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公开(公告)号：CN114600096A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202080074162.3
申请日：2020-10-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F16/332
Abstract: 提供一种考虑到文档的概念检索文档的文档检索系统。文档检索系统(100)包括输入部(101)、第一处理部(102)、存储部(105)、第二处理部(103)以及输出部(104)。输入部(101)具有输入第一文档(20)的功能，第一处理部(102)具有使用第一文档(20)形成第一图结构(21)的功能，存储部(105)具有储存第二图结构(11)的功能，第二处理部(103)具有计算出第一图结构(21)与第二图结构(11)的相似度的功能，输出部(104)具有供应信息的功能，第一处理部(102)具有将第一文档(20)分割成多个记号的功能，第一图结构(21)的节点及边具有标签，并且标签由多个记号构成。
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公开(公告)号：CN109560340B
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN201811374128.9
申请日：2013-12-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/52 , H01M50/10 , H01M50/30 , H01M50/449 , H01M10/0525
Abstract: 本发明的目的是提供可靠性高的蓄电装置及包括其的电器设备，由此提高蓄电装置的安全性，并且抑制蓄电装置的恶化。本发明的蓄电装置包括：具备在外装部件内的正极、与该正极对置的负极、该正极与该负极之间的电解液以及吸附材料，其中，在该电解液与该吸附材料之间设置有不使该电解液透过而使气体透过的分离体。
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公开(公告)号：CN107565640B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201710845767.8
申请日：2013-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02J7/00 , H01M10/44 , H01M10/0525 , H01M4/58 , B60L58/22
Abstract: 本发明涉及蓄电装置的控制系统、蓄电系统及电器设备。本发明的一个方式抑制蓄电装置的劣化。通过设置分别控制多个蓄电装置的连接的开关并由多个控制信号控制开关，来切换是对各蓄电装置充电还是使各蓄电装置放电或者切换是将多个蓄电装置串联连接还是将多个蓄电装置并联连接。再者，通过在蓄电装置中设置能够进行运算的半导体电路来构成蓄电装置的控制系统或蓄电系统。
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公开(公告)号：CN104900903B
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201510100529.5
申请日：2015-03-06
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M10/0525 , H01M4/13
Abstract: 提供一种容量高的锂离子二次电池。锂离子二次电池包括第一电极以及第二电极，第一电极包括第一电极活性物质，第二电极包括第二电极活性物质及第三电极活性物质，第二电极活性物质的充放电效率高于第一电极活性物质，第三电极活性物质的充放电效率低于第二电极活性物质，第二电极活性物质和第一电极活性物质的充放电效率之间的差异与第二电极活性物质的容量的积大于第一电极活性物质和第三电极活性物质的充放电效率之间的差异与第三电极活性物质的容量的积，第二电极活性物质和第三电极活性物质的总和中的第二电极活性物质的配合比小于第二电极活性物质和第三电极活性物质的总和中的第三电极活性物质的配合比。
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公开(公告)号：CN107565640A
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201710845767.8
申请日：2013-12-25
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H02J7/00 , H01M10/44 , H01M10/0525 , H01M4/58 , B60L11/18
CPC classification number: H02J7/007 , H01G11/06 , H01G11/10 , H01M4/5825 , H01M10/0525 , H01M10/4207 , H01M10/441 , H02J7/0024 , H02J7/0057
Abstract: 本发明涉及蓄电装置的控制系统、蓄电系统及电器设备。本发明的一个方式抑制蓄电装置的劣化。通过设置分别控制多个蓄电装置的连接的开关并由多个控制信号控制开关，来切换是对各蓄电装置充电还是使各蓄电装置放电或者切换是将多个蓄电装置串联连接还是将多个蓄电装置并联连接。再者，通过在蓄电装置中设置能够进行运算的半导体电路来构成蓄电装置的控制系统或蓄电系统。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104781954B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201380058332.9
申请日：2013-10-28
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
Abstract: 在锂离子电池或锂离子电容器的反复充放电循环中，通过尽可能抑制作为充放电的副反应发生的电解液的分解反应，改善锂离子电池或锂离子电容器的长期循环特性。蓄电装置用电极包括集流体以及该集流体上的活性物质层。活性物质层包括多个活性物质粒子及氧化硅。活性物质粒子中的一个的表面具有与其他活性物质粒子中的一个接触的区域。该区域以外的活性物质粒子的表面的一部分或全部被氧化硅覆盖。
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公开(公告)号：CN103000862B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201210331146.5
申请日：2012-09-07
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01M4/1397 , H01M4/58 , C01B25/45 , H01M4/136 , H01M10/0525 , H01M4/62
CPC classification number: H01M4/366 , C01B25/306 , C01B25/45 , C01B32/23 , C01P2006/40 , C30B7/10 , C30B29/14 , H01M4/04 , H01M4/0404 , H01M4/0435 , H01M4/0471 , H01M4/1397 , H01M4/485 , H01M4/583 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M2004/028 , Y02P70/54
Abstract: 本发明涉及锂二次电池用正极、其制造方法以及锂二次电池。在橄榄石型结构的含锂复合氧化物中，锂离子的储藏和释放容易在晶体的b轴方向以一维方式发生。因此，本发明提供一种含锂复合氧化物的单晶的b轴垂直于正极集电体表面进行取向的正极。对含锂复合氧化物粒子混合氧化石墨烯并施加压力。通过施加压力，长方体或大致长方体的粒子容易滑移。此外，通过使用b轴方向的长度短于a轴及c轴方向的长度的长方体或大致长方体的粒子，利用朝一个方向的压力可以使b轴在施加压力的方向上取向。
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公开(公告)号：CN103582968A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027141.1
申请日：2012-05-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01M4/624 , H01M4/364 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/5825 , H01M4/587 , H01M4/625 , H01M4/627 , H01M10/052
Abstract: 为了提高包含活性物质粒子等的用于电池的电极的导电性及电容，使用包含1至100个石墨烯片的网状石墨烯代替以往使用的导电助剂及粘合剂。具有二维的展宽及三维结构的网状石墨烯更容易与活性物质粒子或其它的导电助剂接触，由此导电性及活性物质粒子之间的结合力得到提高。通过在混合氧化石墨烯和活性物质粒子之后，在真空或还原气氛中对该混合物进行加热，得到这种网状石墨烯。
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公开(公告)号：CN101937861A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010254643.0
申请日：2008-10-31
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/762 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02675
Abstract: 本发明的目的在于提供一种半导体衬底的制造方法、以及半导体装置的制造方法，该半导体衬底是在玻璃衬底等低耐热性支撑衬底上隔着缓冲层固定有单晶半导体层的半导体衬底。该半导体衬底的制造方法包括：将加速了的氢离子照射到半导体衬底，以形成包含大量的氢的损伤区域；在接合单晶半导体衬底和支撑衬底之后，加热半导体衬底而在损伤区域中分离单晶半导体衬底；接着，对从单晶半导体衬底分离了的单晶半导体层照射激光束；通过照射激光束，使单晶半导体层熔化而再结晶，以恢复其结晶性并使单晶半导体层的表面平坦化；以及在照射激光束之后，在不使其熔化的温度下加热单晶半导体层，以提高其寿命。
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公开(公告)号：CN101425449A
公开(公告)日：2009-05-06
申请号：CN200810169882.9
申请日：2008-10-10
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L21/02532 , H01L21/02686 , H01L21/76254 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/1285 , H01L29/66772
Abstract: 制造隔着缓冲层而具有单晶半导体层的半导体衬底。对半导体衬底掺杂氢，形成包含大量氢的损伤层。在将单晶半导体衬底和支撑衬底接合在一起之后，加热半导体衬底，在损伤区域中分离单晶半导体衬底。通过从具有单晶半导体层的一侧对单晶半导体层照射激光束，使单晶半导体层的照射激光束的区域的从表面有深度方向的一部分区域熔化，基于不熔化而留下的单晶半导体层的平面取向进行再晶化，恢复结晶性，并且使单晶半导体层的表面平坦化。
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