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公开(公告)号：CN1238902C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN00101125.1
申请日：2000-01-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244 , G11C11/34
CPC分类号： H01L27/11 , H01L21/84 , H01L27/1108 , Y10S257/903
摘要： 一种SRAM单元，它包含至少二个驱动晶体管和二个传送晶体管以及二个各由TFT组成且通过层间绝缘膜排列在这些晶体管上的负载晶体管，此负载晶体管的有源区包含非晶硅结晶能力由于采用催化元素的固相生长技术而得以改进了的硅膜以及用来防止催化元素扩散进入排列在层间绝缘膜与负载晶体管之间的驱动晶体管和传送晶体管的势垒层。
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公开(公告)号：CN1261207A
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN00101125.1
申请日：2000-01-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244 , G11C11/34
CPC分类号： H01L27/11 , H01L21/84 , H01L27/1108 , Y10S257/903
摘要： 一种SRAM单元,它包含至少二个驱动晶体管和二个传送晶体管以及二个各由TFT组成且通过层间绝缘膜排列在这些晶体管上的负载晶体管,此负载晶体管的有源区包含非晶硅结晶能力由于采用催化元素的固相生长技术而得以改进了的硅膜以及用来防止催化元素扩散进入排列在层间绝缘膜与负载晶体管之间的驱动晶体管和传送晶体管的势垒层。
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公开(公告)号：CN1184739C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN01104752.6
申请日：2001-02-21
申请人： 夏普公司
发明人： A·O·阿丹
IPC分类号： H03H11/48
CPC分类号： H03H11/48
摘要： 本发明涉及一种有源电感器，其中包括：一个MOS半导体场效应晶体管，它具有一个栅极、一个用作输出端的漏极和一个接地的源极，该MOS半导体场效应晶体管具有跨导gml；和，一个电容器，它具有相对的尾端，其中一个尾端接地，并且其中另一个尾端连接至该MOS半导体场效应晶体管的栅极和具有跨导gm的一个电压控制的恒流源，该电容器具有电容C；所述有源电感器在输出端和地之间具有一个小信号输出阻抗Z0和一个电感Leq，该阻抗表达为Z0＝jω{C/(gml·gm)}，其中ω是一个角频率，并且该电感表达为Leq＝{C/(gml·gm)}。
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公开(公告)号：CN1369903A
公开(公告)日：2002-09-18
申请号：CN02107717.7
申请日：2002-02-02
申请人： 夏普公司
发明人： A·O·阿丹
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/26586 , H01L29/66772 , H01L29/78612 , H01L29/78621
摘要： 一种制造SOI MOSFET的方法,该MOSFET包括在设置于绝缘衬底上的上半导体层中形成的第一导电类型的完全耗尽型的沟道区、夹置沟道区来形成的第二导电类型的源/漏区,在沟道区之上插入有栅绝缘层形成的栅电极,该方法包括通过与源/漏区相邻的沟道区的沟道边缘区的杂质浓度设置得高于沟道区的沟道中心区的杂质浓度来形成沟道区,并设置沟道中心区的阈值电压Vtho和沟道边缘区的阈值电压Vthedge,以致阈值电压Vtho相对于上半导体层的厚度的变化和阈值电压Vthedge的变化相对于上半导体层的厚度的变化是相反符号。
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公开(公告)号：CN1258100A
公开(公告)日：2000-06-28
申请号：CN99126528.9
申请日：1999-12-22
申请人： 夏普公司
发明人： A·O·阿丹
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1128 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/1203
摘要： 本发明的目的在于通过在平坦的字线上形成起到有源层的功能的第1导电型半导体层,得到高质量的半导体层,得到可靠性高的半导体装置。上述半导体装置如以下那样来构成:依次形成绝缘膜11、13、互相平行的多条字线12、栅绝缘膜14和第1导电型半导体层15,绝缘膜13相对于字线12的表面,其表面被平坦化,第1导电型半导体层15中形成由与字线12交叉且互相平行的多个第2导电型高浓度杂质扩散层21构成的位线。
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公开(公告)号：CN1316781A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01117888.4
申请日：2001-04-04
申请人： 夏普公司
发明人： A·O·阿丹
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/7841 , H01L29/78612 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种SOI结构的半导体器件，包括：浮置状态下的表面半导体层，该层叠置于掩埋绝缘膜上，以便构成SOI衬底；第二导电类型的源/漏区，它们形成于所说表面半导体层中；位于源/漏之间的第一导电类型的沟道区；通过栅绝缘膜形成于沟道区上的栅极；其中表面半导体层具有在栅宽度方向上、在和/或靠近沟道区的至少一端形成于其中的第一导电类型的位阱。
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公开(公告)号：CN1312613A
公开(公告)日：2001-09-12
申请号：CN01104752.6
申请日：2001-02-21
申请人： 夏普公司
发明人： A·O·阿丹
IPC分类号： H03H11/48
CPC分类号： H03H11/48
摘要： 一种有源电感器,包括:一个MOS场效应晶体管,它具有一个栅极、一个用作输出端的漏极和一个接地的源极,所述MOS场效应晶体管具有跨导gml;和,一个电容器,它具有相对的尾端,其中一个尾端接地,并且其中另一个尾端连接至所述MOS场效应晶体管的所述栅极和具有跨导gm的一个电压控制的恒流源,所述电容器具有电容C;所述有源电感器以在所述输出端和地之间的一个小信号输出阻抗Z0和一个电感Leq操作,该阻抗表达为Z0=jω{C/(gml·gm)}(其中ω是一个角频率),并且该电感表达为Leq={C/(gml·gm)}。
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公开(公告)号：CN1236497C
公开(公告)日：2006-01-11
申请号：CN99126528.9
申请日：1999-12-22
申请人： 夏普公司
发明人： A·O·阿丹
IPC分类号： H01L27/105 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC分类号： H01L27/1128 , H01L21/8221 , H01L21/84 , H01L27/0688 , H01L27/112 , H01L27/1203
摘要： 本发明的目的在于通过在平坦的字线上形成起到有源层的功能的第1导电型半导体层，得到高质量的半导体层，得到可靠性高的半导体装置。上述半导体装置如以下那样来构成：依次形成绝缘膜11、13互相平行的多条字线12、栅绝缘膜14和第1导电型半导体层15，绝缘膜13相对于字线12的表面，其表面被平坦化，第1导电型半导体层15中形成由与字线12交叉且互相平行的多个第2导电型高浓度杂质扩散层21构成的位线。
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公开(公告)号：CN1194395C
公开(公告)日：2005-03-23
申请号：CN02107717.7
申请日：2002-02-02
申请人： 夏普公司
发明人： A·O·阿丹
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L21/26586 , H01L29/66772 , H01L29/78612 , H01L29/78621
摘要： 一种制造SOI MOSFET的方法，该MOSFET包括在设置于绝缘衬底上的上半导体层中形成的第一导电类型的完全耗尽型的沟道区、夹置沟道区来形成的第二导电类型的源/漏区，在沟道区之上插入有栅绝缘层形成的栅电极，该方法包括通过与源/漏区相邻的沟道区的沟道边缘区的杂质浓度设置得高于沟道区的沟道中心区的杂质浓度来形成沟道区，并设置沟道中心区的阈值电压Vtho和沟道边缘区的阈值电压Vthedge，以致阈值电压Vtho相对于上半导体层的厚度的变化和阈值电压Vthedge的变化相对于上半导体层的厚度的变化是相反符号。
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公开(公告)号：CN1154191C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN00105373.6
申请日：2000-03-31
申请人： 夏普公司
IPC分类号： H01L27/12 , H01L21/786 , H01L21/326
CPC分类号： H01L29/78696 , H01L29/78648
摘要： 一种稳定SOI半导体器件的方法，包括以下步骤：提供SOI半导体器件，该器件由包括支撑基片的SOI衬底、在支撑基片上形成的埋置绝缘膜、在埋置绝缘膜上形成的表面半导体层、形成在表面半导体层中的源/漏区、在源/漏区之间的表面半导体层上形成的栅极构成，栅绝缘膜介于栅极和表面半导体层之间；在支撑基片和源/漏区中的一个之间施加电应力，由此在半导体表面层一侧形成抵达埋置绝缘膜的后沟道，由此至少在所述源/漏区中的一个和埋置绝缘膜一侧中的表面半导体层之间的界面附近引入捕获电位。
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