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公开(公告)号：CN103579427A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201310330343.X
申请日：2013-08-01
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0062 , H01L33/0075 , H01L33/06
摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。所述第二半导体层被设置在所述第一半导体层的[0001]方向侧。所述发光层包括第一阱层、第二阱层和第一势垒层。所述势垒层的In组成比低于所述第一阱层和所述第二阱层的In组成比。所述势垒层包括第一部分和第二部分。所述第二部件具有第一区域和第二区域。所述第一区域具有比所述第一部分的In组成比高的第一In组成比。所述第二区域被设置在所述第一区域和所述第一阱层之间。所述第二区域具有低于所述第一In组成比的第二In组成比。
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公开(公告)号：CN103915531A
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN201310741264.8
申请日：2013-12-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/325 , H01S5/3211 , H01S5/3407 , H01S5/34333 , H01S5/34346
摘要： 本公开涉及一种半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括其中包括氮化物半导体的n型半导体层、p型半导体层和发光层。所述p型半导体层包括其中包括Mg的Alx1Ga1-x1N(0≤x1
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公开(公告)号：CN102194942A
公开(公告)日：2011-09-21
申请号：CN201010275579.4
申请日：2010-09-08
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。
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公开(公告)号：CN109524308A
公开(公告)日：2019-03-26
申请号：CN201810160353.6
申请日：2018-02-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/06 , H01L29/78
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法，能够得到高阈值。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3层以及绝缘层。第1层包括远离第1电极的第1面、远离第2电极的第2面以及远离第3电极并且倾斜的第3面。第2层包括设置于第1电极与第1面之间的第1部分区域、设置于第2电极与第2面之间的第2部分区域以及设置于第3电极与第3面之间的第3部分区域。第3层包括设置于第1电极与第1部分区域之间的第4部分区域、设置于第2电极与第2部分区域之间的第5部分区域以及设置于第3电极与第3部分区域之间的第6部分区域。与第4、第5部分区域、第1、第2电极分别电连接。绝缘层设置于第3电极与第6部分区域之间。
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公开(公告)号：CN109119471A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810160330.5
申请日：2018-02-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。
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公开(公告)号：CN102194942B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010275579.4
申请日：2010-09-08
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y20/00 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： 本发明涉及半导体发光器件及其制造方法。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括包含氮化物半导体的n型半导体层、包含氮化物半导体的p型半导体层、发光部以及层叠体。所述发光部被设置在所述n型半导体层与所述p型半导体层之间并包括势垒层和阱层。所述阱层与所述势垒层层叠。所述层叠体被设置在所述发光部与所述n型半导体层之间并包括第一层和第二层。所述第二层与所述第一层层叠。所述层叠体的平均In组成比高于所述发光部的平均In组成比的0.4倍。所述势垒层的层厚度tb为10nm或更小。
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公开(公告)号：CN103296172A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201310157655.5
申请日：2010-09-07
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L33/38
摘要： 本发明涉及半导体发光器件。根据一个实施例，一种半导体发光器件包括层叠的结构体、第一电极和第二电极。所述层叠的结构体包括第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、以及发光部。所述层叠的结构体具有位于所述第二半导体层侧的第一主表面。所述第一电极被设置在所述第一半导体上。所述第二电极被设置在所述第二半导体层上。所述第一电极包括第一衬垫部和从所述第一衬垫部沿第一延伸方向延伸的第一延伸部。所述第一延伸部包括第一宽度增大部。所述第一宽度增大部的沿与所述第一延伸方向正交的方向的宽度从所述第一衬垫部朝向所述第一延伸部的端部增大。
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公开(公告)号：CN110491938B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN201910158431.3
申请日：2019-03-04
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L29/778 , H01L23/373
摘要： 本发明提供一种半导体装置。根据实施方式，半导体装置包含第一～第三区域和第一～第三电极。第一区域包含SiC，包含第一、第二部分区域、和第一、第二部分区域之间的第三部分区域。从第一部分区域向第一电极的方向、从第二部分区域向第二电极的方向、从第三部分区域向第三电极的方向沿第一方向。从第一电极向第二电极的第二方向与第一方向交叉。在第二方向，第三电极位于第一、第二电极之间。第二区域包含Alx2Ga1‑x2N(0.2≤x2
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公开(公告)号：CN109119471B
公开(公告)日：2021-07-30
申请号：CN201810160330.5
申请日：2018-02-27
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/20 , H01L21/336
摘要： 本发明涉及半导体装置及其制造方法，提供能够降低导通电阻的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3半导体区域。第1电极处于第2、第3电极之间。第1半导体区域包括Alx1Ga1－x1N。第1半导体区域的第1～第3部分区域远离第1～第3电极。第1部分区域比第2、第3部分区域厚。第2半导体区域包括Alx2Ga1－x2N(x2＜x1)。第2半导体区域的第4～第6部分区域处于第1电极与第1部分区域之间、第2电极与第2部分区域之间、第3电极与第3部分区域之间。第4部分区域比第5、第6部分区域薄。第3半导体区域包括Alx3Ga1－x3N(x2＜x3)。第3半导体区域处于第2电极与第5部分区域之间以及第3电极与第6部分区域之间。
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