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公开(公告)号：CN105206566B
公开(公告)日：2019-07-30
申请号：CN201510578752.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/78 , H01L21/84 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。
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公开(公告)号：CN101154561A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153241.X
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B32B43/006 , G02F1/1303 , G02F1/13306 , G06K19/0772 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/156 , H01L31/1892 , H01L31/206 , H01L33/005 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2221/68395 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105
Abstract: 本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。
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公开(公告)号：CN105206566A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510578752.0
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/77 , H01L21/78 , H01L21/84 , G02F1/1333
Abstract: 本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。
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公开(公告)号：CN104795361A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510127031.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/1266 , B32B43/006 , G02F1/1303 , G02F1/13306 , G06K19/0772 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/156 , H01L31/1892 , H01L31/206 , H01L33/005 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2221/68395 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , Y10T29/41 , H01L21/7813
Abstract: 本公开的发明名称为“剥离装置及半导体装置的制造方法”。本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。
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公开(公告)号：CN101714571A
公开(公告)日：2010-05-26
申请号：CN200910225062.1
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L2227/323
Abstract: 本发明的目的是提供一种以很低的成本但高成品率地制造非常可靠的显示设备的技术。根据本发明的显示设备包括：半导体层，包括具有一种传导性类型的掺杂区；同具有一种传导性类型的掺杂区相接触的栅绝缘层、栅极层和布线层，所述栅绝缘层、栅极层和布线层位于半导体层上方；导电层，位于栅绝缘层的上方并同布线层相接触；第一电极层，同导电层相接触；电致发光层，位于第一电极层上方；以及第二电极层，其中布线层利用插入其间的导电层同第一电极层电气连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101399177B
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN200810168156.5
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/50 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/67092 , H01L21/707 , H01L27/1266
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。
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公开(公告)号：CN100578807C
公开(公告)日：2010-01-06
申请号：CN200610126389.X
申请日：2006-04-14
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/32 , H01L23/522 , H01L21/82 , H01L21/768
CPC classification number: H01L27/124 , H01L27/3244 , H01L2227/323
Abstract: 本发明的目的是提供一种以很低的成本但高成品率地制造非常可靠的显示设备的技术。根据本发明的显示设备包括：半导体层，包括具有一种传导性类型的掺杂区；同具有一种传导性类型的掺杂区相接触的栅绝缘层、栅极层和布线层，所述栅绝缘层、栅极层和布线层位于半导体层上方；导电层，位于栅绝缘层的上方并同布线层相接触；第一电极层，同导电层相接触；电致发光层，位于第一电极层上方；以及第二电极层，其中布线层利用插入其间的导电层同第一电极层电气连接。
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公开(公告)号：CN101399179A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810168158.4
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/50 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/67092 , H01L21/707 , H01L27/1266
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。
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公开(公告)号：CN101399178A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810168157.X
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/00 , H01L21/84 , H01L21/336 , H01L21/762 , H01L21/20 , H01L21/50 , G02F1/1333
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/02244 , H01L21/02252 , H01L21/67092 , H01L21/707 , H01L27/1266
Abstract: 本发明涉及半导体装置的制造方法。本发明的目的在于当从衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，抑制随着剥离而产生的静电的放电。在衬底上形成剥离层、元件形成层。在元件形成层的上表面固定之后能够剥离的支撑基材。通过支撑基材改变元件形成层的形状，来使在元件形成层和剥离层的界面产生剥离。在进行剥离时，供应纯水等的液体，以便濡湿随着剥离而逐步露出的元件形成层及剥离层。产生在元件形成层及剥离层的表面的电荷由液体扩散，从而可以消除因剥离带电的放电。
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公开(公告)号：CN104795361B
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201510127031.8
申请日：2007-09-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , B32B43/00
CPC classification number: H01L27/1266 , B32B43/006 , G02F1/1303 , G02F1/13306 , G06K19/0772 , H01L21/67132 , H01L21/6835 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L27/156 , H01L31/1892 , H01L31/206 , H01L33/005 , H01L51/003 , H01L51/0097 , H01L2221/68318 , H01L2221/6835 , H01L2221/68363 , H01L2221/68386 , H01L2221/68395 , H01L2227/326 , H01L2251/5338 , H01L2924/19041 , H01L2924/30105 , Y10T29/41
Abstract: 本公开的发明名称为“剥离装置及半导体装置的制造方法”。本发明涉及剥离装置及半导体装置的制造方法，其目的在于当从用于制造半导体元件的衬底剥离包括半导体元件的元件形成层时，消除随着剥离而产生的静电的放电。使形成有元件形成层及剥离层的衬底和薄膜经过加压用滚筒和加压用滚筒之间的空隙。在加压用滚筒和加压用滚筒之间，薄膜贴附到元件形成层。在加压用滚筒的回收薄膜一侧，薄膜沿着加压用滚筒的曲面而弯曲，从而在元件形成层和剥离层之间产生剥离，以元件形成层转移在薄膜。向由剥离而产生的元件形成层和剥离层之间的空隙通过喷嘴逐步供应液体如纯水等，从而产生在元件形成层及剥离层的表面上的电荷由液体扩散。
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