公开(公告)号：CN106935656B

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201710084245.0

申请日：2013-03-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC分类号： H01L29/786

摘要： 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN104185898B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201380017829.6

申请日：2013-03-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC分类号： H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/532 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/385 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

摘要： 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN106935656A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710084245.0

申请日：2013-03-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC分类号： H01L29/786

摘要： 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN104185898A

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201380017829.6

申请日：2013-03-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC分类号： H01L21/318 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8247 ,  H01L23/532 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/385 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696

摘要： 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。

公开(公告)号：CN107123682A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710084378.8

申请日：2013-03-18

申请人： 株式会社半导体能源研究所

发明人： 冈崎健一 ,  佐佐木俊成 ,  横山周平 ,  羽持贵士

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/385 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/045 ,  H01L29/24 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66477

摘要： 在包括具有氧化物半导体膜的晶体管及在该晶体管上的保护膜的半导体装置中，以如下条件下形成包含超过化学计量组成的氧的氧化绝缘膜作为保护膜：将安装在被排气为真空状态的处理室内的衬底保持为高于或等于180℃且低于或等于260℃；将原料气体导入处理室来将处理室内的压力设定为高于或等于100Pa且低于或等于250Pa；并且将高于或等于0.17W/cm2且低于或等于0.5W/cm2的高频功率供应给设置在处理室内的电极。