静电电容式半导体物理量传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN100498256C

    公开(公告)日:2009-06-10

    申请号:CN200580011007.2

    申请日:2005-12-12

    CPC classification number: G01L9/0042 G01L1/14

    Abstract: 在静电电容式半导体物理量传感器中,玻璃衬底和硅衬底相互面对的周边区域(连接区域)接触以用于阳极连接,而同时该玻璃衬底和该硅衬底具有在其间施加的阳极连接电压以结合为一体。在硅衬底的连接面侧的表面上形成固定电极,而在半导体衬底的连接面侧的表面上形成可移动电极。在阳极连接之前,在该连接区域内侧的玻璃衬底的连接面侧的表面上形成有等电位配线,其使固定电极短接于可移动电极,以作为针对阳极连接中放电的对策。在阳极连接之后,该等电位配线被切断并去除。通过以这种方式制造传感器,在绝缘衬底与半导体衬底阳极连接时,使绝缘衬底的固定电极与半导体衬底的可移动电极等电位,从而防止了放电的产生。因此,可以获得高连接力和所需的传感器特性,而不会引起连接空隙的产生和传感器芯片尺寸的增大。

    半导体加速度传感器
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1942768A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200680000185.X

    申请日:2006-01-20

    CPC classification number: G01P15/08 G01P2015/0871

    Abstract: 一种半导体加速度传感器,其具有形成为用于包围锤部的大致为L形梁部,其中两个细长的L形梁部形成为包围着俯视时所示的并构成锤部的正方形部,在靠近所述梁部的基端部的位置处形成有从固定部朝向锤部突出的凸出部和从锤部朝向固定部突出的包围该凸出部的容置凹入部。凸出部的外部形状与容置凹入部的内壁表面基本相同,以便由于容置凹入部容置凸出部而使锤部在垂直于上下方向的水平方向中的任一方向上的运动均受到限制。因此,即使当对加速度传感器施加侧向冲击时,也能显著地防止锤部运动,从而防止过大的应力施加于梁部而使梁部破损。

    静电电容式半导体物理量传感器及其制造方法

    公开(公告)号:CN1942746A

    公开(公告)日:2007-04-04

    申请号:CN200580011007.2

    申请日:2005-12-12

    CPC classification number: G01L9/0042 G01L1/14

    Abstract: 在静电电容式半导体物理量传感器中,玻璃衬底和硅衬底相互面对的周边区域(连接区域)接触以用于阳极连接,而同时该玻璃衬底和该硅衬底具有在其间施加的阳极连接电压以结合为一体。在硅衬底的连接面侧的表面上形成固定电极,而在半导体衬底的连接面侧的表面上形成可移动电极。在阳极连接之前,在该连接区域内侧的玻璃衬底的连接面侧的表面上形成有等电位配线,其使固定电极短接于可移动电极,以作为针对阳极连接中放电的对策。在阳极连接之后,该等电位配线被切断并去除。通过以这种方式制造传感器,在绝缘衬底与半导体衬底阳极连接时,使绝缘衬底的固定电极与半导体衬底的可移动电极等电位,从而防止了放电的产生。因此,可以获得高连接力和所需的传感器特性,而不会引起连接空隙的产生和传感器芯片尺寸的增大。

    半导体加速度传感器
    7.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100554970C

    公开(公告)日:2009-10-28

    申请号:CN200680000185.X

    申请日:2006-01-20

    CPC classification number: G01P15/08 G01P2015/0871

    Abstract: 本发明涉及一种半导体加速度传感器,其具有形成为用于包围锤部的大致为L形梁部,其中两个细长的L形梁部形成为包围着俯视时所示的并构成锤部的正方形部,在靠近所述梁部的基端部的位置处形成有从固定部朝向锤部突出的凸出部和从锤部朝向固定部突出的包围该凸出部的容置凹入部。凸出部的外部形状与容置凹入部的内壁表面基本相同,以便由于容置凹入部容置凸出部而使锤部在垂直于上下方向的水平方向中的任一方向上的运动均受到限制,在该凸出部的底部中形成有开口。因此,即使当对加速度传感器施加侧向冲击时,也能显著地防止锤部运动,从而防止过大的应力施加于梁部而使梁部破损。

    微动继电器
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1578997A

    公开(公告)日:2005-02-09

    申请号:CN03801415.7

    申请日:2003-07-31

    CPC classification number: H01H50/005 H01H50/023 H01H50/026 H01H2050/007

    Abstract: 一种微动继电器,包括机身(1),电枢组件(3)和盖(4)。机身(1)具有电磁机构(2)并由硅或玻璃制成。盖也由硅或玻璃制成。由硅制成的电枢组件(3)一体地形成有电枢基座(30)和框架(31),框架(31)环绕电枢基座(30)的整个周边,并旋转支撑电枢基座(30)。电枢基座(30)在其下表面上设置有磁性元件(32)以构成电枢(300)。当电枢(300)转动时,固定触点(14A、14B、15A、15B)接触活动触点(33B)或与其分开。当框架(31)沿其整个周边直接粘结到机身(1)的周边(19)和盖(4)的周边(41)时,在机身(1)和盖(4)之间形成由框架(31)环绕的密封空间。电枢(300)、固定触点(14,15)和活动触点(33B)容纳在该密封空间内。

    微动继电器
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1260762C

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN03801415.7

    申请日:2003-07-31

    CPC classification number: H01H50/005 H01H50/023 H01H50/026 H01H2050/007

    Abstract: 一种微动继电器,包括机身(1),电枢组件(3)和盖(4)。机身(1)具有电磁机构(2)并由硅或玻璃制成。盖也由硅或玻璃制成。由硅制成的电枢组件(3)一体地形成有电枢基座(30)和框架(31),框架(31)环绕电枢基座(30)的整个周边,并旋转支撑电枢基座(30)。电枢基座(30)在其下表面上设置有磁性元件(32)以构成电枢(300)。当电枢(300)转动时,固定触点(14A、14B、15A、15B)接触活动触点(33B)或与其分开。当框架(31)沿其整个周边直接粘结到机身(1)的周边(19)和盖(4)的周边(41)时,在机身(1)和盖(4)之间形成由框架(31)环绕的密封空间。电枢(300)、固定触点(14,15)和活动触点(33B)容纳在该密封空间内。

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