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公开(公告)号：CN101108966A
公开(公告)日：2008-01-23
申请号：CN200710137061.2
申请日：2007-07-19
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社
CPC classification number: C09K11/7734 , C01B33/24
Abstract: 本发明提供一种铕激活的原硅酸碱土类荧光体，其包含具有由下述通式(1)表示的组成的化合物，并且在用波长254nm的紫外光激发时，显示出具有600nm以上的峰值波长的发光带。在式(1)中，x，y，z和w满足下述关系式(2)，(4)～(7)，而且在a为573、b为467、c为623、d为736时，为满足(3)式的值。(Srx，Bay，Caz，Euw)2SiO4(1)；x+y+z+w＝1 (2)；600≤ax+by+cz+dw (3)；0≤x/(1－w)≤0.95 (4)；0≤y/(1－w)≤0.4 (5)；0＜z/(1－w)≤0.95 (6)；0.02≤w≤0.2 (7)。
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公开(公告)号：CN100513516C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200510081970.X
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请涉及含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。所公开的制造含氮荧光物质的方法包括：在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者多种元素的氧化物荧光物质；然后在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101353576B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200810145642.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。该制造含氮荧光物质的方法包括：在含氮气的混合气体氛围中烧结由通式M2SiO4:Z表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由通式M2Si5N8:Z表示的含氮荧光物质，其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
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公开(公告)号：CN101353576A
公开(公告)日：2009-01-28
申请号：CN200810145642.5
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝 , 东芝照明技术株式会社 , 东芝高新材料公司
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。该制造含氮荧光物质的方法包括：在含氮气的混合气体氛围中烧结由通式M2SiO4:Z表示的氧化物荧光物质，从而将所述氧化物荧光物质的至少一部分转化为由通式M2Si5N8:Z表示的含氮荧光物质，其中M是Sr、Ba和Ca中的至少一种，Z是选自Eu和Ce的至少一种活化剂。
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公开(公告)号：CN1819289A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610003361.7
申请日：2006-01-26
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/28 , F21V7/00
CPC classification number: H01L33/50 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置，它可提高输出光的光束及其演色性。该发光二极管装置具备：发光二极管芯片(8)，它安装在基板(2)上；黄色荧光体层(13)，它覆盖发光二极管芯片，并且添加有黄色荧光体；底部、侧面镀金层(7a、7b)，它们形成于基板上，并且具有如下反射特性：在发光二极管芯片的发光波长范围内，其光反射率低于镍的光反射率，并且在黄色荧光体层中荧光发光波长范围内，其光反射率高于镍的光反射率。
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公开(公告)号：CN100428512C
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200610003361.7
申请日：2006-01-26
Applicant: 东芝照明技术株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L25/075 , H01L23/28 , F21V7/00
CPC classification number: H01L33/50 , H01L25/0753 , H01L33/60 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置，它可提高输出光的光束及其演色性。该发光二极管装置具备：发光二极管芯片(8)，它安装在基板(2)上；黄色荧光体层(13)，它覆盖发光二极管芯片，并且添加有黄色荧光体；底部、侧面镀金层(7a、7b)，它们形成于基板上，并且具有如下反射特性：在发光二极管芯片的发光波长范围内，其光反射率低于镍的光反射率，并且在黄色荧光体层中荧光发光波长范围内，其光反射率高于镍的光反射率。
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公开(公告)号：CN1721500A
公开(公告)日：2006-01-18
申请号：CN200510081970.X
申请日：2005-07-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: C01B21/0602 , C01P2002/54 , C01P2002/84 , C09K11/0883 , C09K11/7721 , C09K11/7734 , H01L33/502 , H01L2224/48091 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , Y02B20/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 本申请涉及含氮荧光物质、其制造方法以及发光器件。所公开的制造含氮荧光物质的方法包括：在由含碳材料制成的容器中容纳含两种或者多种元素的氧化物荧光物质；然后在含氮气的混合气体氛围中烧结所述氧化物荧光物质。
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