氮化铝单晶复合衬底的制备方法

    公开(公告)号:CN117690780B

    公开(公告)日:2024-06-14

    申请号:CN202311691504.8

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: H01L21/02 H01L31/18

    摘要: 一种氮化铝单晶复合衬底的制备方法,属于复合材料制备领域。氮化铝单晶复合衬底的制备方法包括:在衬底的表面沉积氮化铝多晶膜层,退火使氮化铝多晶膜层重结晶形成氮化铝单晶膜层,保持退火气氛及退火温度,自衬底背离氮化铝单晶膜层的一侧对衬底进行减薄处理,冷却,获得氮化铝单晶复合衬底;该制备方法通过在高温退火重结晶后减薄衬底,以减少在冷却过程中因衬底与氮化铝单晶膜层之间的热失配引入的应力,减少位错生成,提高氮化铝单晶膜层的结晶质量,最终获得具有高结晶质量的氮化铝单晶复合衬底。

    具有超薄缓冲层结构的复合衬底及其制备方法、紫外发光器件

    公开(公告)号:CN118572001A

    公开(公告)日:2024-08-30

    申请号:CN202410755520.7

    申请日:2024-06-12

    IPC分类号: H01L33/12 H01L33/00

    摘要: 一种具有超薄缓冲层结构的复合衬底及其制备方法、紫外发光器件,属于复合材料领域。复合衬底包括衬底、以及形成于衬底表面的超薄缓冲层结构,超薄缓冲层结构包括:形成于衬底的表面的第一单晶氮化铝薄膜,形成于第一单晶氮化铝薄膜上的Al0.55Ga0.45N/AlN超晶格结构缓冲层,以及形成于超晶格结构缓冲层的表面的第二单晶氮化铝薄膜;第一单晶氮化铝薄膜、超晶格结构缓冲层及第二单晶氮化铝薄膜的应力状态均为张应力。复合衬底通过缓冲层结构的变化实现缓冲层整体呈张应力且厚度大幅度减薄,使其不仅能够进行紫外发光器件的外延制备,而且能够降低紫外发光器件的制备难度及制备成本,提高产品质量。

    氮化铝单晶复合衬底的制备方法

    公开(公告)号:CN117690780A

    公开(公告)日:2024-03-12

    申请号:CN202311691504.8

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: H01L21/02 H01L31/18

    摘要: 一种氮化铝单晶复合衬底的制备方法,属于复合材料制备领域。氮化铝单晶复合衬底的制备方法包括:在衬底的表面沉积氮化铝多晶膜层,退火使氮化铝多晶膜层重结晶形成氮化铝单晶膜层,保持退火气氛及退火温度,自衬底背离氮化铝单晶膜层的一侧对衬底进行减薄处理,冷却,获得氮化铝单晶复合衬底;该制备方法通过在高温退火重结晶后减薄衬底,以减少在冷却过程中因衬底与氮化铝单晶膜层之间的热失配引入的应力,减少位错生成,提高氮化铝单晶膜层的结晶质量,最终获得具有高结晶质量的氮化铝单晶复合衬底。

    超薄氮化铝单晶复合衬底及其制备方法和紫外发光器件

    公开(公告)号:CN117637442A

    公开(公告)日:2024-03-01

    申请号:CN202311691709.6

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: H01L21/02 H01L33/00 H01L33/12

    摘要: 一种超薄氮化铝单晶复合衬底及其制备方法和紫外发光器件,属于复合材料制备领域。该制备方法包括:用氧等离子体处理c轴取向的蓝宝石衬底,以在蓝宝石衬底的表面形成改性层;在改性层上沉积厚度为30nm‑100nm的多晶氮化铝膜层,高温退火以使多晶氮化铝重结晶,冷却,获得超薄氮化铝单晶复合衬底;通过氧等离子体对c轴取向的蓝宝石衬底表面进行处理以及控制多晶氮化铝膜层的厚度,使得超薄的多晶氮化铝膜层在高温退火重结晶后,不仅能够获得无黑点且界面稳定性佳的高质量单晶氮化铝膜层,而且获得的单晶氮化铝膜层的应力状态为张应力,张应力状态有利于实现后续中紫外/深紫外波段发光二极管的外延制备。

    一种硅基氮化铝复合衬底及其制备方法

    公开(公告)号:CN117604471A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311567886.3

    申请日:2023-11-22

    IPC分类号: C23C14/35 C23C14/06 C23C14/54

    摘要: 本申请提供一种硅基氮化铝复合衬底及其制备方法,涉及复合材料制备领域。该制备方法包括:采用反应磁控溅射法在硅衬底的表面形成第一氮化铝薄膜,继续采用反应磁控溅射法在第一氮化铝薄膜的表面形成第二氮化铝薄膜,其中第二氮化铝薄膜和第一氮化铝膜薄膜均为柱状晶,重复上述步骤,以获得由第一氮化铝薄膜和第二氮化铝薄膜依次交替呈周期性变化的氮化铝薄膜。通过控制第一氮化铝薄膜和第二氮化铝薄膜的厚度及结晶质量,最终弛豫硅衬底上溅射氮化铝薄膜所具有的张应力,最终获得具有低应力状态且能够应用于射频滤波器等后端器件中的硅基氮化铝复合衬底,有利于提高后端器件的良率与重复性。

    超薄氮化铝单晶复合衬底及其制备方法和紫外发光器件

    公开(公告)号:CN117637442B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202311691709.6

    申请日:2023-12-08

    IPC分类号: H01L21/02 H01L33/00 H01L33/12

    摘要: 一种超薄氮化铝单晶复合衬底及其制备方法和紫外发光器件,属于复合材料制备领域。该制备方法包括:用氧等离子体处理c轴取向的蓝宝石衬底,以在蓝宝石衬底的表面形成改性层;在改性层上沉积厚度为30nm‑100nm的多晶氮化铝膜层,高温退火以使多晶氮化铝重结晶,冷却,获得超薄氮化铝单晶复合衬底;通过氧等离子体对c轴取向的蓝宝石衬底表面进行处理以及控制多晶氮化铝膜层的厚度,使得超薄的多晶氮化铝膜层在高温退火重结晶后,不仅能够获得无黑点且界面稳定性佳的高质量单晶氮化铝膜层,而且获得的单晶氮化铝膜层的应力状态为张应力,张应力状态有利于实现后续中紫外/深紫外波段发光二极管的外延制备。