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公开(公告)号：CN1881595B
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN200610099677.0
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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公开(公告)号：CN100444406C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510065795.5
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1697199A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510067218.X
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L21/00 , G09F9/30 , G02F1/136 , H04N5/225 , H04Q7/20 , H04M1/02 , H04N5/74
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1697198A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510065795.5
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。
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公开(公告)号：CN1206738C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN97102282.8
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L21/28158 , H01L21/3221 , H01L21/3226 , H01L27/1203 , H01L27/1229 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1146056C
公开(公告)日：2004-04-14
申请号：CN95108515.8
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 一种减小有源矩阵显示器的截止电流的结构。在有源矩阵显示器中，多个TFT与每一个象素电极串联连接。在这些串联的TFT中，除了位于相对两端的TFT以外，至少要将一个TFT保持在导通状态。另外，至少要将一个电容器连接在串联连接的每个TFT的源极和漏极的结合部与交流接地点之间。于是，减小了在TFT截止期间从附加电容器释放的电荷量。
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公开(公告)号：CN1163487A
公开(公告)日：1997-10-29
申请号：CN97102282.8
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/02 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02686 , H01L21/2022 , H01L21/28158 , H01L21/3221 , H01L21/3226 , H01L27/1203 , H01L27/1229 , H01L27/1277 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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公开(公告)号：CN87104658A
公开(公告)日：1988-01-20
申请号：CN87104658
申请日：1987-07-04
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: B42D19/00
CPC classification number: G11B33/121 , G06F1/1626 , G06F1/1635 , G06F1/1643 , G06F1/1677 , G06F2200/1614 , G06F2200/1634 , G09B5/02 , G11B31/00 , G11B33/06 , G11B33/10 , Y10S345/901
Abstract: 公开了一种无纸轻便式电子书，适合与可互换的软磁盘等配用，该无纸书包括一个阅读软磁盘上信息用的再现装置、一个显示器和一个电池。显示器最好为液晶显示器，电池最好为非晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN100477247C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200410101997.6
申请日：1995-06-01
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/15 , H01L29/786 , G02F1/136 , G09G3/36 , G09F9/30
CPC classification number: H01L27/12 , G02F1/13624 , G02F2001/13685 , G09G3/3648 , G09G2300/0809 , G09G2300/0819 , G09G2300/0842 , G09G2300/0852 , G09G2320/0214 , H01L27/124 , H01L29/78621 , H01L29/78645 , H01L29/78696
Abstract: 根据本发明，提供了一种有源矩阵显示器，包括：一个表面绝缘的衬底；在所述绝缘表面上形成的一个半导体层，所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区，其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一个栅线，其中所述栅线在所述沟道之上延伸；形成在所述栅线之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层之上的一个源线，其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上；形成在所述源线之上的第三绝缘层；和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极，它电连接到所述第二掺杂区的另一个上；其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖，而另一个不被所述源线覆盖。
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公开(公告)号：CN100444407C
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200510067218.X
申请日：1997-01-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L29/786 , G02F1/136
CPC classification number: H01L21/02672 , H01L21/02532 , H01L21/2022 , H01L21/3226 , H01L27/12 , H01L27/1203 , H01L27/1277 , H01L29/4908 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78621 , H01L29/78675
Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。
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