-
公开(公告)号：CN110520962B
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN201880017781.1
申请日：2018-03-06
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
-
公开(公告)号：CN112514079B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980050350.X
申请日：2019-07-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L27/12 , H05B33/14
摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
-
公开(公告)号：CN107799668B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201710769657.8
申请日：2017-08-31
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L51/56
摘要： 本发明的目的是提高半导体装置的制造工序的成品率。另外，本发明的一个方式的目的是提高半导体装置的生产率。在衬底上形成第一材料层，在第一材料层上形成第二材料层，使第一材料层与第二材料层分离，由此制造半导体装置。另外，在进行分离之前，优选对层叠的第一材料层与第二材料层进行加热。第一材料层包含含有氢和氧中的一个或两个的气体(例如，水)。第一材料层例如包含金属氧化物。第二材料层包含树脂。通过切断氢键来使第一材料层与第二材料层分离。另外，通过进行加热，第一材料层与第二材料层的界面或界面附近析出水。第一材料层与第二材料层间的密接性因存在于其界面或其界面附近的水而降低而使第一材料层与第二材料层彼此分离。
-
公开(公告)号：CN109075079A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201780024764.6
申请日：2017-04-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要： 提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
-
公开(公告)号：CN118866977A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202411277545.7
申请日：2019-07-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/12 , G02F1/1368 , H05B33/14 , H05B33/22 , H05B33/28
摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
-
公开(公告)号：CN116670743A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202180087488.4
申请日：2021-12-16
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G09F9/00
摘要： 提供一种容易实现高清晰化的显示装置的制造方法。提供一种兼具高显示品质和高清晰度的显示装置。在该制造方法中，在第一像素电极及第二像素电极上沉积第一EL膜，以覆盖第一EL膜的方式形成第一牺牲膜，对第一牺牲膜及第一EL膜进行蚀刻来使第二像素电极露出，并且形成第一像素电极上的第一EL层及该第一EL层上的第一牺牲层并去除第一牺牲层。第一EL膜及第二EL膜通过干蚀刻进行蚀刻，第一牺牲层通过湿蚀刻去除。
-
公开(公告)号：CN112514079A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050350.X
申请日：2019-07-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L29/786 , G02F1/1368 , H01L21/336 , H01L51/50 , H05B33/14
摘要： 提供一种电特性良好的半导体装置。提供一种可靠性高的半导体装置。提供一种电特性稳定的半导体装置。半导体装置包括第一绝缘层、第二绝缘层、半导体层及第一导电层。在第一绝缘层上依次层叠半导体层、第二绝缘层及第一导电层。第二绝缘层具有依次层叠第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜的叠层结构。第一绝缘膜、第二绝缘膜及第三绝缘膜各自包含氧化物。第一绝缘膜包括与半导体层接触的部分。半导体层包含铟、镓及氧，并包括铟的含有率比镓的含有率高的区域。
-
公开(公告)号：CN109075079B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201780024764.6
申请日：2017-04-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/02 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L51/50 , H05B33/10
摘要： 提供一种成本低且生产率高的剥离方法。在形成用衬底上使用具有感光性及热固化性的材料形成厚度为0.1μm以上且3μm以下的第一层，通过光刻法在第一层中形成开口来形成具有开口的树脂层，以与树脂层的开口重叠的方式形成硅层或氧化物层，在树脂层上形成包含金属氧化物的晶体管，在硅层或氧化物层上通过与晶体管的源极或漏极的相同的制造工序形成导电层，对树脂层、以及硅层和氧化物层中的一个照射激光，将晶体管及导电层与形成用衬底分离。
-
公开(公告)号：CN110520962A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201880017781.1
申请日：2018-03-06
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
摘要： 提供一种包括剥离工序的成品率高的半导体装置的制造方法。本发明的一个方式是一种剥离方法，包括：在衬底上形成第一材料层和第二材料层的叠层的工序；以及使第一材料层与第二材料层分离的工序。第二材料层隔着第一材料层形成在衬底上。第一材料层包括与第二材料层接触的第一化合物层以及位于比第一化合物层更靠近衬底一侧的位置的第二化合物层。第一化合物层是在第一材料层所包括的层中氧含量最多的层。第二化合物层是在第一材料层所包括的层中氮含量最多的层。第二材料层包含树脂。在分离工序中，通过向第一材料层与第二材料层的界面或界面附近照射光，使第一材料层与第二材料层分离。
-
公开(公告)号：CN109564741A
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201780047650.3
申请日：2017-05-11
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： G09F9/00 , G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/30 , G09F9/46 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
CPC分类号： G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , G09F9/00 , G09F9/30 , G09F9/46 , H01L51/50 , H05B33/02 , H05B33/10
摘要： 提供一种功耗低的显示装置的制造方法。该方法包括如下步骤：在衬底上使用包含树脂或树脂前体的材料形成第一层；在第一层中形成第一区域及比该第一区域薄的第二区域；通过在使包含氧的气体流动的同时对第一层进行第一加热处理，形成具有第一区域及比该第一区域薄的第二区域的第一树脂层；在第一树脂层上形成包括显示元件的被剥离层；以及使被剥离层与衬底分离，其中，形成被剥离层的步骤包括在第一树脂层上的重叠于第二区域的位置形成导电层的步骤，并且，在使被剥离层与衬底分离的步骤之后包括去除第一树脂层而使导电层露出的步骤。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
11 条记录 (耗时 0.032 秒)
