公开(公告)号：CN108780757B

公开(公告)日：2022-08-23

申请号：CN201780018390.7

申请日：2017-03-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC分类号： H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

摘要： 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN107046040A

公开(公告)日：2017-08-15

申请号：CN201710063863.7

申请日：2017-02-04

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 松田慎平 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G11C11/403 ,  G11C11/418 ,  G11C11/419 ,  G11C29/06 ,  G11C2029/4402 ,  G11C2029/5002 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明涉及半导体装置及电子设备。本发明提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括存储电路及保持电路，其中存储电路包括第一晶体管，保持电路包括第二晶体管。存储电路具有使第一晶体管处于开启状态来写入数据的功能以及使第一晶体管处于关闭状态来保持数据的功能。保持电路具有使第二晶体管处于开启状态来对第一晶体管的背栅极供应使第一晶体管处于关闭状态的第一电位的功能以及使第二晶体管处于关闭状态来保持第一电位的功能。作为第一晶体管和第二晶体管使用电特性不同的晶体管。

公开(公告)号：CN107046040B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201710063863.7

申请日：2017-02-04

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 松田慎平 ,  坂仓真之 ,  山崎舜平

IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

摘要： 本发明涉及半导体装置及电子设备。本发明提供一种能够长期间保持数据的半导体装置。该半导体装置包括存储电路及保持电路，其中存储电路包括第一晶体管，保持电路包括第二晶体管。存储电路具有使第一晶体管处于开启状态来写入数据的功能以及使第一晶体管处于关闭状态来保持数据的功能。保持电路具有使第二晶体管处于开启状态来对第一晶体管的背栅极供应使第一晶体管处于关闭状态的第一电位的功能以及使第二晶体管处于关闭状态来保持第一电位的功能。作为第一晶体管和第二晶体管使用电特性不同的晶体管。

公开(公告)号：CN107004717A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580063157.1

申请日：2015-11-16

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  筒井一寻 ,  松田慎平

IPC分类号： H01L29/786 ,  C23C14/08 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L29/78696 ,  H01L27/10805 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/14634 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7853 ,  H01L29/7869

摘要： 本发明提供一种通态电流高的晶体管。该晶体管包括多个鳍、第一氧化物半导体、栅极绝缘膜及栅电极。相邻的两个鳍中的一个包含第二及第三氧化物半导体。另一个包含第四及第三氧化物半导体。第二氧化物半导体与第四氧化物半导体包括隔着栅电极互相相对的区域。栅电极与第二氧化物半导体隔着栅极绝缘膜及第一氧化物半导体互相重叠。栅电极与第四氧化物半导体隔着栅极绝缘膜及第一氧化物半导体互相重叠。

公开(公告)号：CN115241045A

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN202210902715.0

申请日：2017-03-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/24 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34

摘要： 本公开涉及半导体装置以及包括该半导体装置的显示装置。本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为‑1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。

公开(公告)号：CN108780757A

公开(公告)日：2018-11-09

申请号：CN201780018390.7

申请日：2017-03-14

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 山崎舜平 ,  肥冢纯一 ,  冈崎健一 ,  岛行德 ,  松田慎平 ,  马场晴之 ,  本田龙之介

IPC分类号： H01L21/336 ,  C23C14/08 ,  H01L21/363 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1225 ,  H01L27/127 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7782 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： 本发明提高包括氧化物半导体膜的晶体管的场效应迁移率及可靠性。半导体装置包括具有氧化物半导体膜的晶体管。晶体管包括栅电压高于0V且10V以下的晶体管的场效应迁移率的最大值为40以上且小于150的区域；阈值电压为-1V以上且1V以下的区域；以及S值小于0.3V/decade的区域。