低载流子浓度区域9，低载流子浓度区域9为细长的形状，低载流子浓度区域9具有缔合部11，低载流子浓度区域9在一对主面3a、3b之间连续。
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