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公开(公告)号：CN101108966A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137061.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B33/24
Abstract: 本发明提供一种铕激活的原硅酸碱土类荧光体，其包含具有由下述通式(1)表示的组成的化合物，并且在用波长254nm的紫外光激发时，显示出具有600nm以上的峰值波长的发光带。在式(1)中，x，y，z和w满足下述关系式(2)，(4)～(7)，而且在a为573、b为467、c为623、d为736时，为满足(3)式的值。(Srx，Bay，Caz，Euw)2SiO4(1)；x+y+z+w＝1 (2)；600≤ax+by+cz+dw (3)；0≤x/(1－w)≤0.95 (4)；0≤y/(1－w)≤0.4 (5)；0＜z/(1－w)≤0.95 (6)；0.02≤w≤0.2 (7)。
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公开(公告)号：CN101353576B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810145642.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。该制造含氮荧光物质的方法包括：在含氮气的混合气体氛围中烧结由通式M2SiO4:Z表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由通式M2Si5N8:Z表示的含氮荧光物质，其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
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公开(公告)号：CN101353576A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810145642.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。该制造含氮荧光物质的方法包括：在含氮气的混合气体氛围中烧结由通式M2SiO4:Z表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由通式M2Si5N8:Z表示的含氮荧光物质，其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
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公开(公告)号：CN100513516C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510081970.X
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请涉及含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。所公开的制造含氮荧光物质的方法包括：在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者多种元素的氧化物荧光物质；然后在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
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公开(公告)号：CN115997281A
公开(公告)日：2023-04-21
申请号：CN202180050684.4
申请日：2021-08-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种能够得到稳定特性的导电部件、电子装置以及导电部件的制造方法。根据实施方式，导电部件包括：包括金属纳米线的第1层、包括聚噻吩部件的第2层、以及包括含有石墨烯骨架的石墨烯部件的第3层。所述第2层设置在所述金属纳米线与所述第3层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115569648A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211426631.0
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B01J23/652 , B01J23/60 , B01J23/50 , B01J23/648 , B01J23/62 , B01J37/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A01N59/16 , A01P1/00 , B01D53/86 , B01D53/72 , B01D53/58 , C02F1/30
Abstract: 本发明提供高活性且能够简便地制作且不易剥离的光催化剂复合材料、其制作方法及光催化剂装置。一种光催化剂复合材料，其包含基材和由光催化剂粒子形成的光催化剂层，与基材表面相接的光催化剂层的平均粒径小于光催化剂层表面的平均粒径。
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公开(公告)号：CN114302773A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202080058863.8
申请日：2020-08-04
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝能源系统株式会社
Abstract: 根据实施方式，涂敷装置包括第1管、第1泵、第1、第2喷嘴以及保持部。第1管包括第1流入口、第1流出口以及第2流出口。第1泵可朝向第1流入口供给液体。第1喷嘴包括第1喷嘴流入口以及第1喷嘴排出口。第1喷嘴流入口与第1流出口连接。第1喷嘴排出口可将通过了第1管的液体排出。第2喷嘴包括第2喷嘴流入口以及第2喷嘴排出口。第2喷嘴流入口与第2流出口连接。第2喷嘴排出口可将通过了第1管的液体排出。保持部保持第1、第2喷嘴。保持部可形成第1、第2状态。在第1状态下，第1喷嘴排出口的高度以及第2喷嘴排出口的高度在第1管的高度以上。在第2状态下，第1喷嘴排出口的高度以及第2喷嘴排出口的高度也比第1管的高度低。
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公开(公告)号：CN110893342A
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：CN201910863185.1
申请日：2019-09-12
Applicant: 株式会社东芝
IPC: B01J23/652 , B01J23/60 , B01J23/50 , B01J23/648 , B01J23/62 , B01J37/02 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , A01N59/16 , A01P1/00 , B01D53/86 , B01D53/72 , B01D53/58 , C02F1/30
Abstract: 本发明提供高活性且能够简便地制作且不易剥离的光催化剂复合材料、其制作方法及光催化剂装置。一种光催化剂复合材料，其包含基材和由光催化剂粒子形成的光催化剂层，与基材表面相接的光催化剂层的平均粒径小于光催化剂层表面的平均粒径。
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公开(公告)号：CN100587986C
公开(公告)日：2010-02-03
申请号：CN200810004026.8
申请日：2008-01-16
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/44 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , Y10S362/80 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种发光器件，包括发射激发光的发光元件和荧光元件。所述荧光元件包括面向发光元件的透射激发光的半透明膜；包括磷光体的发光膜，用来吸收透射穿过半透明膜的激发光、并发射波长不同于所述激发光的可见光；以及布置在其上布置有半透明膜的发光膜相反一侧上的反射膜，用来将透射穿过发光膜的激发光反射向发光膜。
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公开(公告)号：CN100517782C
公开(公告)日：2009-07-22
申请号：CN200610093141.8
申请日：2006-06-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: H01L33/507 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2924/3025 , H01S5/005 , H01S5/02248 , H01S5/0228 , H01S5/183 , H01S5/32341 , H01S5/327 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体发光装置，包括：半导体发光元件，发射紫外范围和可见范围内的光束；以及荧光元件，吸收来自所述半导体发光元件的所述光束，并在光出射方向上输出可见光束，所述光出射方向不同于发光方向。在所述半导体发光装置内吸收由所述发光元件发射的所述光束。
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