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公开(公告)号：CN101567397A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200910136911.6
申请日：2009-04-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L31/04 , H01L31/042 , H01L31/0376 , H01L31/20
CPC分类号： H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/1816 , Y02E10/545 , Y02E10/548
摘要： 本发明的目的在于提供一种光电转换特性提高且具有高成本竞争力的光电转换装置。一种包括半导体结的光电转换装置，具有在杂质半导体层上针状结晶成长了的半导体层。所述杂质半导体层由微晶半导体形成并包含一种导电型的杂质。在微晶半导体层上，在成膜时将稀释气体的流量(代表为氢)设定为半导体材料气体(代表为硅烷)的1倍以上且6倍以下形成非晶半导体层。在膜的形成方向上，即从微晶半导体层向非晶半导体层的方向使具有其顶端变细的立体形状的结晶成长。
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公开(公告)号：CN101937932B
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201010219834.3
申请日：2010-06-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/6675 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
摘要： 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。
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公开(公告)号：CN101567397B
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN200910136911.6
申请日：2009-04-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L31/0368 , H01L31/0376 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/1816 , Y02E10/545 , Y02E10/548
摘要： 本发明的目的在于提供一种光电转换特性提高且具有高成本竞争力的光电转换装置。一种包括半导体结的光电转换装置，具有在杂质半导体层上针状结晶成长了的半导体层。所述杂质半导体层由微晶半导体形成并包含一种导电型的杂质。在微晶半导体层上，在成膜时将稀释气体的流量(代表为氢)设定为半导体材料气体(代表为硅烷)的1倍以上且6倍以下形成非晶半导体层。在膜的形成方向上，即从微晶半导体层向非晶半导体层的方向使具有其顶端变细的立体形状的结晶成长。
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公开(公告)号：CN102610837B
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201210031154.8
申请日：2012-01-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01M8/0606 , H01M8/065 , C01B3/00 , C01B3/06
CPC分类号： H01M8/065 , C01B3/0031 , C01B3/06 , C01B2203/066 , H01M8/0606 , Y02E60/327 , Y02E60/364
摘要： 本发明的课题之一是提供能够高效且稳定地供应氢气，并且安全且对环境负荷小的氢气产生体。此外，本发明的课题之一是提供适用了该氢气产生体的氢气产生装置。另外，本发明的课题之一是提供适用了该氢气产生装置的发电装置以及驱动装置。可以通过使用在基底上形成有针状或穹顶状的硅微小结构物的氢气产生体，使针状或穹顶状的硅微小结构物和水起反应来高效地产生氢气。此外，可以将该氢气产生体适用于氢气产生装置。并且，将该氢气产生装置适用于发电装置及驱动装置。
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公开(公告)号：CN102610837A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201210031154.8
申请日：2012-01-20
申请人： 株式会社半导体能源研究所
CPC分类号： H01M8/065 , C01B3/0031 , C01B3/06 , C01B2203/066 , H01M8/0606 , Y02E60/327 , Y02E60/364
摘要： 本发明的课题之一是提供能够高效且稳定地供应氢气，并且安全且对环境负荷小的氢气产生体。此外，本发明的课题之一是提供适用了该氢气产生体的氢气产生装置。另外，本发明的课题之一是提供适用了该氢气产生装置的发电装置以及驱动装置。可以通过使用在基底上形成有针状或穹顶状的硅微小结构物的氢气产生体，使针状或穹顶状的硅微小结构物和水起反应来高效地产生氢气。此外，可以将该氢气产生体适用于氢气产生装置。并且，将该氢气产生装置适用于发电装置及驱动装置。
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公开(公告)号：CN101937932A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010219834.3
申请日：2010-06-25
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L29/36
CPC分类号： H01L29/6675 , H01L29/04 , H01L29/4908 , H01L29/66765 , H01L29/78669 , H01L29/78678 , H01L29/78696
摘要： 本发明的目的在于提供一种截止电流低且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。本发明的技术要点在于：在反交错型的薄膜晶体管中，层叠形成氮化硅层和使该氮化硅层氧化而成的氧化硅层作为栅极绝缘层，并且形成从与该栅极绝缘层的氧化硅层的界面正上进行结晶生长而成的微晶半导体层。因为从栅极绝缘层正上进行结晶生长，所以可以得到结晶性高且导通电流和场效应迁移率高的薄膜晶体管。另外，通过设置缓冲层，降低截止电流。
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