公开(公告)号：CN104795361B

公开(公告)日：2018-08-17

申请号：CN201510127031.8

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/683 ,  H01L21/67 ,  B32B43/00

CPC分类号： H01L27/1266 ,  B32B43/006 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/13306 ,  G06K19/0772 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/156 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/206 ,  H01L33/005 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T29/41

摘要： 本公开的发明名称为“剥离装置及半导体装置的制造方法”。本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。

公开(公告)号：CN101154561B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN200710153241.X

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1266 ,  B32B43/006 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/13306 ,  G06K19/0772 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/156 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/206 ,  H01L33/005 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

摘要： 本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。

公开(公告)号：CN105206566A

公开(公告)日：2015-12-30

申请号：CN201510578752.0

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/78 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1333

摘要： 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：CN104795361A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201510127031.8

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/77

CPC分类号： H01L27/1266 ,  B32B43/006 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/13306 ,  G06K19/0772 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/156 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/206 ,  H01L33/005 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T29/41 ,  H01L21/7813

摘要： 本公开的发明名称为“剥离装置及半导体装置的制造方法”。本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。

公开(公告)号：CN105261593A

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201510575878.2

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/78

摘要： 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：CN101399179B

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN200810168158.4

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：CN101399177A

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN200810168156.5

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/84 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762 ,  H01L21/20 ,  H01L21/50 ,  G02F1/1333

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

摘要： 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：CN101154562A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153243.9

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L21/67132 ,  H01L21/02244 ,  H01L21/02252 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/707 ,  H01L27/1266

摘要： 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。本发明的选择图为图3。

公开(公告)号：CN105206566B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201510578752.0

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/78 ,  H01L21/84 ,  G02F1/1333

摘要： 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。

公开(公告)号：CN101154561A

公开(公告)日：2008-04-02

申请号：CN200710153241.X

申请日：2007-09-29

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 江口晋吾 ,  门马洋平 ,  谷敦弘 ,  广末美佐子 ,  桥本健一 ,  保坂泰靖

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/77 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1266 ,  B32B43/006 ,  G02F1/1303 ,  G02F1/13306 ,  G06K19/0772 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/156 ,  H01L31/1892 ,  H01L31/206 ,  H01L33/005 ,  H01L51/003 ,  H01L51/0097 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2221/68395 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105

摘要： 本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。