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公开(公告)号：CN112447774B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202010160103.X
申请日：2020-03-10
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L27/144 , G01S17/894 , G01S17/931 , G01S7/4861 , G01S7/4913 , G01S7/481
摘要： 提供能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括导电层、第1元件、第2元件、导电性的第1构件、第1绝缘部及第2绝缘部。导电层包括第1导电部分及第2导电部分。第1构件设置于第1元件与第2元件之间。第1构件与导电层电连接。第1绝缘部设置于第1元件与第1构件之间。第2绝缘部设置于第2元件与第1构件之间。
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公开(公告)号：CN104460219A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410403931.6
申请日：2014-08-15
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G03B35/10
CPC分类号： H04N13/271 , G01S5/00 , G01S11/12 , G02B3/0037 , G02B27/0075 , G06T7/557 , G06T7/593 , G06T2207/10016 , H04N5/2251 , H04N13/239 , H04N2013/0081 , G03B35/10
摘要： 根据一个实施例，固态成像设备包括第一成像设备、第二成像设备、以及计算单元。该第一成像设备包括第一光学系统、第一成像单元、以及在该第一光学系统和第一成像单元之间提供的第二光学系统。该第二成像设备包括第三光学系统、第二成像单元，以及在该第三光学系统和第二成像单元之间提供的第四光学系统。该计算单元被配置为执行第一计算以及第二计算。该第一计算包括从立体差异推导出第一距离。该第二计算包括从视差图像推导出第二距离。该计算单元被配置为基于从该第一距离和第二距离中选择出的至少一个估算目标距离。
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公开(公告)号：CN113437173A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944838.1
申请日：2020-09-10
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
摘要： 提供能够提高灵敏度的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及结构体。元件包括第一导电型的第一半导体区域、第一导电型的第二半导体区域及第二导电型的第三半导体区域。第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第三半导体区域设置于第二半导体区域之上。结构体在与第一方向垂直的第一面中设置于元件的周围。结构体包括第一绝缘部、含金属部及第二绝缘部。含金属部设置于比第一绝缘部靠上方的位置。所述含金属部的至少一部分位于与所述第三半导体区域相同的高度。第二绝缘部在所述第一面中位于含金属部与元件之间。第一绝缘部的厚度大于所述第二绝缘部的所述第一面中的厚度。
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公开(公告)号：CN104935790A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510108729.5
申请日：2015-03-12
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G02B13/0015 , G01S7/4813 , G02B3/0056 , H04N5/2254 , H04N13/218 , H04N13/254 , H04N13/271
摘要： 本申请公开了成像系统。根据一个实施例，成像系统包括图像传感器、成像透镜、微透镜阵列、辐射器、距离信息获取单元、以及控制器。微透镜阵列包括以预定节距布置的多个微透镜，这些微透镜分别关联于像素块。辐射器发射光以将图案投影到物体上。距离信息获取单元基于源自由图像传感器执行的光电转换的信号而获取与深度方向上至物体的距离有关的信息。控制器控制辐射器，以使包含在由物体反射的并由成像透镜和微透镜在图像传感器上缩小的图案中所包含的图像小于由每个微透镜各自形成在图像传感器上的图像的布置节距并大于像素的两倍。
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公开(公告)号：CN114156362B
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202110211234.0
申请日：2021-02-25
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L27/144 , G01S17/08 , G01S17/86
摘要： 本发明涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体，能够提高可靠性。根据实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。第1区域设置在第1半导体层的一部分之上。第1区域包括具有比第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域、和设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域。猝灭部与第2半导体区域电连接。第2区域设置在第1半导体层的另外的一部分之上。第2区域包括第2导电型的第3半导体区域、和设置在第3半导体区域的一部分之上的第1导电型的第4半导体区域。第1层设置在第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。
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公开(公告)号：CN112820794A
公开(公告)日：2021-05-18
申请号：CN202010944839.6
申请日：2020-09-10
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
摘要： 提供一种能够提高性能的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括：包括光电二极管的多个元件。所述多个元件的至少一部分分别包括结构体，该结构体包围所述光电二极管且具有与所述光电二极管不同的折射率。各个所述结构体的至少一部分相互分离。
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公开(公告)号：CN104954643A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510125617.0
申请日：2015-03-20
申请人： 株式会社东芝
CPC分类号： G02B3/0037 , G01B11/14 , G02B3/0056 , G06K9/209 , G06K9/32 , G06K9/42 , G06K9/6202
摘要： 本申请公开了图像处理方法和成像设备。根据一实施例，在成像设备中实现一种图像处理方法，该成像设备包括：微透镜阵列，该微透镜阵列包括微透镜；主透镜，其被配置成将来自摄影对象的光引导至微透镜阵列；以及图像传感器，其被配置成在光通过主透镜和微透镜阵列后接收该光。该方法包括：获得由图像传感器捕捉的图像；根据图像高度来设置包括在所述图像中并由微透镜形成的微透镜图像中的感兴趣的微透镜图像和比较目标微透镜图像的排布；通过将感兴趣微透镜图像与比较目标微透镜图像作比较而检测感兴趣微透镜图像与每个比较目标微透镜图像之间的图像偏移量；并使用该图像偏移量来计算与感兴趣微透镜图像对应的距离。
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公开(公告)号：CN104932151A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510111759.1
申请日：2015-03-13
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G02F1/1339 , G02F1/1343 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133526 , G02B13/0015 , G02F1/133371 , G02F2201/52 , G03B3/10 , G03B13/18 , G03B35/10 , G02F1/13394 , G02F1/133514 , G02F1/134309
摘要： 本申请公开了液晶光学元件和图像装置。液晶光学元件，包括第一电极、第二电极、第一对准薄膜、第二对准薄膜、间隔件、和液晶层。第一电极包括多个透镜部件。第二电极与第一电极对置。第一对准薄膜被形成在第一电极和第二电极之间。第二对准薄膜被形成在第一对准薄膜和第二电极之间。间隔件被设置在第一电极和第二电极之间。该间隔件被规则地布置，各自位于透镜部件的边缘处。液晶层被设置在第一对准薄膜和第二对准薄膜之间。
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公开(公告)号：CN104932132A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510116513.3
申请日：2015-03-17
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/1337 , G02F1/133723 , G02F1/133784 , G02F1/133788 , G02F1/29 , G02F2001/133738 , G02F2001/133749 , G02F2001/133773 , G02F2001/134381 , G02F2001/294 , G02F1/134309
摘要： 公开了液晶光学元件和成像设备。在液晶光学元件中，第一基板包括第一主表面。第二基板包括与第一主表面相对的第二主表面。第一电极设置在第一主表面上。公共电极设置在第二主表面上。液晶层在第一主表面和第二主表面之间形成。第一对准层在第一基板和液晶层之间形成。第二对准层在第二基板和液晶层之间形成。第一对准层的锚固力弱于第二对准层的锚固力。
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公开(公告)号：CN112614899A
公开(公告)日：2021-04-06
申请号：CN202010160592.9
申请日：2020-03-10
申请人： 株式会社东芝
IPC分类号： H01L31/02 , H01L23/64 , H01L23/62 , H01L25/16 , H01L31/107 , G01S17/08 , G01S17/894 , G01S7/486 , G01S7/4912
摘要： 提供能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。根据实施方式，光检测器包括元件及淬灭电阻。所述元件包括光电二极管。所述淬灭电阻与所述元件电连接，并且包括元件、半导体构件及互相分离地设置且与所述半导体构件电连接的多个第1金属构件。根据上述构成的光检测器，能够减少淬灭电阻中的电阻温度依赖性。
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