电路基板及半导体装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107408538A

    公开(公告)日:2017-11-28

    申请号:CN201680012836.0

    申请日:2016-08-01

    IPC分类号: H01L23/13 H05K1/02

    摘要: 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。

    电路基板及半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110690187A

    公开(公告)日:2020-01-14

    申请号:CN201911132791.2

    申请日:2016-08-01

    摘要: 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。

    电路基板及半导体装置
    4.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107408538B

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201680012836.0

    申请日:2016-08-01

    IPC分类号: H01L23/13 H05K1/02

    摘要: 本发明提高电路基板的TCT特性。电路基板具备具有第1、2面的陶瓷基板和介由第1、2接合层与第1、2面接合的第1、2金属板。陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上。第1接合层的第1伸出部的L1/H1、及第2接合层的第2伸出部的L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下。第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值及第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。