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公开(公告)号：CN104934447B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201510373064.0
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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公开(公告)号：CN107046040A
公开(公告)日：2017-08-15
申请号：CN201710063863.7
申请日：2017-02-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1225 , G11C11/403 , G11C11/418 , G11C11/419 , G11C29/06 , G11C2029/4402 , G11C2029/5002 , H01L27/1052 , H01L27/1207 , H01L27/127 , H01L29/78648 , H01L29/7869
Abstract: 本发明涉及半导体装置及电子设备。本发明提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括存储电路及保持电路，其中存储电路包括第一晶体管，保持电路包括第二晶体管。存储电路具有使第一晶体管处于开启状态来写入数据的功能以及使第一晶体管处于关闭状态来保持数据的功能。保持电路具有使第二晶体管处于开启状态来对第一晶体管的背栅极供应使第一晶体管处于关闭状态的第一电位的功能以及使第二晶体管处于关闭状态来保持第一电位的功能。作为第一晶体管和第二晶体管使用电特性不同的晶体管。
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公开(公告)号：CN102891181B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210250285.5
申请日：2010-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地，提供了一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN102498553B
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：CN201080041232.1
申请日：2010-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L29/786 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明提供一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
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公开(公告)号：CN104934447A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510373064.0
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/12
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2201/123 , G11C19/28 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101997036B
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201010248811.5
申请日：2010-08-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L27/1225 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/133528 , G02F1/1337 , G02F1/1339 , G02F1/13394 , G02F1/134336 , G02F1/13439 , G02F1/13454 , G02F1/136204 , G02F1/136286 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , G02F2001/133357 , G02F2201/123 , G11C19/28 , H01L27/124 , H01L27/1255 , H01L27/127 , H01L27/1288 , H01L29/247 , H01L29/78618 , H01L29/78648 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
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公开(公告)号：CN104538355A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201510004825.5
申请日：2010-08-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/477 , G02F1/133345 , G02F1/1368 , H01L21/02565 , H01L21/02664 , H01L27/1225 , H01L27/1248 , H01L27/1251 , H01L27/1259 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , H01L21/77 , H01L21/324 , H01L27/12
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法，其包括以下步骤：在绝缘层之上形成氧化物半导体层；对所述氧化物半导体层进行脱水化或脱氢化；在所述氧化物半导体层之上形成源电极层和漏电极层；形成与所述氧化物半导体层的一部分接触且在所述氧化物半导体层、所述源电极层和所述漏电极层之上的氧化物绝缘层；以及通过加热所述氧化物绝缘层来在所述氧化物半导体层中形成i型区。其中，所述i型区至少形成在第一n型区和第二n型区之间，所述第一n型区与所述源电极层接触，以及所述第二n型区与所述漏电极层接触。
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公开(公告)号：CN102623348B
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201210096030.8
申请日：2007-04-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Inventor： 坂仓真之
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78675 , H01L27/1255 , H01L29/66757
Abstract: 本发明涉及半导体装置以及半导体装置的制造方法。发明的目的在于减少由于半导体膜的沟道形成区域的端部的特性使晶体管的特性受到的影响。本发明的半导体装置的结构为，具有在衬底上的半导体膜的沟道形成区域上之间夹栅绝缘膜而形成的栅电极，且上述半导体膜配置在比上述绝缘膜的端部内侧的区域中，并且上述沟道形成区域的侧面至少不接触于上述栅绝缘膜。换言之，本发明的半导体装置具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜围绕而形成的空隙。注意，其结构也可以为上述沟道形成区域的侧面不接触于上述栅电极，即，也可以具有由上述衬底、上述沟道形成区域的侧面、上述栅绝缘膜、上述栅电极围绕而形成的空隙。
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公开(公告)号：CN101483186B
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN200810186334.7
申请日：2004-08-27
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L33/52 , H01L27/3244 , H01L27/3276 , H01L51/5246 , H01L2251/5323 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的目的就是提供这样一种密封结构，其阻止了作为破坏因素的材料例如水或者氧气从外部进入，并且在显示器中使用有机或无机场致发光元件的显示器中可以获得足够的可靠性。鉴于上述目的，关注层间绝缘膜的渗透性，根据本发明，通过阻止水从层间绝缘膜的进入，抑制了场致发光元件的损坏并且获得了足够的可靠性。
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公开(公告)号：CN102891181A
公开(公告)日：2013-01-23
申请号：CN201210250285.5
申请日：2010-08-26
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/78618 , H01L29/78693 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及晶体管及显示设备。具体地，提供了一种具有有利的电特性和高可靠性的晶体管以及包括该晶体管的显示设备。该晶体管是将氧化物半导体用于沟道区而形成的底栅晶体管。经过通过热处理进行的脱水或脱氢的氧化物半导体层被用作活动层。该活动层包括微晶化的浅表部分的第一区以及其余部分的第二区。通过使用具有该结构的氧化物半导体层，能够抑制归因于湿气进入浅表部分或者氧自浅表部分排除的转变为n型以及寄生沟道的产生。另外，还能够降低在氧化物半导体层与源极和漏极电极之间的接触电阻。
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